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美光宣布量产232层QLC NAND闪存
美光宣布，已开始量产232层QLCNAND闪存，并已经在选定的关键SSD中发货。除了消费客户端产品外，还会向企业存储客户及OEM厂商提供对应的产品，比如Micron2500NVMeSSD。
美光表示，这次四层单元的NAND闪存新品是一项突破性的成就，提供了前所未有的层数和密度，可实现比以往NAND闪存更高的存储密度和设计灵活性，并缩短了访问时间。美光232层QLCNAND闪存通过利用以下重要功能，为移动、客户端、汽车、边缘和数据中心存储的用例提供无与伦比的性能，包括：
全球位密度最高的OEM量产型NAND闪存，密度比起自家上一代176层QLCNAND闪存提高了30%。
业界领先的位密度，领先于竞争对手的最新产品，结构更为紧凑，相比提升了28%。
业界领先的NAND闪存I/O接口速度，达到了2400MT/s，比上一代提高了50%。
读取性能比上一代176层QLCNAND闪存提高了24%。
写入性能比上一代176层QLCNAND闪存提高了31%。
存储解决方案和定制企业级SSD设备制造商PureStorage的总经理BillCerreta表示，美光的232层QLCNAND闪存是其大容量DirectFlash模块的关键，在美光的推动下，让PureStorage在2028年之前完成取代数据中心所有机械硬盘的目标上又向前迈进了一步。
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快照生成时间：2024-04-22 21:45:20
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