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在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番，这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而，随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限，摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦，因为他们需要制造更小、更强大...……更多
2024-01-17 10:42:00二维,三维,晶体管,晶体,效应,摩尔
...们得到了高迁移率、高开态电流和开关比、低回滞的 p 型晶体管，推动了二维半导体电子器件的应用发展。这种不破坏沟道材料的简单掺杂方法，通过范德瓦尔斯界面耦合的方式，来调控二维半导体沟道的载流子极性。利用这一...……更多
2024-05-31 14:21:00二维,范式,维度,晶体管,量子,攻关
...ley）说起。这位科学家在贝尔实验室与其他人共同发明了晶体管，并获得诺贝尔物理学奖。威廉·肖克利，图片来源：维基百科为了赚更多钱，肖克利在1955年创办了自己的实验室——肖克利半导体实验室。实验室坐落于美国加州...……更多
2023-04-23 09:49:00一句话,年前,手机,摩尔,晶体管,晶体
...01）作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年，在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念？英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100，在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管；英特尔即将推出的数据中心...……更多
2022-12-17 01:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...工业硅片上长出“完美”二维超薄材料可用于制造下一代晶体管和电子薄膜科技日报北京1月18日电 （实习记者张佳欣）据发表在最新一期《自然》杂志上的论文，美国麻省理工学院工程师开发出一种“非外延单晶生长”方法，...……更多
2023-01-19 04:06:00二维,长出,硅片,超薄,材料,工业
...多功能石墨烯纳米电子的传感器，由于集成了单层石墨烯晶体管，因此可以跟踪心脏微组织的激发-收缩过程。图 | 高洪岩（来源：高洪岩）在这款设备之中，石墨烯充当着晶体管的作用，即利用石墨烯的场效应和压阻效应，可...……更多
2024-04-13 11:25:00麻省,网格,心脏,团队,生物,工具
...晶体学质量。基于单层二硫化钼8英寸晶圆制备的场效应晶体管平均电子迁移率超过50cm2/V·s，开关比超过107，展示出优异的电学质量。此外，研究团队成功实现了基于单层二硫化钼8英寸晶圆的逻辑电路和11阶环形振荡器的批量制...……更多
2024-05-17 07:10:00晶圆,二硫化钼,单层,外延,研究人员,突破
...些突破旨在推进摩尔定律，并展现出该公司在全环绕栅极晶体管领域的领先地位。首先，Intel展示了一种称为3D堆叠CMOS晶体管的新型技术。这种晶体管结合了垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)和直接背面触点(direct backside contact)，并...……更多
2023-12-11 16:02:00氮化镓,晶体管,晶体,全新,晶体管,晶体
...电压或电流控制另一个端口电压或电流的半导体器件——晶体管。将晶体管与电阻、电容以及其他无源器件的元件相互连接，就形成了一个集成电路。而芯片的本质是在半导体衬底上（也称作“晶圆”）制作能实现一系列特定功...……更多
2023-11-23 11:58:00半导体,下一代,芯片,必然,方向,材料
...周知，信息在电脑中是以0/1的形式存储和处理的。0/1对应晶体管微电子开关在施加电压时快速的开/关。这个过程会产生电阻，从而产生热量。鉴于芯片中动辄有数十亿个晶体管，所以一台电脑工作时散发的热量相当可观。在历...……更多
2024-04-16 14:32:00能耗,电脑,能耗,电脑,量子,晶体管
...推进摩尔定律，在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。12月9日，英特尔在IEDM 2023（2023 IEEE 国际电子器件会议）上展示了使...……更多
2023-12-11 09:31:00英特,摩尔,英特尔,定律,瓶颈,供电
...片的所有关键指标中，没有一项是3nm。我们知道芯片是由晶体管组成，晶体管越多，芯片性能越强，因为一个晶体管就是一路电流，代表一个0与1的开关换算。而一个晶体管里面又含有三个部分，分别是源极（Source，电流入口）...……更多
2023-02-04 15:59:00摩尔,栅极,发展,定律,更快,工艺
本文转自：科技日报芯片上“长”出原子级薄晶体管可大幅提高集成电路密度科技日报北京5月3日电 （记者张佳欣）美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维（2D...……更多
2023-05-04 02:05:00晶体管,晶体,原子,芯片,材料,芯片
...戈登·摩尔提出，其核心内容为：集成电路上可以容纳的晶体管数目在每经过18-24个月便会增加一倍，即处理器的性能大约每两年翻一倍，同时价格下降为之前的一半。基辛格在演讲中表示，现在的发展速度实际上已经落后于摩...……更多
