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amd将采用三星的4nm工艺生产一些消费级产品
3月23日消息,@Tech_Reve表示,AMD将采用三星的4nm工艺生产一些消费级产品,包括低端APU和RadeonGPU。他援引“可靠消息”称,预计AMD未来将更多地依赖三星代工,这可能与台积电产能已经因为AI等其他需求而被预订一空有关。他之...……更多
三星正开发2nm工艺节点 Exynos 2600或首发
本月早些时候三星宣布,将开始进行3nmGAA工艺大规模量产,首先量产的会是一颗Exynos处理器。不过,目前还不清楚具体是哪款,概率最大的无疑就是Exynos2500了,这颗芯片将会使用在明年的GalaxyS25系列手机中。据ETNews报道,三星...……更多
三星影响不容小觑,存储价格上涨,国产旗舰可能涨价500元
...期的市场动态显示,由于全球存储器市场的变动,尤其是三星的强势表现,国产存储采购面临着较大的压力。据相关消息透露,目前国内存储器下游市场的龙头闪存采购成本已经上涨了近20%,内存采购成本则上涨了约30%。这样的...……更多
三星正在讨论为高通和lsi部门生产原型产品
2月24日消息,根据韩媒Sedaily报道,三星正向2纳米工艺大步迈进,已讨论为高通和三星的LSI部门生产原型产品,表明一款未命名的Exynos可能正处于早期测试阶段。消息称三星晶圆代工厂(SamsungFoundry)正在开发一种非常先进的SF2G...……更多
高通骁龙:考虑再次拥抱三星!联发科:也要面临涨价!
...以高通骁龙面对这种情况,开始进行转变了。需要了解,三星量产的3nmGAA工艺不是特别成功,首个3nm工艺节点SF3E应用范围不够广泛。 这也导致科技巨头纷纷转向了台积电怀抱,导致台积电3nm产能供不应求,或许这也是涨价的原...……更多
三星表示,将成功实现2纳米节点,或提升芯片性能和功耗
三星Elecoics最近宣布,他们已经成功实现了一项重要的里程碑,将致力于进一步提升其工艺节点。这个节点是指芯片制造过程中所使用的最小尺寸,可以决定芯片性能和功耗。三星表示,他们已经成功将其工艺节点减小到了惊人...……更多
高通骁龙8 Gen 4:台积电独家代工!骁龙8 Gen5:双代工模式
...甚至是双代工模式,这也让许多用户开始有所担心。毕竟三星工艺在此前的市场中,真的给许多消费者留下了很不好的印象,那么自然是不想进行采用。 不过有消息称,高通的下一代旗舰 3nm骁龙8 Gen4处理器,仍然仅由台积电代...……更多
骁龙8 Gen5处理器:有望混用工艺,只因三星迈步2nm!
...器要混用工艺的时候,还是引起了巨大的争议。据了解,三星正向2nm工艺大步迈进,已讨论为高通和三星的LSI部门生产原型产品,表明一款未命名的Exynos可能正处于早期测试阶段。由于骁龙8Gen4处理器的架构基本清晰,采用的是...……更多
三星加速micro OLED生产,或在三年内实现量产
近日,三星显示执行董事JeongSeok-woo在韩国首尔中区K酒店举行的“OLEDKorea”大会上,做了题为“未来显示中的AR/VR发展策略”的演讲,表示将加快RGBmicroOLED的生产。据BusinessKorea报道,JeongSeok-woo在演讲中,强调了与去年收购的RGBmi..……更多
全球电视市场数据公布 三星电子高端领域排名第一
...至2023年第三季度的全球电视市场表现数据。数据显示,三星电子以销售额29.9%的市场份额位居全球电视市场第一,LG电子连续11年位居全球OLED电视市场第一。三星电子21日公布的数据显示,去年第三季度市场份额为29.9%,较去年同...……更多
三星电子试生产第二代3nm级工艺sf3
1月21日消息,Chosun援引业内人士消息称,三星电子代工厂已开始针对其第二代3nm级工艺SF3进行试生产。据报道,该公司计划在未来六个月内将良率提高至60%以上。消息人士称,三星正在测试SF3节点上制造的芯片的性能和可靠性...……更多
三星将推出首款采用3nm芯片的设备
据报道,三星将推出首款采用3nm芯片的设备,而这并不是人们首先想到的产品。上个月,有猜测称GalaxyWatch7将成为3nm工艺节点的开创点。根据《韩国经济日报》的最新消息,这一传言得到了进一步证实,甚至包括芯片组名称等...……更多
消息称三星电子有意引入 SK 海力士的 MUF 封装工艺
IT之家 3 月 13 日消息,路透社表示,三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封装工艺,而非此前坚持使用的非导电薄膜(NCF)技术。三位直接知情人士称,三星已经发出了处理 MR-MUF 技术...……更多
三星将在unpack活动中揭晓可穿戴设备
据三星消息,其移动体验(MX)部门将于7月10日左右在法国巴黎举办Unpack新品发布会活动。分析人士称,举办该活动是为了在巴黎奥运会7月26日开幕前,最大限度地发挥营销效果。三星智能手表据报道,三星将在Unpack活动中揭晓...……更多
三星和英特尔在2nm工艺上激烈竞争!追赶台积电
...球晶圆代工龙头企业中国台湾台积电(行业第一)、韩国三星电子(第二)和重新进入晶圆代工市场的美国英特尔,都在加速开发先进的2nm工艺。目前,最先进的量产技术是三星电子和台积电生产的3nm工艺。三星于去年6月开始...……更多
