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意法半导体与三星合作,共同推出了一项新的18nmFD-SOI工艺。这项工艺支持嵌入式相变存储器(ePCM)。相比之前使用的40nmeNVM技术,采用ePCM的18nmFD-SOI工艺在性能参数上有了大幅提高。
首先,在能效方面,新工艺提高了50%。其次,在数字密度上也有了大幅提升,达到了3倍左右,并且可以容纳更大的片上存储器。同时,该工艺还具有更低的噪声系数。值得一提的是,该工艺可以在3V电压下提供多种模拟功能,包括电源管理和复位系统等,在20nm以下制程中是唯一支持这些功能的技术。
除此之外,这项新工艺在抗高温和抗辐射方面也有出色表现,适用于要求苛刻的工业应用。意法半导体首款基于该制程的STM32MCU将于下半年开始向选定客户出样,并计划于2025年下半年量产。
这项技术的推出为消费者带来了更好的使用体验和更多的功能选择。相信随着科技的不断发展和创新,未来会有更多令人惊喜的产品问世。
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快照生成时间:2024-03-22 09:45:05
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