2023-12-25 11:17:00基辛格,摩尔,基辛,定律,节奏,摩尔
...创始人之一的戈登·摩尔是摩尔定律的提出者，指出芯片晶体管密度18-24个月翻倍，50多年来Intel也是最坚定的摩尔定律捍卫者，尽管这几年中质疑定律失效的声音也越来越多。摩尔定律需要半导体工艺2年左右就要升级一代，才能...……更多
2023-03-01 20:51:00能效,处理器,目标,处理,摩尔,晶体管
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...令存储在内存中并由处理器计算。几十年来，微芯片上的晶体管数量大约每两年增加一倍，这一现象被称为摩尔定律。这使我们能够拥有更小、更便宜的计算机。然而，晶体管尺寸现在已接近原子尺度。在如此微小的尺寸下，计...……更多
2024-01-02 15:06:00深南,摩尔,人脑,定律,突破,全球
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出，比Intel 7每瓦性能将提高约20%；Intel 3预计将于2023年下半年投产，比Intel 4每瓦性能将提高约18%；Intel ...……更多
2023-11-06 14:43:00晶体管,晶体,半导体,业内,目标,英特
...，以及硅晶体二极管的优异表现，坚定了默文・凯利发展晶体管技术的决心。他暗下决定，要带领贝尔实验室，allin半导体。1945年7月，二战临近结束。为了适应战后研究方向的调整，贝尔实验室进行了各个研究部门的改组。当...……更多
2023-02-02 15:38:00晶体管,晶体,肖克利,肖克,晶体,贝尔实验室
...文转自：科技日报重新定义数据处理的能源效率具有千个晶体管的二维半导体问世【总编辑圈点】科技日报北京11月13日电 （记者张梦然）据最新一期《自然·电子学》报道，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫...……更多
2023-11-14 01:26:00二维,晶体管,晶体,半导体,二硫化钼,晶体管
...的研究中，萨拉赫丁及其同事展示了利用负电容材料生产晶体管的方法，这种晶体管的工作电压大大低于传统的 MOSFET 晶体管。在这里，他们利用负电容生产出了能够存储更多电荷的电容器，因此也存储了更多能量。
这些薄膜...……更多
2024-05-21 10:33:00伯克,伯克利,电容器,电容,密度,功率
...管Milind Shah的最新研究显示，2012年的28nm工艺节点之后，晶体管的平均成本已经不再下降，自然导致芯片的成本和价格居高不下。他指出，28nm及之前，晶体管平均成本在每一代新工艺上都会降低30％，但28nm之后，每一代都基本不...……更多
2024-02-05 11:00:00摩尔,越来,定律,芯片,越来越,秘密
...并演示了所生长的石墨烯纳米带可用于构建高性能场效应晶体管器件。论文共同第一作者为上海交通大学物理与天文学院吕博赛、陈佳俊、娄硕、沈沛约、谢京旭，武汉大学王森和韩国蔚山国立科学技术学院的邱璐和伊扎克-米...……更多
2024-04-06 21:12:00上海交大,石墨,交大,超高,上海,纳米
...集成电路。受访者供图“将这些二维晶体用作集成电路中晶体管的材料时，可显著提高芯片集成度。在指甲盖大小的芯片上，晶体管密度可得到大幅提升，从而实现更强大的计算能力。”刘开辉说，此外，这类晶体还可用于红外...……更多
2024-07-07 15:58:00突破性,科学家,成果,突破,我国,科学
...之一戈登·摩尔提出，即每隔约两年，集成电路可容纳的晶体管数目便增加一倍。但是随着晶体管尺寸逐渐接近物理极限，近十年内摩尔定律已放缓甚至面临失效。此次清华大学研发的光电模拟芯片，也为摆脱摩尔定律指明了新...……更多
2023-10-30 20:17:00摩尔,清华大学,清华,定律,光电,芯片
当前，为了解决芯片微缩瓶颈、以及推进晶体管尺度的进一步微缩，必须寻找全新的沟道材料，从而开发新的器件功能和器件架构。2017 年，作为下一代晶体管沟道材料，二维半导体被纳入国际半导体器件与系统路线图（IRDS，In...……更多
2024-04-08 10:17:00亚纳,二硫化钼,单晶,薄膜,科学家,芯片
...接触电阻降低至42欧姆微米，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限。该成果突破了二维半导体应用于高性能集成电路的关键瓶颈之一。1月12日，研究论文发表于《自然》。金属-半导体欧姆接触是实现...……更多
2023-01-16 07:15:00二维,欧姆,半导体,科学家,难题,接触
...进展。通过设计-工艺协同优化（DTCO），开发出空气隔墙晶体管结构，大幅降低寄生电容，在国际上首次实现了GHz频率的二维半导体环形振荡器电路，比原有记录提升200倍，并预测了二维半导体应用于1nm节点集成电路的潜力与技...……更多
2023-11-05 01:06:00二维,集成电路,半导体,电路,团队,国际
...和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果日前分别在线发表于《应用物理通信》《IEEE电子设备通信》上。作为新一代功率半导体材料，氧化镓的p型掺杂目前尚未解决，氧化镓场效应晶体管...……更多
2023-02-27 01:15:00晶体管,晶体,氧化,科研,结构,人员
本文转自：科技日报固态热晶体管超高速精确控制热量开辟计算机芯片热管理新领域固态热晶体管通过电场控制热运动。图片来源：胡永杰实验室/加州大学洛杉矶分校科技日报讯 （记者张梦然）美国加州大学洛杉矶分校研究人...……更多
2023-11-06 03:06:00固态热晶体管超高速精确控制热量
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