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...用的第三代GAA特性。据报道，三星的2nm芯片将采用这种全栅极技术，因为该公司的代工部门计划在2025年开始大规模生产2nm芯片。三星尚未在其3nmGAA节点上获利，这主要归功于其产量低，导致与其他公司的合作不可行。根据最新...……更多
2024-05-02 02:11:00栅极,三星,芯片,技术,三星,纳米
...，这已是FinFET技术的极限，更先进的工艺就需要引入环绕栅极极技术才能有效提升性能，三星则优先在3纳米工艺上引入了环绕栅极技术，然而三星采用环绕栅极技术的3纳米同样面临质疑。台积电保守地采用FinFET技术，在于这项...……更多
2023-01-19 08:00:00纳米,苹果,先进,工艺,问题,纳米
...科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极，可以简单想象成晶体管与晶体管之间的一个门、一块隔板，起到了把控电离子流向的...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...是源极（Source，电流入口）、漏极（Drain-电流的出口）、栅极（Gate-开关）。电流从源极流向漏极，中间要经过栅极，栅极相当于一道门，所以栅极的开关门速度，就代表了这个晶体管的性能，开关门的速度越快，计算就越快，...……更多
2023-02-04 15:59:00摩尔,栅极,发展,定律,更快,工艺
...指出，目前全球还没有商业化的先例。三星也宣扬全环绕栅极晶体管（GAA）的架构，随着芯片变得越来越精细，甚至突破物理极限，GAA视为继续为AI制造更强大芯片的重要因素。台积电等竞争对手也在开发GAA芯片，但三星起步更...……更多
2024-06-13 18:48:00制程,三星,路线图,研发生产,纳米,芯片
...了其2纳米和4纳米工艺的先进变体，并强调了称为全方位栅极（GAA）的先进晶体管设计对芯片行业未来的重要性。三星最新活动的核心是该公司的两种新的半导体制造工艺。这些是三星SF2Z和三星SF4U工艺。其中，SF2Z是前沿节点，...……更多
2024-06-20 13:13:00三星,芯片,解决方案,方案,这是,制造
...程技术是其最新的芯片制造技术，该技术使用更宽的环绕栅极架构，可以更好地控制电流，并带来更快的速度和更低的功耗。然而，据报道，三星在生产3纳米GAA晶圆时遇到了困难，良率并不理想。这意味着生产成本高昂，而且...……更多
2023-12-04 10:14:00高通,滑铁卢,三星,代工,芯片,制造
...经和高通深化合作关系，高通会使用三星代工厂最新的全栅极（GAA）工艺技术，优化和开发下一代ARMCortex-XCPU。高通公司有可能正在评估2纳米SF2GAAFET工艺，以用于遥远的骁龙8Gen5芯片组，而三星LSI则可能正在开发2纳米\"Exynos2600\"...……更多
2024-02-24 11:28:00高通,三星,原型,部门,正在,生产
...耗芯片。他们将通过和人工智能芯片适配度最高的环绕式栅极工艺、光学元件等技术适应这一需求。为此，三星电子将于2025年在4纳米工艺中采用“光学收缩”技术（制程节点SF4U）进行量产，可使芯片体积变得更小。 ……更多
2024-06-17 02:37:00三星电子,三星,路线图,人工智能,半导体,人工
...越严重。新材料有很多方向，如：高k材料：高k材料用于栅极绝缘层，可以减少电容耦合，提高晶体管的性能。金属栅极：金属栅极取代了传统的多晶硅栅极，以减少栅极电阻，提高驱动电流。新型沟道材料：除了硅之外，还可...……更多
2024-08-07 09:43:00摩尔,定律,纳米,进化,芯片,物理
...栅(GAA)晶体管。这些晶体管使用垂直放置的纳米片，允许栅极覆盖电流流动的通道的所有四个侧面，从而减少泄漏并提高芯片的性能和能效。台积电继续使用采用水平放置鳍片的FinFET晶体管。与GAA不同，FinFET仅覆盖通道的三个侧...……更多
2023-01-22 16:35:00良品率,三星,纳米,芯片,生产,三星
...是这块芯片最大的亮点——GAA工艺（Gate-All-Around，全环绕栅极晶体管）。要在指甲盖大小的芯片里塞下数百亿个晶体管，听上去就如同天方夜谭，但工程师们总能想出新办法。其中一种思路就是将晶体管像积木一样堆叠起来，那...……更多
2024-07-13 09:52:00三星,芯片,全球,三星,工艺,芯片
...（栅长）就是芯片的纳米单位。纳米原本是指芯片晶体管栅极长度的大小。随着技术的成熟，晶体管尺寸的减小，性能随之提高、功耗降低以及发热量的降低。简言之，较小的晶体管比较大的晶体管更好，并且制造商之间的工艺...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
...动3nm工艺的量产，并在2022年宣布业内率先量产3nm全环绕栅极晶体管工艺，但其第一代3nm工艺(SF3E)在良率和效率方面的表现一直未达预期。三星System LSI Division部门开发的Exynos 2500芯片，采用内部3nm工艺，其良品率同样令人失望。...……更多
2024-06-19 09:16:00高通,三星,订单,工艺,三星电子,三星
...面积。看数据显示的话，高通会使用三星代工厂最新的全栅极（GAA）工艺技术，优化和开发下一代ARMCortex-XCPU。
而且高通公司有可能正在评估2纳米SF2GAAFET工艺，以用于遥远的骁龙8Gen5芯片组，而三星LSI则可能正在开发2纳米\"Exyno...……更多