三星oneui更新5.0版本后越来越好
...可观增长。自那时以来,出货量急剧下降。目前,苹果和三星是市场上的两个主要参与者。虽然Android的平板电脑不断地在推出,但许多不少厂商的重心已经不在平板上。这导致了Android平板电脑出货量的下降。而三星依然在平板...……更多
三星宣布全球首款3nm制程芯片成功下线:性能飞跃与功耗大降
...能和功耗的表现直接影响着整个科技行业的进步。近日,三星宣布成功下线全球首款采用3nm制程工艺的芯片,这一重大突破不仅标志着半导体制造技术的又一次飞跃,也为未来科技产品的发展注入了新的活力。首先,让我们来关...……更多
三星宣布推出SF2Z芯片制造技术,这是AI产品的新解决方案
韩国科技巨头三星(Samsung)昨天在加利福尼亚州举行的三星晶圆代工论坛(SamsungFoundryForum)上宣布了一系列新的芯片制造技术和其他针对不断增长的技术的举措。与台积电和英特尔一起,三星是世界上第三家能够使用最新制造...……更多
三星电子正在积极推进其2纳米工艺的研发,希望在先进制造领域挑战行业巨头台积电。据内部消息,三星的半导体代工部门正在快速推进其2纳米生产计划,并整合资源加速技术研发。业内人士甚至猜测三星可能会跳过3纳米工...……更多
三星交付HBM3E内存样品:秒传百部电影
10月18日消息,根据韩国媒体今天的报道,三星已经确认将其第5带HBM3E产品命名为“Shinebolt”。随着三星加快对HBM3E的开发和营销,其有望追上SK海力士在该领域的步伐。HBM属于垂直连接多个DRAM,与DRAM相比显著提升数据处理速度...……更多
三星透明MICRO LED国内首次亮相
...上海新国际博览中心举办。站在变革性显示技术最前端的三星,凭借强劲的行业实力和专业性,始终引领着全球电视市场的产品创新,向公众展示了MiniLED、OLED等多技术赛道的前沿产品。其中MICROLED作为三星屏显技术的巅峰之作...……更多
...文转自:科技日报科技日报首尔6月16日电 (记者薛严)三星电子日前在美国硅谷举行“2024年三星代工论坛”,表示2027年将引入尖端晶圆代工技术,推出两种新工艺节点,形成包括人工智能半导体研发、代工生产、组装在内的全...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
10月17日消息,今天,三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示,对于DR...……更多
AMD下一代低端产品或引入三星代工 用于低端APU/GPU
...需扩展其代工解决方案,而目前市场上除了台积电之外,三星和英特尔是少数可以提供满足需求先进制程的代工厂,伴随着AMD和三星合作的增加,AMD将转向三星代工的传闻也是愈发增多。近日有网友透露,AMD将采用三星4nm工艺制...……更多
助推“零碳零塑办博”,来自三星的“绿色影响”
...展的先行者、践行者和赋能者,从首届参展到六赴进博,三星的参与深度和广度都不断升级。在此次进博会上,三星集中展示了可持续发展最新技术与成果,让更多人了解到科技与可持续共融的生活方式。 第六届进博会三星展...……更多
高通重塑旗舰芯片,4.26GHz狂飙,能否重夺霸主?
...主导着旗舰手机芯片的性能天花板。然而近些年,苹果和三星等竞争对手的崛起给高通带来了巨大压力。为重振旗舰芯片的霸主地位,高通着手重塑下一代骁龙8Gen4芯片,力求在性能上再次领跑行业。高通这次对骁龙8Gen4芯片进...……更多
三星研究将MUF应用到服务器DRAM
据TheElec报道,三星正在考虑在其下一代DRAM中使用应用模压填充(MUF)技术。三星最近对3D堆栈(3DS)内存进行了大规模的MRMUF工艺测试,结果显示与现有的TCNCF(热压非导电膜)相比,吞吐量有所提高,但物理特性却有所下降。...……更多
消息称三星 12nm 级 DRAM 内存良率不足五成,已就此成立工作组
IT之家 6 月 11 日消息,韩媒 ZDNet Korea 今日表示,三星 1b nm(12nm 级) DRAM 内存良率仍不足五成。这一数据远低于 80~90% 的业界一般目标,三星已于上月就此成立专门工作组应对。参考IT之家以往报道,三星电子于 2023 年 5 月宣布 ...……更多
三星 9.8Gbps 速率 HBM3E 内存已出样
10月12日消息,据三星官方博客消息,面向高性能计算(HPC)的HBM内存迎来新进展,将开发9.8Gbps的HBM3E产品,已开始向客户提供样品。此外,HBM4内存以2025年为目标正在开发中,为了适用于该产品,正在准备针对高温热特性优化...……更多
意法半导体与三星合作推出18nmfd-soi工艺
意法半导体与三星合作,共同推出了一项新的18nmFD-SOI工艺。这项工艺支持嵌入式相变存储器(ePCM)。相比之前使用的40nmeNVM技术,采用ePCM的18nmFD-SOI工艺在性能参数上有了大幅提高。首先,在能效方面,新工艺提高了50%。其次...……更多
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