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三星电子已将西安工厂的闪存开工率至 70%
3月11日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子已将西安工厂的闪存开工率至70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地,月产能为20万片300mm晶圆,占三星整体NAND产量的40%。目前三星正将西安工厂的工艺升级...……更多
三星西安工厂获美国无限期豁免,已开始大规模扩张
10月16日消息,上周一,三星电子和SK海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免,其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。对于三星来说这无疑是一个好消息,而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。据BusinessKor...……更多
...率已恢复至70% 此前曾降至20~30%】《科创板日报》12日讯,三星电子位于中国西安的NAND闪存厂开工率恢复到了70%左右。西安厂是三星电子唯一的海外存储器生产基地。此前,三星为了应对存储器行业状况恶化,去年下半年将该厂...……更多
批准了!美国同意三星向其中国工厂提供设备【附NAND闪存芯片行业市场分析】
...的记者会上表示,美国政府作出最终决定,将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备,无需其它许可。崔相穆透露,美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业,将自即日起生效。当前全球NAND市...……更多
NAND闪存市场呈现复苏迹象,未来格局或生变
...率,同时抬升价格,继续主导市场。其位于西安的工厂的开工率已从去年下半年最低的20-30%提升至70%左右。作为三星唯一在韩国以外的存储半导体生产基地,西安工厂的月产能达到了20万片300mm晶圆,占据了三星NAND闪存40%的产量...……更多
突发!美国改口:不再限制
...的记者会上表示,美国政府作出最终决定,将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备,无需其它许可。崔相穆透露,美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业,将自即日起生效。对此,三星电...……更多
...搬入仪式在西安高新综合保税区举行。据了解,这是韩国三星电子在西安高新区又一次追加投资。在此之前,三星在西安高新区已投资约280亿美元实施一期项目、二期项目,并且从2017年开始对一期产线进行改造升级,产品从最...……更多
要涨价!三星半导体工厂发生火灾 或影响存储芯片市场
...升15~20%。在经历了长达一年多的供过于求的市场环境后,三星电子的NAND闪存售价一度逼近成本线。因此,公司决定与大客户展开谈判,以期将价格调整至一个更为合理的水平。 ……更多
三星、海力士重回闪存战场,这下硬盘还会更便宜吗?
...前段时间,一则小道消息的传出引起了不少人的关注:“三星、海力士或将获得无限期的半导体设备出口资格”。这则消息传出后,仅过来几天时间,韩国当地媒体就报道相关企业已经获得授权,已被列入清单的设备可以无限制...……更多
存储告别“白菜价”时代,国产品牌终究没能撼动三星?
...有两条重磅消息,一条是央视新闻报道,10月9日美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备,无须其他许可。第二条消息则少有人关注:最近一个多月,三星电子、SK海力士宣布对DRAM和NAND闪存芯片涨价10%-20%。事...……更多
三星闪存涨价潮来袭!季度涨幅高达20%,一年后或将贵70%
据多位半导体产业人士透露,三星将对其NAND闪存芯片的价格进行大幅调整。从今年第四季度开始,三星计划将闪存芯片的报价提高10-20%。令人惊讶的是,明年第一季度和第二季度,价格还将分别再上涨20%。按照这一涨幅,预...……更多
SK海力士全球首创321层闪存技术,三星计划超越300层
...2025年上半年才会开始量产这种新型的闪存。与此同时,三星在近期的一次公告中披露,他们的第9代V-NAND闪存研发进展顺利。据悉,三星的第9代V-NAND闪存将基于双堆栈架构,可达到业界最高的堆叠层数。原本公司规划的层数约为...……更多
三星宣布投产第九代V-NAND闪存
...进一步增强三星在闪存市场的竞争力,巩固其领导地位。三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示:“我们非常高兴推出业界首款第九代V-NAND产品,它将为未来应用带来显著飞跃。为了满足不断演进的NAND闪存解决...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
10月17日消息,今天,三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示,对于DR...……更多
据11月11日报道,为应对存储产品价格上涨的市场需求,三星电子计划进一步减少其NAND闪存产品的生产。此举预计将在未来一年内导致行业影响不断扩大。三星电子已经从今年9月份开始,将NAND闪存产品产量削减至总产能的50%,...……更多
