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...》报道，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫化钼的内存处理器，专用于数据处理中的基本运算之一：向量矩阵乘法。这种操作在数字信号处理和人工智能模型的实现中无处不在，其效率的提高可为整个信息通信...……更多
2023-11-14 01:26:00二维,晶体管,晶体,半导体,二硫化钼,晶体管
...。研究人员利用每一层都包含超过10000个由单原子厚度的二硫化钼（MoS2）薄片制成的晶体管，并在将MoS2薄膜转移到晶圆之前分别生长了这些薄膜，这一过程不需要高温，为摩尔定律的发展提供了新的思路。图1. 用二维材料制备...……更多
2024-01-17 10:42:00二维,三维,晶体管,晶体,效应,摩尔
...半金属与二维半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体二硫化钼（MoS2）的接触电阻降低至42欧姆微米，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限。该成果突破了二维半导体应用于高性能集成电路的关键...……更多
2023-01-16 07:15:00二维,欧姆,半导体,科学家,难题,接触
...要了解普通芯片的基本结构。普通芯片由数以亿计的微小晶体管组成，每个晶体管都可以控制和传输电流。这些晶体管互相连接形成一个庞大的网络，使得芯片能够进行复杂的信息处理和存储。当电流通过晶体管时，它将被传输...……更多
2024-01-30 11:13:00芯片,背后,秘密,芯片,晶圆,晶体管
...进展。通过设计-工艺协同优化（DTCO），开发出空气隔墙晶体管结构，大幅降低寄生电容，在国际上首次实现了GHz频率的二维半导体环形振荡器电路，比原有记录提升200倍，并预测了二维半导体应用于1nm节点集成电路的潜力与技...……更多
2023-11-05 01:06:00二维,集成电路,半导体,电路,团队,国际
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出，比Intel 7每瓦性能将提高约20%；Intel 3预计将于2023年下半年投产，比Intel 4每瓦性能将提高约18%；Intel ...……更多
2023-11-06 14:43:00晶体管,晶体,半导体,业内,目标,英特
...些突破旨在推进摩尔定律，并展现出该公司在全环绕栅极晶体管领域的领先地位。首先，Intel展示了一种称为3D堆叠CMOS晶体管的新型技术。这种晶体管结合了垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)和直接背面触点(direct backside contact)，并...……更多
2023-12-11 16:02:00氮化镓,晶体管,晶体,全新,晶体管,晶体
...电压或电流控制另一个端口电压或电流的半导体器件——晶体管。将晶体管与电阻、电容以及其他无源器件的元件相互连接，就形成了一个集成电路。而芯片的本质是在半导体衬底上（也称作“晶圆”）制作能实现一系列特定功...……更多
2023-11-23 11:58:00半导体,下一代,芯片,必然,方向,材料
...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管，并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外，台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是，台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
2023-12-28 18:02:00晶体管,晶体,封装,晶体管,晶体,工艺
本文转自：科技日报固态热晶体管超高速精确控制热量开辟计算机芯片热管理新领域固态热晶体管通过电场控制热运动。图片来源：胡永杰实验室/加州大学洛杉矶分校科技日报讯 （记者张梦然）美国加州大学洛杉矶分校研究人...……更多
2023-11-06 03:06:00固态热晶体管超高速精确控制热量
...的六方碳化硅（4H-SiC），有望制备出更高性能的碳化硅基晶体管。这是国际首次获得可量产、可商业化的晶圆级立方碳化硅单晶生长技术。近期，陈小龙获评2023年中国科学院年度创新人物。“另辟蹊径”获取新突破作为第三代...……更多
2024-02-05 07:21:00碳化硅,余年,国产,碳化硅,晶体,小龙
...推进摩尔定律，在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。12月9日，英特尔在IEDM 2023（2023 IEEE 国际电子器件会议）上展示了使...……更多
2023-12-11 09:31:00英特,摩尔,英特尔,定律,瓶颈,供电
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线，包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会（IEDM）...……更多
2023-12-13 10:23:00英特,英特尔,晶体管,晶体,新工艺,供电
