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...费电子设备更容易获得先进的AI功能。不同于处理器中的晶体管，塞姆龙的芯片使用电场而不是电流。这些由传统半导体材料制成的忆容器可存储能量并控制电场，不仅提高了能源效率，还降低了制造成本，使消费电子产品更容...……更多
2024-02-04 07:45:00电场,晶体管,晶体,电流,容器,芯片
...备“忆容器”为其3D芯片供电。据悉，不同于处理器中的晶体管，塞姆龙的芯片使用电场而不是电流。这些由传统半导体材料制成的忆容器可存储能量并控制电场。点评：该技术提高了能源效率，降低了制造成本，使消费电子产...……更多
2024-02-05 14:58:00人脑,功能性,苹果,功能,月球,库克
...的研究中，萨拉赫丁及其同事展示了利用负电容材料生产晶体管的方法，这种晶体管的工作电压大大低于传统的 MOSFET 晶体管。在这里，他们利用负电容生产出了能够存储更多电荷的电容器，因此也存储了更多能量。
这些薄膜...……更多
2024-05-21 10:33:00伯克,伯克利,电容器,电容,密度,功率
...这里先简单介绍一下DRAM的基本结构。DRAM单元电路由一个晶体管和一个电容器组成，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM由被称为“位线(BL)”的导电材料组成，位线提供注入晶体管...……更多
2024-06-29 10:05:00大厂,招数,内存,制造,技术,封装
...要了解普通芯片的基本结构。普通芯片由数以亿计的微小晶体管组成，每个晶体管都可以控制和传输电流。这些晶体管互相连接形成一个庞大的网络，使得芯片能够进行复杂的信息处理和存储。当电流通过晶体管时，它将被传输...……更多
2024-01-30 11:13:00芯片,背后,秘密,芯片,晶圆,晶体管
...20-200nm 级别，未来有望用于创建基于纳米天线的光学纳米晶体管、存储器和可编程逻辑器件等。据了解，作为一种强大的工具，电场一直被纳米芯片所用，并促进了光电纳米探测器件的发展。尽管通过外部电路针对微纳结构施加...……更多
2024-02-19 10:06:00纳米,晶体管,晶体,天线,光学,科学家
本文转自：科技日报固态热晶体管超高速精确控制热量开辟计算机芯片热管理新领域固态热晶体管通过电场控制热运动。图片来源：胡永杰实验室/加州大学洛杉矶分校科技日报讯 （记者张梦然）美国加州大学洛杉矶分校研究人...……更多
2023-11-06 03:06:00固态热晶体管超高速精确控制热量
...电压或电流控制另一个端口电压或电流的半导体器件——晶体管。将晶体管与电阻、电容以及其他无源器件的元件相互连接，就形成了一个集成电路。而芯片的本质是在半导体衬底上（也称作“晶圆”）制作能实现一系列特定功...……更多
2023-11-23 11:58:00半导体,下一代,芯片,必然,方向,材料
...上，IBM研究人员展示了首款专为液氮冷却优化的先进CMOS晶体管。据IT之家了解，液氮沸点极低，只有-196°C，是目前主流电子器件无法承受的超低温。然而，在如此严寒的环境下，晶体管的电阻和漏电电流都会大幅降低，从而提...……更多
2023-12-25 12:12:00晶体管,晶体,先进,晶体管,晶体,液氮
...片的所有关键指标中，没有一项是3nm。我们知道芯片是由晶体管组成，晶体管越多，芯片性能越强，因为一个晶体管就是一路电流，代表一个0与1的开关换算。而一个晶体管里面又含有三个部分，分别是源极（Source，电流入口）...……更多
2023-02-04 15:59:00摩尔,栅极,发展,定律,更快,工艺
...01）作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年，在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念？英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100，在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管；英特尔即将推出的数据中心...……更多
2022-12-17 01:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...上制造了数千或数百万个微型电阻器，电容器，二极管和晶体管。IC可以用作放大器、振荡器、定时器、计数器、逻辑门、计算机存储器、微控制器或微处理器。什么是集成电路？IC是所有现代电子设备的基本组成部分。顾名思...……更多
2023-01-18 17:17:00电路,微电子,集成电路,芯片,电平,电路
...。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2n...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
...周知，信息在电脑中是以0/1的形式存储和处理的。0/1对应晶体管微电子开关在施加电压时快速的开/关。这个过程会产生电阻，从而产生热量。鉴于芯片中动辄有数十亿个晶体管，所以一台电脑工作时散发的热量相当可观。在历...……更多
2024-04-16 14:32:00能耗,电脑,能耗,电脑,量子,晶体管
...，以及硅晶体二极管的优异表现，坚定了默文・凯利发展晶体管技术的决心。他暗下决定，要带领贝尔实验室，allin半导体。1945年7月，二战临近结束。为了适应战后研究方向的调整，贝尔实验室进行了各个研究部门的改组。当...……更多
