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三星计划2025年后在业界率先进入3ddram时代
...024的幻灯片上展示了两项3DDRAM内存新技术,包括垂直通道晶体管(VerticalChannelTransistor)和堆叠DRAM(StackedDRAM)。相较于传统的晶体管结构,垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直,可大幅减少器件面积占用,但提升了对刻...……更多
英伟达将购买12层HBM3E内存,由三星电子独家供货
...布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍,B200拥有2080亿个晶体管,采用台积电4NP工艺制程,可以支持多达10万亿个参数的AI大模型,还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。 ……更多
三星展望HBM4内存:工艺学习Intel 22nm
...在三星的规划中,HBM4将有两个发展方向,使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面,三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管,改用FinFET立体晶体管,从而降低所需的驱动电流,改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
内存制造技术再创新,大厂新招数呼之欲出
...这里先简单介绍一下DRAM的基本结构。DRAM单元电路由一个晶体管和一个电容器组成,晶体管负责传输电流,使信息(位)能够被写入或读取,电容器则用于存储位。DRAM由被称为“位线(BL)”的导电材料组成,位线提供注入晶体管...……更多
砸下8400亿元后,三星先被自己人背刺
...代工费用报价,要比台积电7nm工艺便宜四成。虽然前者的晶体管密度不及台积电7nm工艺,但由于功耗设计优秀,在实际应用中并没有逊色于后者。除了代工价格一路水涨船高外,台积电的产能分配问题也一直被业界所诟病。此前...……更多
苹果iphone15系列将升级中国制造
...其中大多数。按照台积电方的说法,3nm工艺能够大幅提升晶体管密度约70%,性能的涨幅约在10%-15%之间,而能耗至少能够降低25-30%。此外呢,明年的iPhone15在硬件方面大升级主要在处理器上,其他规格大概率不会有太大的升级。所...……更多
三星2nm工艺抢得先机?已收到日本AI公司的芯片订单
...量产了SF3E(3nmGAA),引入全新的GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术。根据之前公布的计划,三星今年将带来名为SF3(3GAP)的第二代3nm工艺技术,使用“第二代多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)”,在原有的SF3E基础上做进一步的...……更多
IBM带来全新Telum II处理器
...三星7nm工艺制造,核心面积为530平方毫米,集成了225亿个晶体管,拥有全新的分支预测、缓存和多芯片一致性互连。Telum处理器是IBMz16大型机计划成功的关键,随着客户需求的变化,IBM需要不断创新并突破新兴技术的发展极限。...……更多
三星galaxys25系列即将迎来技术革新
...的3nm工艺。尽管三星投入巨大资源,引进了业界领先的GAA晶体管技术,试图在Exynos2500处理器上实现突破,但现实却给它泼了一盆冷水。据内部数据显示,该处理器的良品率竟不足20%,这无疑是给三星的雄心壮志泼了一盆冷水,...……更多
三星开发首款5纳米emram车用存储
...潜力。三星表示通过采用深沟槽隔离(DTI)技术,缩小每个晶体管之间的距离,最大限度地发挥功率半导体的性能。三星代工厂将使用120V(当前为70V)的更大电压应用于更广泛的应用,并准备好在2025年之前提供实现120V至130nmBCD工...……更多
内存成了iPhone 16最大升级点!苹果全部给到8GB
...晶圆堆叠技术,其中每一片晶圆分别承载了光电二极管、晶体管以及模拟数字转换器等关键元件。相较于传统的双晶圆设计,三晶圆堆叠技术能显著提升传感器的图像捕捉效率,降低噪声,同时实现更高的像素密度,为iPhone 16系...……更多
传三星Exynos 2500将采用RDNA 4架构GPU
...3nm工艺,而Exynos2500将是其首款3nm的SoC,或许希望通过GAA晶体管技术提升性能和改善能耗表现。高通同期将带来第四代骁龙8平台,引入自研的定制Oryon内核,预计会对三星造成不小的压力。 ……更多
3nm的芯片战争,才刚刚开始
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺(N3B)制造,晶体管数量达到了惊人的 190 亿,这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片,也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道,随着芯片尺寸越...……更多
三星计划2025年量产2nm制程:比肩台积电,希望抢得更多芯片订单
...而2nm制程工艺将会基于更加先进的技术,包括GAAFET纳米片晶体管与背部供电,根据之前曝光的数据,能够比3nm提升10-15%的性能,而同等频率下功耗则降低25-30%。也就是说等到2025年,包括三星也台积电都将拥有量产2nm制程的能力...……更多
三星宣布推出SF2Z芯片制造技术,这是AI产品的新解决方案
...工艺的先进变体,并强调了称为全方位栅极(GAA)的先进晶体管设计对芯片行业未来的重要性。三星最新活动的核心是该公司的两种新的半导体制造工艺。这些是三星SF2Z和三星SF4U工艺。其中,SF2Z是前沿节点,是三星2纳米工艺...……更多
被人笑话的三星3nm,搞出全球首颗GAA芯片
...块芯片最大的亮点——GAA工艺(Gate-All-Around,全环绕栅极晶体管)。要在指甲盖大小的芯片里塞下数百亿个晶体管,听上去就如同天方夜谭,但工程师们总能想出新办法。其中一种思路就是将晶体管像积木一样堆叠起来,那么就...……更多
三星正在为Galaxy s26系列开发2nm芯片
