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...仅体现在工艺节点的推进，更在于其对多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构的深度优化。这种架构通过采用先进的外延技术和集成方案，相较于传统的FinFET结构，实现了11%至46%的晶体管性能跃升，同时降低了26%的性能波动和大约50%...……更多
2024-06-17 23:15:00三星,芯片,三星,技术,晶体管,节点
...破将使得芯片制造商能够在同样大小的芯片上装载更多的晶体管，从而提升芯片的性能和功耗控制能力。
除了提升芯片性能外，2纳米工艺节点还具有其他潜在的优势。首先，这一节点将使得芯片的尺寸更小，从而可以在相同的...……更多
2024-06-13 17:58:00三星,功耗,节点,纳米,芯片,性能
...块芯片最大的亮点——GAA工艺（Gate-All-Around，全环绕栅极晶体管）。要在指甲盖大小的芯片里塞下数百亿个晶体管，听上去就如同天方夜谭，但工程师们总能想出新办法。其中一种思路就是将晶体管像积木一样堆叠起来，那么就...……更多
2024-07-13 09:52:00三星,芯片,全球,三星,工艺,芯片
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...软更新推出。值得一提的是，这将是最后一个采用 FinFET 晶体管的节点。你可能想知道英特尔如何在六个月内量产两个节点。但其实按照报道，英特尔的4nm（intel 4)和 3nm(intel 3)工艺由两个独立的团队同时开发。这本质上是Tick Tock ...……更多
2023-01-20 06:00:00英特,英特尔,战局,英特,英特尔,三星
... PowerVia 背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
...代工费用报价，要比台积电7nm工艺便宜四成。虽然前者的晶体管密度不及台积电7nm工艺，但由于功耗设计优秀，在实际应用中并没有逊色于后者。除了代工价格一路水涨船高外，台积电的产能分配问题也一直被业界所诟病。此前...……更多
2024-06-25 09:23:00三星,自己人,三星,芯片,高通,架构
...了独特的外延和集成工艺。与现有的FinFET技术相比，SF2的晶体管性能显著提升，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。三星在半导体工艺领域一直致力于突破，并通过2nm等先进制程技术来巩固其市场地位...……更多
2024-05-01 14:00:00三星,芯片,先进,工艺,三星,工艺
...越来越小，控制电流变得越来越困难，但GAA通过重新设计晶体管结构来提高能效，从而解决了这一问题。尽管有这些优势，但三星在争取各种客户供应晶圆方面基本上都不成功，因为它不断遇到产量问题。再加上高昂的生产成本...……更多
2024-05-02 02:11:00栅极,三星,芯片,技术,三星,纳米
...。除了工艺节点的推进外，三星还对其多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构进行了深度优化。这种新型晶体管通过采用先进的外延技术和集成方案，在性能方面取得了11%至46%的飞跃，并降低了约50%的漏电流。与此同时，三星与Ar...……更多
2024-06-13 17:59:00三星,纳米,工艺,电商,三星,分隔符
...量产了SF3E（3nmGAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。根据之前公布的计划，三星今年将带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的...……更多
2024-02-20 10:06:00三星,日本,先机,芯片,订单,工艺
...3nm栅极全环(GAA)节点的订单。三星在3nm工艺中使用了全栅晶体管，可以间接改善芯片性能。韩国产业经济贸易研究院研究员KimYang-paeng表示：“如果三星此次成功赢得AMD4nm芯片订单，将打开‘大芯片’领域的交易之门……这将是三...……更多
2023-11-17 13:47:00新业,三星,新业务,工艺,三星,代工厂
...介绍，SF3节点可以在同一单元内实现不同的环绕栅（GAA）晶体管纳米片通道宽度，从而提供更高的设计灵活性。这也能够为芯片带来更低的功耗和更高的性能，并通过优化设计来增加晶体管密度。IT之家通过TrendForce数据获悉，台...……更多
2024-01-22 12:22:00三星电子,二代,三星,工艺,电子,三星
...制程节点。传统的芯片制造采用自下而上的方式，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。然而，随着工艺的进步，这种供电模式的线路层变得越来越混乱，并对设计和制造产生了干扰。为了解决这个问题，BSPDN技术将芯...……更多
2024-02-29 04:35:00三星电子,三星,供电,得了,结果,测试
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...片都不相同，它需要在每平方毫米的面积上，植入3亿颗晶体管，相当于在一个指甲盖那么大的面积里，塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度，需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
