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三星电子已将西安工厂的闪存开工率至 70%
3月11日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子已将西安工厂的闪存开工率至70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地,月产能为20万片300mm晶圆,占三星整体NAND产量的40%。目前三星正将西安工厂的工艺升级...……更多
三星西安工厂获美国无限期豁免,已开始大规模扩张
10月16日消息,上周一,三星电子和SK海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免,其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。对于三星来说这无疑是一个好消息,而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。据BusinessKor...……更多
...率已恢复至70% 此前曾降至20~30%】《科创板日报》12日讯,三星电子位于中国西安的NAND闪存厂开工率恢复到了70%左右。西安厂是三星电子唯一的海外存储器生产基地。此前,三星为了应对存储器行业状况恶化,去年下半年将该厂...……更多
韩国芯片代工厂商开工率持续下降
...报道称,韩国多家晶圆代工商的产能利用率急剧下滑,但三星电子除外。今日,韩媒称,对于8英寸晶圆,三星、DBHitek和KeyFoundry的开工率都在60%至70%之间。但对于12英寸晶圆,三星12英寸晶圆厂的开工率仍保持在80%左右。目前,...……更多
批准了!美国同意三星向其中国工厂提供设备【附NAND闪存芯片行业市场分析】
...的记者会上表示,美国政府作出最终决定,将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备,无需其它许可。崔相穆透露,美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业,将自即日起生效。当前全球NAND市...……更多
NAND闪存市场呈现复苏迹象,未来格局或生变
...率,同时抬升价格,继续主导市场。其位于西安的工厂的开工率已从去年下半年最低的20-30%提升至70%左右。作为三星唯一在韩国以外的存储半导体生产基地,西安工厂的月产能达到了20万片300mm晶圆,占据了三星NAND闪存40%的产量...……更多
突发!美国改口:不再限制
...的记者会上表示,美国政府作出最终决定,将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备,无需其它许可。崔相穆透露,美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业,将自即日起生效。对此,三星电...……更多
韩媒:三星电子和sk海力士已实现nand产线满负荷运行
...消息,韩媒ETNews援引业内人士的话称,韩国两大存储巨头三星电子和SK海力士目前的通用DRAM内存产能利用率维持在80~90%水平。韩媒宣称,这一情况同主要企业已实现生产正常化的NAND闪存产业形成鲜明对比:除铠侠外,三星电子...……更多
...搬入仪式在西安高新综合保税区举行。据了解,这是韩国三星电子在西安高新区又一次追加投资。在此之前,三星在西安高新区已投资约280亿美元实施一期项目、二期项目,并且从2017年开始对一期产线进行改造升级,产品从最...……更多
要涨价!三星半导体工厂发生火灾 或影响存储芯片市场
...升15~20%。在经历了长达一年多的供过于求的市场环境后,三星电子的NAND闪存售价一度逼近成本线。因此,公司决定与大客户展开谈判,以期将价格调整至一个更为合理的水平。 ……更多
三星、海力士重回闪存战场,这下硬盘还会更便宜吗?
...前段时间,一则小道消息的传出引起了不少人的关注:“三星、海力士或将获得无限期的半导体设备出口资格”。这则消息传出后,仅过来几天时间,韩国当地媒体就报道相关企业已经获得授权,已被列入清单的设备可以无限制...……更多
三星电子将迎来首次员工罢工,TrendForce 称不会影响内存芯片生产
6 月 3 日消息,三星电子目前正陷入与全国三星电子工会(NSEU)的谈判僵局,该工会代表着超过 2.8 万名三星工人,并计划在 6 月 7 日举行为期一天的罢工。虽然与持续数周或数月的其他公司罢工相比,这看起来似乎影响不大,...……更多
存储告别“白菜价”时代,国产品牌终究没能撼动三星?
