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...024的幻灯片上展示了两项3DDRAM内存新技术，包括垂直通道晶体管（VerticalChannelTransistor）和堆叠DRAM（StackedDRAM）。相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提升了对刻...……更多
2024-04-02 02:48:00三星,业界,时代,内存,晶体管,三星
...布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。 ……更多
2024-03-26 02:35:00三星电子,英伟,三星,供货,内存,电子
...在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星
...这里先简单介绍一下DRAM的基本结构。DRAM单元电路由一个晶体管和一个电容器组成，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM由被称为“位线(BL)”的导电材料组成，位线提供注入晶体管...……更多
2024-06-29 10:05:00大厂,招数,内存,制造,技术,封装
...代工费用报价，要比台积电7nm工艺便宜四成。虽然前者的晶体管密度不及台积电7nm工艺，但由于功耗设计优秀，在实际应用中并没有逊色于后者。除了代工价格一路水涨船高外，台积电的产能分配问题也一直被业界所诟病。此前...……更多
2024-06-25 09:23:00三星,自己人,三星,芯片,高通,架构
...。彼时，主流的2D技术已陷入瓶颈。由于单块芯片堆叠的晶体管达到上限，产品性能已触顶。因此从2013年开始，三星率先开启技术革命，生产出全球第一块3D闪存，通过向上堆叠层数，进而突破性能上限。
举个不太恰当的例子...……更多
2023-04-19 10:41:00复仇,昂贵,存储,战争,必达,三星
...其中大多数。按照台积电方的说法，3nm工艺能够大幅提升晶体管密度约70%，性能的涨幅约在10%-15%之间，而能耗至少能够降低25-30%。此外呢，明年的iPhone15在硬件方面大升级主要在处理器上，其他规格大概率不会有太大的升级。所...……更多
2023-01-15 18:30:00中国制造,中国,苹果,升级,制造,苹果
...。在进一步的细节中，它解释说，这些集成电路中使用的晶体管栅极材料具有更高的电容，使其状态更容易被准确区分。此外，三星在降低工作电压和减少噪音方面的努力也有助于提供这种优化的解决方案。这些仍然是16Gb的IC，...……更多
2023-05-20 06:56:00大规,三星,纳米,大规模,生产,三星
...量产了SF3E（3nmGAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。根据之前公布的计划，三星今年将带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的...……更多
2024-02-20 10:06:00三星,日本,先机,芯片,订单,工艺
...的3nm工艺。尽管三星投入巨大资源，引进了业界领先的GAA晶体管技术，试图在Exynos2500处理器上实现突破，但现实却给它泼了一盆冷水。据内部数据显示，该处理器的良品率竟不足20%，这无疑是给三星的雄心壮志泼了一盆冷水，...……更多
2024-07-05 09:09:00革新,三星,技术,三星,价格,处理器
...，但是三星的2nm工艺得到了客户的认可，后者对他们的GAA晶体管技术很满意，几乎所有大公司都在与三星合作。但是三星5年赶超台积电的目标没有得到所有人的认可，台湾智库的研究员、总监刘佩真就不看好三星，他认为三星...……更多
2023-05-06 10:49:00弯道,三星,工艺,专家,三星,客户
...潜力。三星表示通过采用深沟槽隔离(DTI)技术，缩小每个晶体管之间的距离，最大限度地发挥功率半导体的性能。三星代工厂将使用120V（当前为70V）的更大电压应用于更广泛的应用，并准备好在2025年之前提供实现120V至130nmBCD工...……更多
2023-10-20 14:38:00三星,纳米,存储,开发,三星,工艺
...晶圆堆叠技术，其中每一片晶圆分别承载了光电二极管、晶体管以及模拟数字转换器等关键元件。相较于传统的双晶圆设计，三晶圆堆叠技术能显著提升传感器的图像捕捉效率，降低噪声，同时实现更高的像素密度，为iPhone 16系...……更多
2024-07-05 15:47:00内存,苹果,升级,晶圆,传感器,苹果
...3nm工艺，而Exynos2500将是其首款3nm的SoC，或许希望通过GAA晶体管技术提升性能和改善能耗表现。高通同期将带来第四代骁龙8平台，引入自研的定制Oryon内核，预计会对三星造成不小的压力。 ……更多
2023-11-02 10:57:00三星,架构,三星,高通,内核,性能
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
三星电子和SK海力士正在加速下一代半导体技术的开发，以响应人工智能(AI)时代中ChatGPT等应用的需求。根据IT之家此前报道，三星电子已经开发出业界首款支持ComputeExpressLink（CXL）2.0的 128GBCXLD-RAM。相对的，SK海力士去年8月也开...……更多
2023-05-15 20:35:00三星,半导体,开发,内存,三星电子,下一代
