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美光宣布量产232层QLC NAND闪存
...括:全球位密度最高的OEM量产型NAND闪存,密度比起自家上一代176层QLCNAND闪存提高了30%。业界领先的位密度,领先于竞争对手的最新产品,结构更为紧凑,相比提升了28%。业界领先的NAND闪存I/O接口速度,达到了2400MT/s,比上一代...……更多
三星宣布投产第九代V-NAND闪存
...市场潮流,以满足即将到来的人工智能时代的需求。”与上一代V-NAND相比,第九代V-NAND的单位面积存储密度提高了约50%,这得益于行业内最小的细胞尺寸和最薄的模具层。为了提升产品质量和可靠性,三星采用了新的创新技术,...……更多
戴尔科技推出两款全闪存PowerScale新节点
...使得整个系统在容量密度上有了大幅的提升。其中F210与上一代的F200相比,通过支持15TB的QLCSSD,实现了容量翻倍,而F710则支持最大30TB的QLCSSD,与上一代的F600相比,容量密度提高了25%。此外,新一代平台还搭载了英特尔第四代至...……更多
三星准备推出第9代v-nand闪存
...达到430层,比第9代V-NAND闪存增加140层(第9代V-NAND闪存比上一代增加54层)。这将使三星与其竞争对手Kioxia、SKHynix、美光科技和YMTC重新走上正轨,向2030年实现1000层3DNAND闪存的宏伟目标发起冲击。 ……更多
三星第九代v-nand开始量产,提高50%位密度
...导体今日宣布,其第九代V-NAND1TbTLC产品开始量产,比三星上一代产品提高约50%的位密度(bitdensity),通过通道孔蚀刻技术(channelholeetching)提高生产效率。凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度,三星第九代V-NAND的位...……更多
迈向存储新高度,西部数据多款新品亮相闪存峰会
...术树立了行业新标杆。而且,西部数据PC SN5000S NVMe SSD与上一代产品(西部数据PC SN740 2TB型号)相比,顺序读取和写入速度分别提高约17%和16%;随机读取和写入速度分别提高约15%和13%。同时拥有较上一代TLC产品更快的I/O响应速度...……更多
长江存储PC411 1TB固态硬盘评测 新一代OEM神盘诞生
...Xtacking®3.0技术打造,拥有高达2400MT/s的闪存接口带宽,较上一代产品性能提升50%,让PC411即使采用DRAMLess方案,也能拥有高达7000MB/s和6000MB/s标称读写速度,近乎达到了PCIe4.0的饱和带宽(Saturationthe bus)。晶栈®Xtack……更多
以软件驱动存储创新,戴尔科技助力企业拥抱智能时代
...很大的要求。 在软件优化的加持下,流式读取性能相较上一代产品提升高达两倍,显著加快了向GPU馈送数据进行模型训练和微调的速度。同样,流式写入性能提高了一倍,可优化AI工作流程的模型训练和推理阶段的检查点功能...……更多
iPhone 16 或将改用密度更高、速度更慢的QLC闪存
...道,苹果公司可能会改变其高容量 iPhone 16 机型所使用的闪存类型,考虑使用密度更高、但速度可能更慢的四层单元 NAND。据 DigiTimes 的业内人士透露,苹果可能会改变存储容量,不再使用三层单元(TLC)NAND 闪存,而是在存储容...……更多
忆联带你读懂闪存原理与颗粒类型
NAND闪存作为如今各种电子设备中常见的非易失性存储器,存在于固态硬盘(SSD)、USB闪存驱动器和智能手机存储等器件。而随着电脑终端、企业存储、数据中心、甚至汽车配件等应用场景要求的多样化,NAND闪存的存储方式和堆...……更多
三星重磅发布280层QLC闪存
...三星再次站在了技术革新的前沿,宣布推出全新的280层QLC闪存,将M.2SSD的容量推向了新的高度——惊人的16TB!QLC,即四层单元闪存,是近年来闪存领域的一项重要技术突破。与传统的TLC(三层单元)闪存相比,QLC通过在每个存...……更多
致态“超大杯”神秘惊喜即将公布tiplus7100ssd
...代TLC闪存颗粒,拥有高达2400MT/s的单颗芯片接口速度,与上一代相比速度提高50%。该系列SSD采用无缓设计方案,四通道读速高达7000MB/s;采用HMB机制,无缓存设计也能带来高效运转,配置SLCCache智能缓存。致态TiPlus71002TB版采用基...……更多
长江存储qlc闪存实现4000次p/e擦写寿命
