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euv也救不了命内存快到头了：明年迎来全新3ddram

如今的内存市场上，不仅面临着价格下滑的压力，同时技术发展也遇到了瓶颈，在20nm节点之后发展速度已经慢下来了，三星在14nm节点就用上了EUV光刻工艺，寻求进一步微缩。然而EUV光刻成本高昂不说，也没法彻底改变内存芯片...……更多

2023-03-16 21:46:00内存,全新,内存,三星,技术,进一

为了强化AI，iPhone拉着三星让内存「独立」

...个相当引人瞩目的消息：三星正在应苹果的要求，试图将内存独立封装于芯片。具体来说，苹果计划从2026年起，在iPhone中放弃当前主流的PoP（PackageonPackage）封装方式——将SoC与LPDDR内存重叠封装在一起，转而将LPDDR内存独立封装...……更多

2024-12-11 20:12:00三星,内存,独立,内存,封装,带宽

三星展望HBM4内存：工艺学习Intel 22nm

除了宣布下一代HBM3E高带宽内存可以做到单颗芯片36GB、等效频率9.8GHz的世界领先，三星还展望了真正全新一代HBM4内存的方向。在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，...……更多

2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星

三星s25ultra将带来五大显著升级

...器、更强大的镜头、更大的屏幕、优化的设计以及更大的内存。如果这些升级成真，这将使三星S25Ultra在性能、影像和用户体验方面全面超越前代产品三星S24Ultra。一、性能提升：配备骁龙8至尊版移动平台每一代三星GalaxyS系列手...……更多

2024-11-21 00:36:00三星,升级,三星,升级,用户,前代

昂贵的复仇：存储的新战争

...业角度看，存储是半导体产业的支柱之一，主要产品包括内存、硬盘、闪存等等。2021年，存储市场规模近1600亿美元，占据整个半导体市场近三分之一。一旦铠侠卖身成功，日本将彻底退出全球存储市场。日本经产省在2018年愿意...……更多

2023-04-19 10:41:00复仇,昂贵,存储,战争,必达,三星

泰盛国际：三星DDR内存有哪些产品系列?

众所周知，三星DDR内存的产品线丰富多样，涵盖了多个产品系列，可以满足不同用户的需求。这些产品系列不仅具备高性能、高可靠性，还注重能效和环保，从而为各类设备提供了卓越的存储解决方案。那么您知道三星DDR内存...……更多

2024-07-19 15:17:00三星,产品系列,内存,国际,产品,三星

多次变革誓要拿下！三星HBM3E内存终获NVIDIA通过

快科技7月19日消息，据媒体报道，三星电子的HBM3E内存终于成功通过NVIDIA的认证测试，预计从下个季度开始向NVIDIA供货。此前，三星电子为了集中力量发展HBM技术，已对其半导体业务线进行了多次调整，包括成立专门的HBM小组和...……更多

2024-07-19 16:21:00三星,变革,内存,三星电子,三星,电子

三星量产全球最薄LPDDR5X内存！可预留更多空间散热

...消息，今天三星发布新闻稿宣布，已启动全球最薄LPDDR5X内存封装的量产。这款新型内存封装厚度为0.65mm，相较于上一代产品厚度降低了约9%，同时耐热性能提升了21.2%。基于12nm级LPDDR DRAM技术，三星的LPDDR5X内存封装采用了4堆栈、...……更多

2024-08-06 16:09:00三星,内存,更多,全球,空间,三星

lpddr6内存标准定稿完成：第三季度正式发布

...准的定稿，并计划在今年第三季度正式发布。目前最新的内存标准为LPDDR5X，其速度最高可达8533Mbps，相比于LPDDR5带宽提升30%，功耗降低20%。不仅如此，不少内存厂商还推出了私有规范的产品，比如海力士和镁光都有高达9.6GBPS的...……更多

2024-03-13 01:15:00定稿,内存,标准,内存,标准,功耗

三星计划推出Mach-1：轻量级AI芯片，搭配LPDDR内存

...h-1属于ASIC设计，被定为为轻量级人工智能芯片，搭配LPDDR内存产品。其拥有一项突破性的功能，与现有的设计相比，能显著降低了推理应用的内存带宽需求，仅为原来的八分之一，降低了87.5%。三星认为，这一创新设计将使Mach-1...……更多

