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三星宣布投产第九代V-NAND闪存
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存,首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存,新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力,巩固其领导地位。三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示:“我们...……更多
三星计划明年初量产超过300层的第九代V-NAND闪存
...信息。该公司证实,其正在按计划生产拥有超过300层的第九代V-NAND闪存,并表示这将是业内层数最多的3DNAND。“第九代V-NAND基于双层结构,层数达到业界最高水平,明年初将开始量产。”三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政...……更多
三星计划量产第九代v-nand闪存,将采用新的堆叠架构
4月16日消息,三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存,可用的堆叠层数达290层,相比现在的236层只增加不到23%。这一代新闪存将采用新的堆叠架构,底部是CMOS层加逻辑电路,上边是145层闪存阵列,再上边又是145层...……更多
三星第九代v-nand开始量产,提高50%位密度
4月23日消息,三星半导体今日宣布,其第九代V-NAND1TbTLC产品开始量产,比三星上一代产品提高约50%的位密度(bitdensity),通过通道孔蚀刻技术(channelholeetching)提高生产效率。凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度,...……更多
三星预计2025-2026年量产第十代v-nand闪存
...轮廓也逐渐浮出水面。据报道,三星计划2024年量产的第九代V-NAND将在280层3DNAND 范围内。对于定于2025-2026年量产的第十代V-NAND,三星正在讨论跳过300层直接进入430层。据分析,具体工作正在按照到2030年发展1000层V-NAND的目标逐步...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
...业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示,对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料...……更多
三星预计 2024 年初开始量产下一代 NAND 内存
...业务主管李政培(LeeJung-Bae)称,三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品,希望明年初可以实现量产。此外,该公司还正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。他表示,三星正在为DRAM开发3D堆叠结构和新材料;对于NAND闪存...……更多
三星重磅发布280层QLC闪存
...是支撑这一价值的重要基石。近日,存储行业的领军企业三星再次站在了技术革新的前沿,宣布推出全新的280层QLC闪存,将M.2SSD的容量推向了新的高度——惊人的16TB!QLC,即四层单元闪存,是近年来闪存领域的一项重要技术突...……更多
三星、海力士重回闪存战场,这下硬盘还会更便宜吗?
...前段时间,一则小道消息的传出引起了不少人的关注:“三星、海力士或将获得无限期的半导体设备出口资格”。这则消息传出后,仅过来几天时间,韩国当地媒体就报道相关企业已经获得授权,已被列入清单的设备可以无限制...……更多
三星最快本月实现第9代v-nand闪存量产
4月12日消息,据韩媒Hankyung报道,三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示,其下一代NAND闪存将于“今年初”量产,拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND,...……更多
三星闪存涨价潮来袭!季度涨幅高达20%,一年后或将贵70%
据多位半导体产业人士透露,三星将对其NAND闪存芯片的价格进行大幅调整。从今年第四季度开始,三星计划将闪存芯片的报价提高10-20%。令人惊讶的是,明年第一季度和第二季度,价格还将分别再上涨20%。按照这一涨幅,预...……更多
SK海力士全球首创321层闪存技术,三星计划超越300层
...2025年上半年才会开始量产这种新型的闪存。与此同时,三星在近期的一次公告中披露,他们的第9代V-NAND闪存研发进展顺利。据悉,三星的第9代V-NAND闪存将基于双堆栈架构,可达到业界最高的堆叠层数。原本公司规划的层数约为...……更多
三星准备推出第9代v-nand闪存
据韩国出版物《Hankyung》报道,三星准备在下个月推出第9代V-NAND(3DNAND闪存),预计将提供290层结构,比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。据报道,三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密...……更多
据11月11日报道,为应对存储产品价格上涨的市场需求,三星电子计划进一步减少其NAND闪存产品的生产。此举预计将在未来一年内导致行业影响不断扩大。三星电子已经从今年9月份开始,将NAND闪存产品产量削减至总产能的50%,...……更多