2024-02-25 23:05:00三星,处理器,工艺,处理,工艺,三星
...不正常。这里需要说下什么是GAA架构。GAA，全称“全环绕栅极架构”。栅极在芯片中起到控制电流流动的作用，在早期的平面架构上，通过控制施加在栅极上的电压，即可控制源极与漏极之间的电流。但在这一过程中，电流会不...……更多
2024-06-25 09:23:00三星,自己人,三星,芯片,高通,架构
...仍未在全球范围内实施。虽然目前半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为技术节点进行系统命名，但毫无疑问目前的工艺技术也是数字越小越先进。随着半导体工艺微缩路线不断地向前发展，集成电路内电路与电路间...……更多
2023-11-01 13:46:00三星,纳米,数量,工艺,纳米,工艺
...竞争对手三星和台积电。三星计划首先在3nm工艺中采用全栅极（GAA），然后再转向2nm工艺。台积电和英特尔正在为其3纳米芯片选择FinFET结构。 ……更多
2024-02-28 06:23:00英特,英特尔,节点,推广,工艺,英特
...步，并可能彻底改变移动处理能力的未来。超越3nm壁垒:栅极全能晶体管和人工智能新处理器标志着三星的双重突破。首先，这是他们首款采用尖端3nm工艺技术打造的移动系统芯片(SoC)。该技术采用栅极全能场效应晶体管(GAAFET)，...……更多
2024-05-27 12:56:00三星,芯片,正在,开发,三星,芯片
...关闭（断开），以保持或停止电流在器件内的流动。这种栅极状态由施加在被称为“字线(WL)”的接触导电结构上的电压偏置来定义，如果晶体管导通，电流将流过晶体管到达电容器，并存储在电容器中。电容器需要有较高的深...……更多
2024-06-29 10:05:00大厂,招数,内存,制造,技术,封装
三星Elecoics最近宣布，他们已经成功实现了一项重要的里程碑，将致力于进一步提升其工艺节点。这个节点是指芯片制造过程中所使用的最小尺寸，可以决定芯片性能和功耗。三星表示，他们已经成功将其工艺节点减小到了惊人...……更多
2024-06-13 17:58:00三星,功耗,节点,纳米,芯片,性能
...m制程。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
...拥有先进工艺的台积电未受影响，而第二大芯片代工企业三星已遭受重大打击，近期传出关闭部分生产线的消息。台积电和三星无疑是第一阵营的芯片代工厂，不过双方的技术差距，从5纳米以后其实就已经拉开差距了，三星的5...……更多
2024-11-06 09:50:00太强,芯片,三星,中国,被迫,影响
...晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已准备就绪，客户现在就可以使用英特尔 EDA（设计软件）...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
曾经三星在芯片代工市场与台积电并列为芯片代工双雄，不过如今的三星芯片已陷入窘境，计划缩减芯片代工生产线三成产能，裁减数万员工，主要是因为它跟随美国，失去了中国市场，如此结果将不仅影响三星，还可能给韩...……更多
2024-11-09 13:36:00芯片,中美,输家,三星,美国,中国
...及实验演示和建模”。在摘要部分中写到，在金属带工程栅极中间层（BE-G.IL）、铁电（FE）开关、沟道中间层（Ch.IL）和硅（MIFIS）FeFET架构中，使用FE开关相互作用，来显著提高性能，表明hafniaFE成为扩展3DVNAND技术发展的关键推...……更多
2024-05-12 01:32:00三星,芯片,铁电,三星,中间层,关键
...了在 3nm 成功应用 GAAFET 技术。GAAFET 的正式名称是全环绕栅极晶体管（Gate-All-Around FET），架构上最明显的变化在单位面积内的利用效率。晶体管架构变迁，图/三星众所周知，计算性能最底层其实就是晶体管的「一开一关」，代...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
三星的晶圆代工业务规划显示，他们打算在2025年前后将自家的2纳米制程技术（代号SF2）推进到大规模生产阶段。这一前沿技术预计会被嵌入到同年发布的Exynos系列处理器——Exynos2600中，而这款处理器则将服务于GalaxyS26系列智...……更多
2024-05-23 11:53:00三星,代号,芯片,正在,三星,纳米
...出3nm芯片Exynos2500，在3nm制程上，三星率先应用了全环绕栅极工艺（GAA，全称Gate-All-AroundT），打破了FinFET技术的性能限制。具体而言，三星3nmGAA工艺通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流增强芯片性能。与5...……更多
2024-05-23 11:41:00大规,三星,大规模,三星,制程,联发
...芯片给AMD留下深刻印象，这可能会让三星获得AMD基于其3nm栅极全环(GAA)节点的订单。三星在3nm工艺中使用了全栅晶体管，可以间接改善芯片性能。韩国产业经济贸易研究院研究员KimYang-paeng表示：“如果三星此次成功赢得AMD4nm芯片...……更多
2023-11-17 13:47:00新业,三星,新业务,工艺,三星,代工厂
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