...有两条重磅消息,一条是央视新闻报道,10月9日美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备,无须其他许可。第二条消息则少有人关注:最近一个多月,三星电子、SK海力士宣布对DRAM和NAND闪存芯片涨价10%-20%。事...……更多
三星闪存涨价潮来袭!季度涨幅高达20%,一年后或将贵70%
据多位半导体产业人士透露,三星将对其NAND闪存芯片的价格进行大幅调整。从今年第四季度开始,三星计划将闪存芯片的报价提高10-20%。令人惊讶的是,明年第一季度和第二季度,价格还将分别再上涨20%。按照这一涨幅,预...……更多
雅通机电|为半导体企业提供电力保障
...供应,助力“中国芯”崛起。半导体企业停电事件回顾:三星NAND工厂停电30分钟2018年3月9日三星位于平泽的NAND工厂突然遭遇30分钟的意外停电。此次事故中受损的晶圆相当于3月份三星整体NAND闪存产量的11%,或全球NAND闪存供应量...……更多
SK海力士全球首创321层闪存技术,三星计划超越300层
...2025年上半年才会开始量产这种新型的闪存。与此同时,三星在近期的一次公告中披露,他们的第9代V-NAND闪存研发进展顺利。据悉,三星的第9代V-NAND闪存将基于双堆栈架构,可达到业界最高的堆叠层数。原本公司规划的层数约为...……更多
三星宣布投产第九代V-NAND闪存
...进一步增强三星在闪存市场的竞争力,巩固其领导地位。三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示:“我们非常高兴推出业界首款第九代V-NAND产品,它将为未来应用带来显著飞跃。为了满足不断演进的NAND闪存解决...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
10月17日消息,今天,三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示,对于DR...……更多
三星宣布第9代V-NAND QLC启动量产
...步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示:“在距上次TLC版本量产仅四个月后,第9代V-NANDQLC闪存产品成功启动量产,使我们能够提供,能够满足人工智能时...……更多
据11月11日报道,为应对存储产品价格上涨的市场需求,三星电子计划进一步减少其NAND闪存产品的生产。此举预计将在未来一年内导致行业影响不断扩大。三星电子已经从今年9月份开始,将NAND闪存产品产量削减至总产能的50%,...……更多
三星计划明年初量产超过300层的第九代V-NAND闪存
...层结构,层数达到业界最高水平,明年初将开始量产。”三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培(LeeJung-Bae)在博客文章中写道。IT之家注意到,8月份就有消息称,三星正在研发拥有超过300层的第九代V-NAND,将继续采用三星...……更多
三星预计2025-2026年量产第十代v-nand闪存
...数为236层。据介绍,第八代V-NAND可提供1Tb(128GB)的方案,三星电子没有公开IC的大小和实际密度,不过他们称之为业界最高的比特密度。 ……更多
消息称三星电子计划从下月起大幅提高 NAND 闪存价格
据韩媒BusinessKorea近日报道,三星计划自今年四季度起调涨其NANDFlash产品的合约价格,涨幅预计超过10%。此举预计最快将在本月新的合约中采用新价格。三星一直奉行减产战略,以降低供应量并提高产品价格来寻求反转,期望明...……更多
印度芯片梦再迎一员猛将:东京电子宣布将在印培养工程师
...商在印度设立工厂。作为供应链的重要一环,为台积电、三星电子、SK海力士公司和英特尔公司提供设备的东京电子宣布,计划在印度招聘和培训当地工程师,为印度公司塔塔电子提供技术服务。东京电子首席执行官Toshiki Kawai表...……更多
三星业绩指引来袭!Q3利润同比暴跌78%,环比增超2.5倍,半导体或亏超3万亿韩元
韩国芯片巨头三星公布Q3业绩指引。10月11日,三星电子表示,今年第三季度初步营业利润为2.4万亿韩元(约合人民币130.5亿元),同比下降78%,低于预期;但环比大增258.2%,超乎预期。受消息影响,三星电子股价强劲上扬,涨幅...……更多
三星电子最新推出一款轻型移动固态硬盘T5EVO,容量高达8TB,适合大容量数据存储需求。T5EVO整体采用黑色设计,并配备一个钛灰色环扣,外观高级时尚。这款硬盘采用金属环设计,可以轻松地固定在包或行李上,同时金属机身...……更多
三星已连续30年是全球第一大dram厂商
...国外媒体报道,业务涵盖消费电子及面板、存储芯片等的三星电子,多项业务在全球的份额高于其他厂商,在DRAM和NAND闪存方面的份额,就明显高于其他厂商。而在最新的报道中,外媒还披露,在DRAM市场,三星电子的份额已连续...……更多
三星nand闪存价格重新调整至少上涨20%
据供应链消息,三星电子计划与大客户进行谈判,将NAND闪存的价格重新调整至合理水平(至少上涨20%)。由于一年多的供过于求,闪存价格已经持平于成本。目前,临时交易价格仍在上涨,并且部分品类的价格已超过2022年1月...……更多
三星将NAND产量削减40%-50% SSD等存储继续涨价
...步减产,这势必会对行业带来更大的影响。报道中提到,三星电子计划到明年上半年为止,将NAND生产量削减规模扩大40%-50%,此举推高了NAND价格。从今年9月起,三星已将NANDFlash快闪存储的减产幅度扩大到总产能的50%,主要集中...……更多
三星第九代v-nand开始量产,提高50%位密度
4月23日消息,三星半导体今日宣布,其第九代V-NAND1TbTLC产品开始量产,比三星上一代产品提高约50%的位密度(bitdensity),通过通道孔蚀刻技术(channelholeetching)提高生产效率。凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度,...……更多
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