2024-03-22 20:32:00轻量,轻量级,三星,芯片,内存,三星

国产芯片被三星采用，新CXL 2.0内存使用国产主控

...者：孟令曦三星公司今天宣布开发出首款支持CXL 2.0的128GB内存，这是继2022年5月份首发CXL 1.1内存之后的一个重要突破。CXL 2.0内存支持PCIe 5.0接口，带宽达到了35GB/s，容量为128GB。三星计划在今年晚些时候正式量产CXL 2.0内存。[#zols...……更多

2023-05-12 16:00:00国产,主控,三星,芯片,内存,电商

光威龙武ddr5680016gx2内存条性价比无敌

...双12，迎来了今年最后一波装机潮。作为装机必备配件的内存条，DDR4市场反响一般，而DDR5却火热了起来，引得各厂商纷纷发力。光威作为嘉合劲威旗下的国产内存品牌，顺势推出了龙武系列DDR5680016GX2内存条，并在内存市场玩起...……更多

2023-12-11 14:34:00光威,龙武,内存条,性价比,内存,内存条

原地踏步！三星S25系列部分参数被确认，或是权衡成本的选择？

...料的决定，导致引起了巨大的争议。其中包括手机的运行内存以及续航和快充能力进行原地踏步，在如今这个竞争激烈的市场中来说，吸引力确实稍显不足。那么接下来让我们长话短说，赶紧一起来看看三星手机为何会有如此决...……更多

2024-05-03 14:18:00三星,原地,成本,参数,部分,选择

三星推出新型存储器LLW DRAM，为人工智能市场注入新动力

随着人工智能技术的飞速发展，市场对于内存性能的需求也在不断提升。为了满足这一需求，三星电子正在积极研发并推出一种基于特定应用要求的新型存储组合产品——LLWDRAM。这种内存技术融合了高带宽、低延迟和低功耗的...……更多

2024-01-15 22:19:00新动力,三星,人工智能,存储器,人工,存储

英伟达赚疯背后，三家存储芯片公司的一场「All in」丨焦点

...建勋AI热潮之下，除了英伟达一骑绝尘，一众HBM（高带宽内存）公司的争夺也热火朝天。2月26日，美光宣布最新的HBM3E由于功耗比同行低30%，将用在英伟达H200上；同一天，SK海力士也搬出新进展——2024年仅过不到2月，SK海力士全...……更多

2024-03-07 09:13:00三家,英伟,芯片,背后,存储,焦点

内存制造技术再创新，大厂新招数呼之欲出

...半导体产业纵横在高性能计算系统，特别是AI服务器中，内存（DRAM）的容量和带宽指标越来越重要，因为处理器需要处理巨量数据，传统DRAM已经无法满足需求。目前，HBM是当红炸子鸡。相对于传统DRAM，HBM的制造要复杂很多，它...……更多

2024-06-29 10:05:00大厂,招数,内存,制造,技术,封装

三星发力新一代内存技术CXL 近期申请多个相关商标

三星发力新一代内存技术CXL 近期申请多个相关商标【三星发力新一代内存技术CXL 近期申请多个相关商标】《科创板日报》20日讯，近期，三星申请了多个CXL产品相关商标，引起各界关注。据《韩国先驱报》援引业内人士消息称...……更多

2023-12-20 09:14:00三星,新一代,多个,内存,商标,技术

三星电子宣布成功构建其首个红帽认证的CXL基础设施

...们将继续在软件和硬件领域开展合作，始终站在开发创新内存解决方案和CXL生态系统的前沿。\"红帽韩国总经理Kyeong Sang Kim表示：\"三星硬件针对红帽软件进行了优化，这彰显了开源技术的价值，也体现了其对于扩展CMM-D等下一代...……更多

2024-06-25 10:37:00三星电子,三星,红帽,基础设施,设施,认证

英伟达加速认证三星HBM内存芯片：掀起GPU技术革命浪潮

...受媒体采访时透露，公司正在加速对三星电子的人工智能内存芯片——HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）进行认证。这一消息引发了业界广泛关注。此前，早在10月下旬，三星电子已对外释放信号，称其HBM芯片在英伟达的质量...……更多