3月28日消息,据台媒DIGITIMES报道,长江存储在中国闪存市场峰会CFMS2024上表示采用第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存已实现4000次P/E的擦写寿命。IT之家注:不同于质保寿命,消费级原厂TLC固态硬盘在测试中普遍至少拥有3000次P/E级...……更多
聚焦“数智创新 AI未来” :2023数据与存储峰会圆满落幕
...造的全新Alletra MP,它提供了百分之百的可用性、两倍于上一代存储的性能提升以及98%管理时间的节省;HPE中国区存储事业部总经理张楠在《智存重构,HPE Alletra MP“闪”耀AI新未来》的主题演讲中提出,正是基于“重构”这一概...……更多
SK海力士展示Platinum P51
...业最高速度的产品之一。PCB01专为AIPC端优化设计,相较于上一代产品,速度提升了2倍,可在1秒内实现加载需要用于人工智能学习和推理的大型语言模型(LLM)。同时PCB01的功耗效率比起上一代产品提升了30%,可有效管理大规模AI...……更多
长江存储4TB SSD即将亮相挑战三星
...代TLC闪存颗粒,并拥有2400MT/s的单颗芯片接口速度,相比上一代提高了50%。此外,TiPlus7100采用原厂TLC闪存颗粒经过严苛测试,在2TB版本中甚至达到了1200TBW的数据擦写循环寿命,并提供150万小时MTBF可靠保证和五年质保。目前,行...……更多
光威弈系列性能版 SSD 上架:长江存储颗粒
...新一代QLC闪存颗粒,拥有2400MT/s的单颗芯片接口速度,与上一代相比提高50%,使四通道方案可实现高达7000MB/s的顺序读取速度。该系列SSD可选2TB和4TB版本,顺序读取速度7000MB/s,顺序写入速度6500MB/s,2TB总写入量可达1200TBW,4TB总写...……更多
铠侠宣布提供UFS4.0嵌入式闪存设备的样品
...C标准封装中集成了BiCSFLASH3D闪存和控制器,在封装尺寸比上一代减小的同时能让读、写速度相比上一代产品提高。UFS4.0整合了MIPIM-PHY5.0和UniPro2.0,支持每通道23.2Gbps或每器件46.4Gbps理论接口速度,向后兼容UFS3.1。 ……更多
SK海力士全球首创321层闪存技术,三星计划超越300层
...向全球宣布了一项创新成果:成功研发出321层堆叠的NAND闪存。这是全球首次突破300层堆叠的大关,对于闪存技术的发展具有重大意义。然而,尽管这一成果在技术上具有突破性,但SK海力士表示,要到2025年上半年才会开始量产...……更多
佰维存储第一颗主控芯片准备量产:已回片点亮
...能手机推出UFS3.1高速闪存,写入速度最高可达1800MB/s,是上一代通用闪存存储的4倍以上,读取速度高达2100MB/s,容量最高可达1TB。去年12月,佰维存储的晶圆级先进封测制造项目正式落地东莞松山湖高新技术产业开发区。 ……更多
铠侠pcle4.0固态硬盘sd10值得入手吗?
...来了前所未有的速度提升。顺序读取速度高达5063MB/s,较上一代提升近50%,写入速度也高达3943MB/S。对于游戏玩家可以更快地打开、进入游戏世界,享受更加流畅的游戏体验。机友也实测了拷贝的速度,1秒可复制3.85GB,一个将近9...……更多
存储涨价进一步蔓延!NOR闪存明年一二季度连涨
...,据媒体报道,存储芯片涨价的趋势或将进一步蔓延,NOR闪存将启动存储芯片新一轮涨价潮,预计明年1月起先涨5%,二季度涨幅或将扩大至10%。摩根士丹利的最新报告指出,今年和去年,NOR闪存都处于供过于求的状态,但随着PC...……更多
佰维存储:晶圆级先进封测项目落地东莞
...佰维已推出UFS3.1高速闪存,写入速度最高可达1800MB/s,是上一代通用闪存存储的4倍以上,读取速度达2100MB/s,容量达256GB(未来将推出512GB、1TB容量),尺寸为11.5×13.0×1.0mm,用于旗舰智能手机产品。 ……更多
华为发布两款全闪存新品
...上,华为正式发布OceanStorPacific9920和OceanStorDorado2100两款全闪存新品,坚定推进全场景闪存化。其中,OceanStorPacific9920作为业界最大容量密度的全闪存分布式存储产品,单盘支持30.72TB,2U空间可提供768TB容量。其单节点带宽可达……更多
华为发布面向中小企业的全闪存NAS存储:性能提升20倍
...1月23日消息,华为宣布,推出业界首款面向中小企业的全闪存NAS存储——OceanStorDorado2100。据悉,OceanStorDorado2100是业界唯一的入门级双活NAS存储设备,配置极致性价比的SSD盘和NAS软件,支持多种NAS协议,可为中小企业提供文件共...……更多
长江存储的qlc闪存到底有多强?