...神)可能象征着三星处理器性能的新时代。2nm工艺有望在晶体管密度上取得重大进展,与当前一代芯片相比,可能会提高效率和性能。Exynos2600将与苹果的A系列、M系列、AI芯片展开竞争。三星电子Exynos2600将成为GalaxyS26系列在全球...……更多
多次变革誓要拿下!三星HBM3E内存终获NVIDIA通过
快科技7月19日消息,据媒体报道,三星电子的HBM3E内存终于成功通过NVIDIA的认证测试,预计从下个季度开始向NVIDIA供货。此前,三星电子为了集中力量发展HBM技术,已对其半导体业务线进行了多次调整,包括成立专门的HBM小组和...……更多
移动影像技术的新趋势:三星、索尼和豪威的创新之路
...,同时更准确的还原了物体本身的颜色。索尼ExmorT:双层晶体管像素结构(DLT)索尼开发了创新性的双层晶体管像素结构,将光电二极管和像素晶体管分离到不同的基片层上进行堆栈。这种结构使得饱和信号量大幅提升,扩大了...……更多
OpenAI加速造芯:奥特曼赴韩与三星SK谈合作,此前已会见英特尔、台积电|最前线
...大芯片的美国初创公司Cerebras,Cerebras 的第二代AI芯片WSE-2晶体管数量达到2.6万亿个,AI内核数量也达到了85万个,多项指标打破世界纪录。△图源:Cerebras官网 另一家是Rain Neuromorphics,这是一家设计模仿大脑工作方式的芯片初创...……更多
英特尔重塑代工业务:按期推进4年5个节点计划、公布Intel 14A路线图、2030要成第二大代工厂
... PowerVia 背面供电技术的芯片,通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极(GAA)晶体管的节点,在缩小面积的情况下,提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
三星Exynos 2500芯片再次被确认
...星Exynos2500芯片会采用新的“闸门全包”(Gate-All-Around)晶体管结构,相较于台积电采用的FinFET结构3nm制程工艺,可以实现更高的整合度和更低的功耗。 只不过并不会过多地使用Cortex-X5架构,而是1+3+2+4设计,据说是为了让功耗...……更多
天玑9400确认支持业界最快10.7Gbps LPDDR5X内存,带来满血性能
在2024年7月16日,三星电子官方宣布,已成功在联发科技的下一代天玑旗舰移动平台完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM验证。这一里程碑式的成就,意味着年底发布的联发科天玑9400旗舰芯片不仅成为支持业界最快手机...……更多
三星在最新的储存技术日活动中向公众展示了多项新产品,其中包括一款名为“Shinebolt”的下一代HBM3EDRAM,这款产品可以满足下一代AI数据中心应用的需求。三星表示,“Shinebolt”HBM3EDRAM每个引脚速度可达9.8Gbps,其传输速率可...……更多
三星电子重申 SF1.4 工艺有望2027年量产,将进军共封装光学领域
... 2024 下半年量产第二代 3nm 工艺 SF3。而在更传统的 FinFET 晶体管部分,三星电子计划于 2025 年推出 SF4U 制程。这一节点将通过光学收缩进一步提升在 PPA 指标方面的竞争力。三星电子 Foundry 业务部负责人崔时荣还表示:我们还计...……更多
清华大学集成电路学院院长吴华强教授:Chiplet是战略赛道
...在算力上实现巨大的代际飞跃基于台积电的N4P制程工艺,晶体管数量达到了2080亿个,配备192GB HBM3e内存。 AI时代Chiplet市场规模正在加速扩张。全球已经安装了价值约1万亿美元的数据中心,而这个上万亿美元的数据中心市场正在...……更多
台积电再受打击,苹果M2 Pro并未用上3纳米,先进工艺问题重重
...艺量产后仍然面临问题。据悉苹果新推出的M2 Pro处理器的晶体管数量较M1 Pro增加了20%,在性能方面将进一步提升,但是这种提升主要还是依靠芯片核心架构升级取得的,两款处理器都采用了台积电的5纳米工艺。台积电的3纳米工...……更多
三星cmm-d内存模块受测
10月21日消息,据三星半导体韩国当地时间本月17日技术博客,三星电子同联想一道完成了业界首个128GBCMM-DCXL内存模块联合验证。此次受测CMM-D模块搭载三星电子12nm级32GbDDR5DRAM颗粒与澜起科技的新一代CXL控制器,相较以往产品带...……更多
抢光刻机、截客户,三大芯片巨头缠斗2nm丨知料
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA(Gate All Around,全环栅型晶体管技术)是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管,可以拆解为三个模块:源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极,构成一个完整回路。栅极...……更多
三星3纳米芯片生产良品率达80%
...的营销工具。通常,较低的工艺制程数意味着使用较小的晶体管,从而导致较高的晶体管数量。这很重要,因为晶体管数量越多,芯片的功能和能效就越高。虽然台积电和三星今年都在量产3nm芯片,但只有三星在使用环栅(GAA)晶...……更多
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新加坡警方称已破获向DeepSeek走私英伟达GPU的主要团伙:并逮捕9人
2月27日,据广播公司亚洲新闻频道(Channel News Asia)报道,新加坡警方和海关当局在26日已指控三名男子涉嫌绕过美国贸易出口限制
2025-03-02 16:39:00
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快科技3月2日消息,小米15 Ultra发布之后,另外三大Ultra旗舰——OPPO Find X8 Ultra、vivo X200 Ultra
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河北新闻网讯(京敖轩)2月21日,2025年日本国际智慧能源周落下帷幕。晶澳科技携DeepBlue系列旗舰产品及两大场景化解决方案登场
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