2024-11-24 14:28:00英伟,三星,浪潮,芯片,革命,内存

消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商

...道称，三星电子和 SK 海力士的“类 HBM 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类 HBM 内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记...……更多

2024-09-04 09:51:00三星电子,三星,力士,内存,消息,移动

三星电子完成16层堆叠hbm3内存验证

...子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示，三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存，该内存样品工作正常，未来16层堆叠混合键合技术将用于HBM4内存量产。▲图源TheElec...……更多

2024-04-08 12:02:00三星电子,三星,验证,内存,电子,三星电子

三星Tab S9+跑分曝光搭载第二代骁龙8配12GB内存

...，三星Tab S9+将搭载第二代骁龙8芯片，同时拥有12GB的运行内存以及256GB的存储。其单核心成绩为1974分，多核心成绩为5194分，表现符合预期。根据此前公布的渲染图来看，三星Tab S9+是一款小幅度迭代产品，它配备一块12.4英寸屏幕...……更多

2023-04-22 13:00:00二代,三星,内存,三星,产品,平板

三星 9.8Gbps 速率 HBM3E 内存已出样

...消息，据三星官方博客消息，面向高性能计算（HPC）的HBM内存迎来新进展，将开发9.8Gbps的HBM3E产品，已开始向客户提供样品。此外，HBM4内存以2025年为目标正在开发中，为了适用于该产品，正在准备针对高温热特性优化的NCF组装...……更多

2023-10-12 20:22:00三星,速率,内存,三星,封装,技术

三星正研发一种新型内存，名为 LLW DRAM

1月10日消息，三星近日透露正积极研发一种新型内存，名为LLWDRAM，意为低延迟宽I/O(LowLatencyWideI/O)DRAM。据称，这种内存将带来超高带宽、低延迟和超低功耗的完美结合。三星表示，LLWDRAM特别适用于需要在设备上运行大型语言模...……更多

2024-01-11 12:51:00三星,内存,三星,功耗,内存,延迟

三星将展示gddr7技术

...比NRZ实现了更高的周期数据传输速率，同时降低了对更高内存总线频率的需求，从而带来比GDDR6更高的性能，以及比GDDR6X更低的功耗和成本。此外，GDDR7还将对内存效率和功耗进行优化，包括四种不同的时钟读取模式，从而使其...……更多

2024-01-29 11:47:00三星,技术,三星,功耗,技术,内存

三星计划2025年后在业界率先进入3ddram时代

...业会议Memcon2024上表示计划于2025年后在业界率先进入3DDRAM内存时代。DRAM内存行业将于本十年后期将线宽压缩至10nm以下。而在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此正在探索包括3DDRAM在内的多种创新型内存...……更多

2024-04-02 02:48:00三星,业界,时代,内存,晶体管,三星

sk海力士展示gddr7显存技术

...硅通孔面积优化。最后SK海力士还为移动设备带来了LPDDR5T内存，频率高达10533MHz，内存电压1.05V，如此高的数据速度得益于独家的寄生电容降低技术和电压偏移校准接收器技术，新的高频LPDDR5T内存能为智能手机、平板电脑和轻薄...……更多

2024-01-30 20:39:00力士,显存,技术,三星,力士,芯片

三星正积极推进第五代HBM3e内存技术

三星电子正在积极推进第五代HBM3e内存技术的研发和测试工作。HBM（HighBandwidthMemory）是一种特殊类型的内存技术，它通过垂直堆叠多个DRAM芯片，以实现更高的数据处理速度和更大的容量。目前，HBM技术已经在高性能计算、服务...……更多

2023-10-22 21:51:00三星,内存,技术,速度,内存,传输

三星galaxys25系列或将采用骁龙处理器

...消息源i冰宇宙的最新爆料显示，全新的三星GalaxyS25将8GB内存起步。参考来看，此前的GalaxyS21系列、GalaxyS22系列、GalaxyS23系列，以及今年上市的GalaxyS24系列，起始内存就是8GB。但在更早之前的GalaxyS20系列中，三星却提供了12GB的起...……更多

2024-04-19 10:32:00三星,处理器,处理,三星,设计,爆料