...re云计算平台上的人工智能和通用工作负载，拥有1050亿个晶体管，基于台积电5纳米工艺打造，并专为大语言模型设计。而AzureCobalt100则是一款基于Arm架构的128核CPU，适用于执行常规计算任务，如为微软Teams提供动力。微软解释称...……更多
2023-11-16 20:10:00晶体管,微软,晶体,专为,芯片,模型
...线移动，因此通过相同距离的速度要快得多。计算机芯片晶体管中使用的硅半导体依靠电子流来传输数据，但这些粒子往往会疯狂地散射，也就是以热量的形式浪费能量，并减慢数据从A到B的时间。如果用这种新材料制造一个使...……更多
2023-10-30 07:07:00半导体,芯片,速度,计算机,新材,速度
...20-200nm 级别，未来有望用于创建基于纳米天线的光学纳米晶体管、存储器和可编程逻辑器件等。据了解，作为一种强大的工具，电场一直被纳米芯片所用，并促进了光电纳米探测器件的发展。尽管通过外部电路针对微纳结构施加...……更多
2024-02-19 10:06:00纳米,晶体管,晶体,天线,光学,科学家
...在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星
...费电子设备更容易获得先进的AI功能。不同于处理器中的晶体管，塞姆龙的芯片使用电场而不是电流。这些由传统半导体材料制成的忆容器可存储能量并控制电场，不仅提高了能源效率，还降低了制造成本，使消费电子产品更容...……更多
2024-02-04 07:45:00电场,晶体管,晶体,电流,容器,芯片
...和OPPO合作，联合OPPO的超光影图像引擎，推出了拥有双层晶体管像素技术的LYTIA图像传感器，索尼LYT-T808，并在OPPO Find N3上首发，目前已有数码博主爆料，一加12主摄正是这颗索尼LYT-T808。不过，也有网友猜测可能一加12搭载的是阉...……更多
2023-11-01 23:02:00小米,影像,索尼,晶体管,晶体,传感器
...向电子产品应用的关键一步。”但要制造功能性的石墨烯晶体管，必须对材料进行大量操作，这可能会损害其性能。因为石墨烯只有一个原子厚度，所有的原子都很重要，即使是图案中的微小不规则也会破坏它的性质。为了证明...……更多
2024-01-06 10:40:00石墨,半导体,中国,团队,突破,成功
...生化学键合，并开始表现出半导体特性。但要制造功能性晶体管，必须对半导体材料进行大量操作，这可能会损害其性能，为了证明他们的平台可作为可行的半导体发挥作用，该团队需要在不损坏它的情况下测量其电子特性。研...……更多
2024-01-05 11:42:00石墨,半导体,功能,世界,石墨,半导体
...1.4nm）工艺，通过增加纳米片数量进一步改善工艺。每个晶体管增加纳米片数量，可以增强驱动电流，从而提高性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关能力和运行速度。此外，更多的纳米片可以更好地...……更多
2023-11-01 13:46:00三星,纳米,数量,工艺,纳米,工艺
...808传感器拥有5000万像素，1/1.4英寸大底，并且采用了双层晶体管像素技术。该技术能扩大光电二极管的容量和晶体管的尺寸，让饱和信号量提升为原来的2倍，进光量更大，带来更强的动态范围表现，夜景更清晰、高光不过曝。...……更多
2023-11-16 20:34:00机型,索尼,王伟,传感器,晶体管,晶体
...化硅衬底芯片上。图源：佐治亚理工学院但要制造功能性晶体管，必须对半导体材料进行大量操作，这可能会损害其性能。为了证明他们的平台可作为可行的半导体发挥作用，该团队需要在不损坏它的情况下测量其电子特性。他...……更多
2024-01-05 10:35:00石墨,半导体,功能,电子,石墨,电子
...该工艺将依赖于第二代或第三代Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。此外，也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NA EUV光刻机，但这种新设备的引入可能会为芯片设计人员和制造商带来一些新的挑战。与三星的技术路线图...……更多
2023-12-15 10:02:00工艺,工艺,技术,三星,晶体管,制程
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...管Milind Shah的最新研究显示，2012年的28nm工艺节点之后，晶体管的平均成本已经不再下降，自然导致芯片的成本和价格居高不下。他指出，28nm及之前，晶体管平均成本在每一代新工艺上都会降低30％，但28nm之后，每一代都基本不...……更多
2024-02-05 11:00:00摩尔,越来,定律,芯片,越来越,秘密
...芯片和系统设计，而且这些问题在不断扩大和增多。随着晶体管密度的提高，这些微小的数字开关产生的热量无法通过传统方式消除。尽管这个问题看似可以控制，但这产生了一连串需要整个行业共同解决的新问题，包括EDA公司...……更多
2024-03-27 04:00:00功耗,芯片,不断,问题,功耗,问题
... PowerVia 背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
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