三星电子已将西安工厂的闪存开工率至 70%
3月11日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子已将西安工厂的闪存开工率至70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地,月产能为20万片300mm晶圆,占三星整体NAND产量的40%。目前三星正将西安工厂的工艺升级...……更多
批准了!美国同意三星向其中国工厂提供设备【附NAND闪存芯片行业市场分析】
...的记者会上表示,美国政府作出最终决定,将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备,无需其它许可。崔相穆透露,美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业,将自即日起生效。当前全球NAND市...……更多
三星990 EVO SSD偷跑:采用V-NAND TLC闪存
近日,三星EVOSSD已在乌克兰官网上架,并公布了其所有相关信息。虽然三星官网未提及价格,但德国亚马逊上已出现1TB和2TB版本的售价分别为114.90欧元(约900元人民币)和189.90欧元(约1487元人民币),而这个价格是否为实际售...……更多
三星暂停NAND闪存报价出货 存储芯片Q4合约价报价优于预期 【三星暂停NAND闪存报价出货 存储芯片Q4合约价报价优于预期】《科创板日报》29日讯,存储芯片大厂减产保价策略奏效,Q4合约价报价优于市场预期,DDR5上涨15~20%,DD...……更多
三星nand闪存价格重新调整至少上涨20%
据供应链消息,三星电子计划与大客户进行谈判,将NAND闪存的价格重新调整至合理水平(至少上涨20%)。由于一年多的供过于求,闪存价格已经持平于成本。目前,临时交易价格仍在上涨,并且部分品类的价格已超过2022年1月...……更多
NAND闪存市场呈现复苏迹象,未来格局或生变
...闪存作为两大存储器产品之一,正在经历新一轮的变化。三星在去年进行了多次减产,不过随着市场回暖,已开始大幅度提高产能利用率,同时抬升价格,继续主导市场。其位于西安的工厂的开工率已从去年下半年最低的20-30%提...……更多
三星电子最新推出一款轻型移动固态硬盘T5EVO,容量高达8TB,适合大容量数据存储需求。T5EVO整体采用黑色设计,并配备一个钛灰色环扣,外观高级时尚。这款硬盘采用金属环设计,可以轻松地固定在包或行李上,同时金属机身...……更多
消息称三星电子计划从下月起大幅提高 NAND 闪存价格
据韩媒BusinessKorea近日报道,三星计划自今年四季度起调涨其NANDFlash产品的合约价格,涨幅预计超过10%。此举预计最快将在本月新的合约中采用新价格。三星一直奉行减产战略,以降低供应量并提高产品价格来寻求反转,期望明...……更多
三星UFS 5.0将于2027年发布 新UFS 4.0有望在S25上搭载
...CNMO科技消息】近日,作为全球在闪存芯片领域领导者的三星半导体,在官方平台发布了备受瞩目的新品路线图,预示着新的UFS 4.0和UFS 5.0的即将推出。该路线图揭示了有关该公司计划开始改进UFS接口速度以及UFS 5.0发布时间表的...……更多
三星将NAND产量削减40%-50% SSD等存储继续涨价
...日消息,据国内媒体报道称,为了让存储价格继续上涨,三星会进一步减产,这势必会对行业带来更大的影响。报道中提到,三星电子计划到明年上半年为止,将NAND生产量削减规模扩大40%-50%,此举推高了NAND价格。从今年9月起...……更多
倒逼国产全面涨价!存储大厂们拖延供货 加快闪存晶圆涨价
...512Gb现货价单月调涨约2成,站上2.6美元。从今年9月起,三星已将NANDFlash快闪存储的减产幅度扩大到总产能的50%,主要集中在128层堆叠以下的产品上,目的是要加速去库存,同时稳定NANDFlash快闪存储的价格。在这之前,美光和SK海...……更多
trendforce发布2023年第三季度nand闪存报告
...择保持低库存、缓提货的策略。不过第三季度的转折在于三星积极减产,让买方的采购态度趋向积极。三星从2023年第二季度起就加入了减产的行列,而且在第三季度扩大了减产的幅度,这也是为其涨价做准备。在2023年第三季度...……更多
据韩国爆料人透露,即将发布的三星GalaxyS24系列中,128GB版本机型将搭载UFS3.1闪存,而其他版本则会使用更先进的UFS4.0闪存。这一决定被认为是为了控制成本而做出的。分析人士认为,UFS4.0的速度相比UFS3.1有显著提升,顺序读取...……更多
三星PRO Ultimate评测
...后期制作,都需要高速、稳定、可靠的存储设备来支持。三星存储面向专业用户的PRO系列存储卡凭借出众的性能和卓越品质受到众多用户推崇,但是对于追求极致的专业用户来说,仍然需要更加强大的性能来满足多样化的需求。...……更多
国产存储芯片突破,LPDDR5内存发布,但落后三星还有4年
...清楚了,去年全球第一家量产了232层的3D NAND,比美光、三星等更领先,按照媒体的说法,是中国第一家在芯片技术上,超过欧美日韩的厂商。不过,后来美国出手,对长江存储进行打压,这对长存的影响还是非常大的。而近日...……更多
打造高端主机,有哪些旗舰级PCIe4.0 SSD值得入手?
...性能要求极高。目前在消费级SSD领域,宏碁掠夺者GM7000、三星990PRO、西数SN850X、致态TiPro7000是目前比较热门的4款旗舰级PCIe4.0SSD,以下是一些基础参数,大家可以来参考一下。推荐产品:宏碁掠夺者GM7000参考价格:1849元持续读写...……更多
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