...程工艺，与前几代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶体管架构，能极大改善芯片的功率以及效率。与之前的5nm相比，新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同时减少16%的面积。三星还宣称，第二代的3nmGAA...……更多
2023-03-16 10:46:00三代,三星,芯片,工艺,三星,工艺
...而2nm制程工艺将会基于更加先进的技术，包括GAAFET纳米片晶体管与背部供电，根据之前曝光的数据，能够比3nm提升10-15%的性能，而同等频率下功耗则降低25-30%。也就是说等到2025年，包括三星也台积电都将拥有量产2nm制程的能力...……更多
2024-02-05 21:00:00制程,三星,芯片,订单,更多,制程
...工艺的先进变体，并强调了称为全方位栅极（GAA）的先进晶体管设计对芯片行业未来的重要性。三星最新活动的核心是该公司的两种新的半导体制造工艺。这些是三星SF2Z和三星SF4U工艺。其中，SF2Z是前沿节点，是三星2纳米工艺...……更多
2024-06-20 13:13:00三星,芯片,解决方案,方案,这是,制造
...块芯片最大的亮点——GAA工艺（Gate-All-Around，全环绕栅极晶体管）。要在指甲盖大小的芯片里塞下数百亿个晶体管，听上去就如同天方夜谭，但工程师们总能想出新办法。其中一种思路就是将晶体管像积木一样堆叠起来，那么就...……更多
2024-07-13 09:52:00三星,芯片,全球,三星,工艺,芯片
...神)可能象征着三星处理器性能的新时代。2nm工艺有望在晶体管密度上取得重大进展，与当前一代芯片相比，可能会提高效率和性能。Exynos2600将与苹果的A系列、M系列、AI芯片展开竞争。三星电子Exynos2600将成为GalaxyS26系列在全球...……更多
2024-05-27 12:56:00三星,芯片,正在,开发,三星,芯片
快科技7月19日消息，据媒体报道，三星电子的HBM3E内存终于成功通过NVIDIA的认证测试，预计从下个季度开始向NVIDIA供货。此前，三星电子为了集中力量发展HBM技术，已对其半导体业务线进行了多次调整，包括成立专门的HBM小组和...……更多
2024-07-19 16:21:00三星,变革,内存,三星电子,三星,电子
...RTX408012GB版完全一致，配备7680个CUDA核心和12GBGDDR6X内存。晶体管数量达到358亿个，比起RTX3090Ti的280亿个还要多出近80亿个，但是比起RTX4080的459亿个晶体管还是差出不少。所以RTX4080移动版更像是RTX4070Ti在笔记本上的换壳版本，显……更多
2023-02-14 15:42:00真香,落后,桌面,性能,移动,英伟
...，同时更准确的还原了物体本身的颜色。索尼ExmorT：双层晶体管像素结构（DLT）索尼开发了创新性的双层晶体管像素结构，将光电二极管和像素晶体管分离到不同的基片层上进行堆栈。这种结构使得饱和信号量大幅提升，扩大了...……更多
2024-04-10 17:03:00豪威,索尼,之路,三星,影像,趋势
... PowerVia 背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
在2024年7月16日，三星电子官方宣布，已成功在联发科技的下一代天玑旗舰移动平台完成其最快的10.7千兆比特/秒（Gbps）LPDDR5X DRAM验证。这一里程碑式的成就，意味着年底发布的联发科天玑9400旗舰芯片不仅成为支持业界最快手机...……更多
2024-07-17 09:59:00天玑,血性,业界,内存,支持,天玑
...大芯片的美国初创公司Cerebras，Cerebras 的第二代AI芯片WSE-2晶体管数量达到2.6万亿个，AI内核数量也达到了85万个，多项指标打破世界纪录。△图源：Cerebras官网
另一家是Rain Neuromorphics，这是一家设计模仿大脑工作方式的芯片初创...……更多
2024-01-31 17:46:00英特,奥特,奥特曼,英特尔,三星,合作
...星Exynos2500芯片会采用新的“闸门全包”（Gate-All-Around）晶体管结构，相较于台积电采用的FinFET结构3nm制程工艺，可以实现更高的整合度和更低的功耗。
只不过并不会过多地使用Cortex-X5架构，而是1+3+2+4设计，据说是为了让功耗...……更多
2024-04-04 15:05:00三星,芯片,再次,三星,芯片,处理
三星在最新的储存技术日活动中向公众展示了多项新产品，其中包括一款名为“Shinebolt”的下一代HBM3EDRAM，这款产品可以满足下一代AI数据中心应用的需求。三星表示，“Shinebolt”HBM3EDRAM每个引脚速度可达9.8Gbps，其传输速率可...……更多
2023-10-21 20:51:00三星,带宽,内存,高速,三星,产品
... 2024 下半年量产第二代 3nm 工艺 SF3。而在更传统的 FinFET 晶体管部分，三星电子计划于 2025 年推出 SF4U 制程。这一节点将通过光学收缩进一步提升在 PPA 指标方面的竞争力。三星电子 Foundry 业务部负责人崔时荣还表示：我们还计...……更多
2024-06-13 13:33:00三星电子,三星,封装,光学,领域,工艺
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