2023-02-02 15:38:00晶体管,晶体,肖克利,肖克,晶体,贝尔实验室
...的营销工具。通常，较低的工艺制程数意味着使用较小的晶体管，从而导致较高的晶体管数量。这很重要，因为晶体管数量越多，芯片的功能和能效就越高。虽然台积电和三星今年都在量产3nm芯片，但只有三星在使用环栅(GAA)晶...……更多
2023-01-22 16:35:00良品率,三星,纳米,芯片,生产,三星
...仅体现在工艺节点的推进，更在于其对多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构的深度优化。这种架构通过采用先进的外延技术和集成方案，相较于传统的FinFET结构，实现了11%至46%的晶体管性能跃升，同时降低了26%的性能波动和大约50%...……更多
2024-06-17 23:15:00三星,芯片,三星,技术,晶体管,节点
...10%到20%之间，相差巨大。其主要原因是三星的3nm环栅(GAA)晶体管工艺与台积电的FinFET工艺在结构上存在重大差异，三星本身采用的环栅(GAA)晶体管，可以更好地控制晶体管的电流。这是因为GAA晶体管具有垂直堆叠的nm片以覆盖通道...……更多
2023-01-22 16:48:00制程,工艺,工艺,良品率,三星,晶体管
...在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星
...和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果日前分别在线发表于《应用物理通信》《IEEE电子设备通信》上。作为新一代功率半导体材料，氧化镓的p型掺杂目前尚未解决，氧化镓场效应晶体管...……更多
2023-02-27 01:15:00晶体管,晶体,氧化,科研,结构,人员
...代工费用报价，要比台积电7nm工艺便宜四成。虽然前者的晶体管密度不及台积电7nm工艺，但由于功耗设计优秀，在实际应用中并没有逊色于后者。除了代工价格一路水涨船高外，台积电的产能分配问题也一直被业界所诟病。此前...……更多
2024-06-25 09:23:00三星,自己人,三星,芯片,高通,架构
...片都不相同，它需要在每平方毫米的面积上，植入3亿颗晶体管，相当于在一个指甲盖那么大的面积里，塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度，需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
...子学和生物学整合的新方式——直接响应环境的混合生物晶体管问世科技日报北京11月29日电 （记者张梦然）你的手机微处理器芯片中，其实装有超过150亿个微型晶体管。晶体管由硅、金和铜等金属以及绝缘体制成，它们共同吸...……更多
2023-11-30 03:46:00晶体管,晶体,混合,生物,环境,晶体管
...程工艺，与前几代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶体管架构，能极大改善芯片的功率以及效率。与之前的5nm相比，新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同时减少16%的面积。三星还宣称，第二代的3nmGAA...……更多
2023-03-16 10:46:00三代,三星,芯片,工艺,三星,工艺
...，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel对GateAllAround晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。...……更多
2023-02-24 22:00:00喜讯,王者,工艺,工艺,晶体管,埃米
...，同时更准确的还原了物体本身的颜色。索尼ExmorT：双层晶体管像素结构（DLT）索尼开发了创新性的双层晶体管像素结构，将光电二极管和像素晶体管分离到不同的基片层上进行堆栈。这种结构使得饱和信号量大幅提升，扩大了...……更多
2024-04-10 17:03:00豪威,索尼,之路,三星,影像,趋势
...5年赶超台积电（TSMC）的关键。其中RibbonFET是对GateAllAround晶体管的实现，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。Power...……更多
2023-03-15 20:58:00英特,英特尔,制程,工艺,测试,英特
...制程有什么优势呢？可以在同一面积的硅片上集成更多的晶体管和其他电子元件，从而实现更复杂的功能和更高的计算能力。更小的晶体管尺寸意味着更快的开关速度，因此可以提高芯片的运算速度和整体性能。另外，缩小晶体...……更多
2024-02-08 21:44:00前瞻,手机,技术,指纹,豪威,超声
...。除了工艺节点的推进外，三星还对其多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构进行了深度优化。这种新型晶体管通过采用先进的外延技术和集成方案，在性能方面取得了11%至46%的飞跃，并降低了约50%的漏电流。与此同时，三星与Ar...……更多
2024-06-13 17:59:00三星,纳米,工艺,电商,三星,分隔符
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
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