SLC、MLC、TLC、QLC……NAND闪存一路发展下来,存储密度越来越高,而寿命和可靠性不断下滑,比如作为最关键的衡量指标,P/E(编程/擦写循环)次数就越来越少。根据维基百科的资料显示,SLC闪存的P/E可以达到5000-10000次之多,MLC一...……更多
读取7400MB/s!华为发布eKitStor Xtreme M.2闪存条
...发布会于近日举办,推出了面向商业市场和分销市场的全闪存存储新品。针对游戏加速、影视编辑和户外作业等场景,华为发布了高性能M.2闪存条eKitStor Xtreme系列,其读取速度可达7400MB/s。这些闪存条提供512GB、1TB、2TB、4TB四种...……更多
三星计划明年初量产超过300层的第九代V-NAND闪存
10月19日消息,三星是全球最大的NAND闪存供应商,对其V-NAND(即三星称之为的3DNAND)的发展有着宏大的计划,本周三星分享了一些相关信息。该公司证实,其正在按计划生产拥有超过300层的第九代V-NAND闪存,并表示这将是业内层...……更多
...发布会于近日举办,推出了面向商业市场和分销市场的全闪存存储新品。针对游戏加速、影视编辑和户外作业等场景,华为发布了高性能M.2闪存条eKitStorXtreme系列,其读取速度可达7400MB/s。这些闪存条提供512GB、1TB、2TB、4TB四种规...……更多
iPhone 16 Pro系列或首次推出2TB版本!
...本。这一消息来源于爆料人士,他表示苹果将采用QLCNAND闪存技术来实现更大的存储空间。与苹果当前使用的三层单元(TLC)NAND闪存相比,QLCNAND闪存具有更高的数据存储密度和更低的价格,因此为提供更大存储容量提供了可能性...……更多
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宗申推出“宗申小熊”摩托车,主打小巧可爱造型
7月5日消息,宗申日前在官网推出了一款“宗申小熊”摩托车,主打小巧可爱造型,首发价9988元起。该摩托车尺寸为1760x790x985mm
2024-07-06 00:43:00
闪迪大师极客2.5英寸外置硬盘6tb开售
7月5日消息,闪迪大师极客“ArmorATD”2.5英寸外置硬盘6TB版本目前已经在京东开售,这款硬盘号称专为旅行摄影和电影制作人打造
2024-07-06 01:03:00
nothing系列手机即将登陆中国大陆市场
7月5日消息,Nothing公司小红书官方账号(认证为“深圳市蓄众科技有限公司”)日前在贴文回复中“明示”Nothing系列手机即将登陆中国大陆市场
2024-07-06 01:16:00
细霹usb-c数据线京东开售:支持240w快充
7月5日消息,制糖工厂旗下细霹USB-C数据线“贴贴线”目前已在京东开售,该线主要升级USB4传输速率(IT之家注:40Gbps)
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7月5日消息,Nothing旗下子品牌CMF将于7月8日推出旗下首款智能手机CMFPhone1,而该公司X平台显示他们届时还将推出一款CMFWatchPro2智能手表
2024-07-06 01:57:00
360云台摄像头8pro6mp京东开售,采用6MP传感器
7月5日消息,继360云台摄像头8Pro4K版后,又一款360云台摄像头8Pro6MP版目前已在京东开售,这款摄像头顾名思义
2024-07-06 02:18:00
英伟达宣布开源rtxremix技术
7月5日消息,英伟达今天宣布经过广泛Beta测试之后,正式开源RTXRemix技术,并鼓励开发者利用这些工具,改造使用DirectX8或9开发的游戏
2024-07-06 02:21:00
7月5日消息,中一光学80mmF1.6中画幅镜头于今日(7月5日)19:00发售,日常零售价4280元,首发价3880元
2024-07-06 02:27:00
amd将在2025年发布zen6架构芯片
7月5日消息,消息源Moore'sLawIsDead曝料称,AMD会在2025年第2季度发布Zen6架构芯片,采用台积电N3E工艺
2024-07-06 02:39:00
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7月5日消息,达墨V30水星卡SD卡目前已在京东上架,该SD卡采用UHS-I速率,满足U3/V30性能要求,可选64-512GB
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7月5日消息,在2024世界人工智能大会(WAIC2024)上,哔哩哔哩(以下简称“B站”)公布了多项自主研发的AI技术成果和AIGC多元创意
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三星新专利曝光:智能戒指外方内圆设计
7月5日消息,科技媒体91Mobile挖掘美国专利数据库,发现三星获批一项新的设计专利,展示了全新的智能戒指设计方案,未来可能以GalaxyRing2的名义发布
2024-07-06 03:05:00
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7月5日消息,OPPOA3“耐用战神”直屏版手机现已在京东等电商平台开售,售价1599元起,7月14日前购买即可获赠一年屏碎保
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苹果手机耗电太快有效的解决方法
现代智能手机功能越来越强大,但随之而来的电量消耗问题也让许多用户头疼不已。尤其是苹果手机,虽然以其流畅的用户体验和强大的功能著称
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九州风神an400下压式风冷散热器上架电商
7月5日消息,九州风神此前预热的AN400下压式风冷散热器现已上架电商平台,官方店铺定价209元。AN400散热器高52
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