...工艺的先进变体，并强调了称为全方位栅极（GAA）的先进晶体管设计对芯片行业未来的重要性。三星最新活动的核心是该公司的两种新的半导体制造工艺。这些是三星SF2Z和三星SF4U工艺。其中，SF2Z是前沿节点，是三星2纳米工艺...……更多
2024-06-20 13:13:00三星,芯片,解决方案,方案,这是,制造
...片的所有关键指标中，没有一项是3nm。我们知道芯片是由晶体管组成，晶体管越多，芯片性能越强，因为一个晶体管就是一路电流，代表一个0与1的开关换算。而一个晶体管里面又含有三个部分，分别是源极（Source，电流入口）...……更多
2023-02-04 15:59:00摩尔,栅极,发展,定律,更快,工艺
...。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2n...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
...该工艺将依赖于第二代或第三代Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。此外，也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NA EUV光刻机，但这种新设备的引入可能会为芯片设计人员和制造商带来一些新的挑战。与三星的技术路线图...……更多
2023-12-15 10:02:00工艺,工艺,技术,三星,晶体管,制程
...而2nm制程工艺将会基于更加先进的技术，包括GAAFET纳米片晶体管与背部供电，根据之前曝光的数据，能够比3nm提升10-15%的性能，而同等频率下功耗则降低25-30%。也就是说等到2025年，包括三星也台积电都将拥有量产2nm制程的能力...……更多
2024-02-05 21:00:00制程,三星,芯片,订单,更多,制程
...这里先简单介绍一下DRAM的基本结构。DRAM单元电路由一个晶体管和一个电容器组成，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM由被称为“位线(BL)”的导电材料组成，位线提供注入晶体管...……更多
2024-06-29 10:05:00大厂,招数,内存,制造,技术,封装
...神)可能象征着三星处理器性能的新时代。2nm工艺有望在晶体管密度上取得重大进展，与当前一代芯片相比，可能会提高效率和性能。Exynos2600将与苹果的A系列、M系列、AI芯片展开竞争。三星电子Exynos2600将成为GalaxyS26系列在全球...……更多
2024-05-27 12:56:00三星,芯片,正在,开发,三星,芯片
...星所采用的工艺相比传统的FinFET技术，GAA技术通过全新的晶体管设计，实现了更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。同时由于环绕栅极的存在，晶体管在开关过程中产生的热量也得以有效分散，从而降低了功耗。
而且GAA技术...……更多
2024-05-09 10:29:00三星,革命性,新机,芯片,革命,突破
...层叠叠，过程与NAND闪存类似，其中还会应用一些先进的晶体管制造技术。3DDRAM设计重点是解决缩放和多层堆叠的难题，另外还有电容器和晶体管缩小，以及单元间连接和通孔阵列，最后还有制定相应的工艺要求。通过垂直堆叠...……更多
2024-06-22 23:29:00三星,力士,混合,应用,技术,三星
...在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星
...能每两年翻一番的经验法则——是否还能继续有效。随着晶体管尺寸的不断缩小，人们普遍担忧物理限制将会成为难以逾越的障碍，特别是短沟道效应、漏电流和隧道效应等问题日益突出。这些挑战不仅威胁到了摩尔定律的延续...……更多
2024-08-07 09:43:00摩尔,定律,纳米,进化,芯片,物理
...的营销工具。通常，较低的工艺制程数意味着使用较小的晶体管，从而导致较高的晶体管数量。这很重要，因为晶体管数量越多，芯片的功能和能效就越高。虽然台积电和三星今年都在量产3nm芯片，但只有三星在使用环栅(GAA)晶...……更多
2023-01-22 16:35:00良品率,三星,纳米,芯片,生产,三星
...10%到20%之间，相差巨大。其主要原因是三星的3nm环栅(GAA)晶体管工艺与台积电的FinFET工艺在结构上存在重大差异，三星本身采用的环栅(GAA)晶体管，可以更好地控制晶体管的电流。这是因为GAA晶体管具有垂直堆叠的nm片以覆盖通道...……更多
2023-01-22 16:48:00制程,工艺,工艺,良品率,三星,晶体管
...以来，三星和台积电逐渐拉开差距，三星的5纳米工艺在晶体管密度方面不如台积电的5纳米，生产的骁龙8G1芯片出现发热问题，随即高通抛弃了三星，将骁龙8G1芯片交给台积电以改良后的5纳米生产，性能更强而功耗大幅下降，从...……更多
2024-11-09 13:36:00芯片,中美,输家,三星,美国,中国
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