三星计划明年初量产超过300层的第九代V-NAND闪存
...层结构,层数达到业界最高水平,明年初将开始量产。”三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培(LeeJung-Bae)在博客文章中写道。IT之家注意到,8月份就有消息称,三星正在研发拥有超过300层的第九代V-NAND,将继续采用三星...……更多
三星预计2025-2026年量产第十代v-nand闪存
...数为236层。据介绍,第八代V-NAND可提供1Tb(128GB)的方案,三星电子没有公开IC的大小和实际密度,不过他们称之为业界最高的比特密度。 ……更多
消息称三星电子计划从下月起大幅提高 NAND 闪存价格
据韩媒BusinessKorea近日报道,三星计划自今年四季度起调涨其NANDFlash产品的合约价格,涨幅预计超过10%。此举预计最快将在本月新的合约中采用新价格。三星一直奉行减产战略,以降低供应量并提高产品价格来寻求反转,期望明...……更多
三星业绩指引来袭!Q3利润同比暴跌78%,环比增超2.5倍,半导体或亏超3万亿韩元
韩国芯片巨头三星公布Q3业绩指引。10月11日,三星电子表示,今年第三季度初步营业利润为2.4万亿韩元(约合人民币130.5亿元),同比下降78%,低于预期;但环比大增258.2%,超乎预期。受消息影响,三星电子股价强劲上扬,涨幅...……更多
三星电子最新推出一款轻型移动固态硬盘T5EVO,容量高达8TB,适合大容量数据存储需求。T5EVO整体采用黑色设计,并配备一个钛灰色环扣,外观高级时尚。这款硬盘采用金属环设计,可以轻松地固定在包或行李上,同时金属机身...……更多
三星nand闪存价格重新调整至少上涨20%
据供应链消息,三星电子计划与大客户进行谈判,将NAND闪存的价格重新调整至合理水平(至少上涨20%)。由于一年多的供过于求,闪存价格已经持平于成本。目前,临时交易价格仍在上涨,并且部分品类的价格已超过2022年1月...……更多
三星将NAND产量削减40%-50% SSD等存储继续涨价
...步减产,这势必会对行业带来更大的影响。报道中提到,三星电子计划到明年上半年为止,将NAND生产量削减规模扩大40%-50%,此举推高了NAND价格。从今年9月起,三星已将NANDFlash快闪存储的减产幅度扩大到总产能的50%,主要集中...……更多
三星第九代v-nand开始量产,提高50%位密度
4月23日消息,三星半导体今日宣布,其第九代V-NAND1TbTLC产品开始量产,比三星上一代产品提高约50%的位密度(bitdensity),通过通道孔蚀刻技术(channelholeetching)提高生产效率。凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度,...……更多
三星电子亮相AWE2024 存储产品铸就游戏及商务精英
3月15日消息,2024年中国家电及消费电子博览会(AWE2024)正在上海新国际博览中心火热进行中。作为业内最具影响力和前瞻性的博览会,AWE历来受到相关企业、行业从业者、媒体以及消费者的广泛关注。本届AWE三星携一众生活家电...……更多
“摆烂”的欧洲,在新能源电池产业上被狠狠抛下
...克朗(约合人民币77亿元),与巨幅亏损相对应的还有低开工率,有人在推特爆料称Northvolt前三季度仅出货电池80MWh,产能利用率仅为约5‰[1]。那么问题来了,“全村的希望”还有希望吗?01给你订单,你不中用Northvolt是欧盟成...……更多
国产存储芯片突破,LPDDR5内存发布,但落后三星还有4年
...清楚了,去年全球第一家量产了232层的3D NAND,比美光、三星等更领先,按照媒体的说法,是中国第一家在芯片技术上,超过欧美日韩的厂商。不过,后来美国出手,对长江存储进行打压,这对长存的影响还是非常大的。而近日...……更多
存储芯片利好密集催化!龙头8天6板,A股上市公司闪存产品产能、市场地位一览
...存储创新发展,实现存储闪存化升级。此外,美国已决定三星电子和SK海力士可以向其中国工厂供应芯片设备。存储芯片迎来新一轮利好消息密集催化。东海证券方霁10月10日研报中表示,1Tb/512Gb Flash wafer上周价格分别上调至3.65/1...……更多
...动影响,韩国半导体产业迎来强劲复苏,出口大幅增长,三星电子等主要半导体企业取得了突出业绩。据预测,全球市场半导体景气周期仍将持续,将对今年韩国经济增长产生拉动作用。韩国产业通商资源部4月1日发布的“3月份...……更多
所有产品五分钟被抢空!中国电视在韩热销!
...尔市一个繁华商圈的商家们纷纷开始了年末促销活动。在三星电子卖场,很多家电都在打折促销。其中,大屏幕电视机的打折力度很大。因为今年韩国的电视机销售低迷,临近年末,商家为了减少库存积压,只好打起激烈的价格...……更多
三星预计 2024 年初开始量产下一代 NAND 内存
10月17日消息,三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展,并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。三星电子存储业务主管李政培(LeeJung-Bae)称,三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的...……更多
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