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2025重返cpu王者intel“1.8nm”工艺传喜讯
...,也就是RibbonFET和PowerVia,其中RibbonFET是Intel对GateAllAround晶体管的实现,它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。...……更多
英特尔高管表示:Intel 18A/20A工艺制程已测试流片
...5年赶超台积电(TSMC)的关键。其中RibbonFET是对GateAllAround晶体管的实现,将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。Power...……更多
Intel 20A工艺杀手锏之一惊艳首秀!反超台积电就靠它
...入两种全新的工艺,PowerVia背部供电、RibbonFET全环绕栅极晶体管。PwoerVia技术将传统位于芯片正面的供电层改到背面,与信号传输层分离,通过一系列TSV硅穿孔为芯片供电,可以大大降低供电噪声、电阻损耗,优化供电分布,提...……更多
Intel 18A/20A工艺流片了!潜在代工客户达43家
...主要服务企业级预算产品。至于20A的看点则是首发RibbonFET晶体管和PowerVia背面供电技术,每瓦性能提升15%。返回搜狐,查看更多责任编辑: ……更多
联发科天玑9400处理器曝光:采用台积电N3E工艺,会是今年王者?
...为先进的N3B工艺,已经在A17 Pro上得以应用,不过增加的晶体管大部分用于AI计算,因此实际性能提升并不是很多。而且由于是早期的3nm工艺,因此还有很大的提升空间。而到了2024年,台积电第二代3nm工艺也就是N3E在性能上略微...……更多
台积电公布 1.6nm 芯片工艺,iPhone 19 或首发
... 16 埃,因此命名为「A16」。「A16」将结合创新的纳米片晶体管,以及全新的背面电源解决方案。这个背面电源将从芯片背面为芯片供电,为芯片正面数据互联流出更多空间,同时背面的电源更大,功耗会进一步降低。背后电源...……更多
美国半导体复兴:台积电、Intel等2.4万亿投资建厂
...会首发两大黑科技,也就是RibbonFET和PowerVia,带来全新的晶体管结构及背面供电技术,技术水平被指超越台积电2nm工艺。在美国政府多管齐下的刺激下,美国的半导体行业投资也出现了史无前例的复兴,evertiq汇总了这两年来各大...……更多
3年前的苹果还能流畅吗:iPhone 12实测
...的A14仿生处理器采用最新的5nm制程工艺,内部集成118亿个晶体管,性能和能效均有大幅提升。采用全新的6核中央处理器,有四个高能效核心和两个高性能核心,运行速度较A12提升40%;4核图形处理器,速度较其提升30%。实测《王...……更多
台积电实现了3nm工艺,栅极的发展比摩尔定律发展更快
...片的所有关键指标中,没有一项是3nm。我们知道芯片是由晶体管组成,晶体管越多,芯片性能越强,因为一个晶体管就是一路电流,代表一个0与1的开关换算。而一个晶体管里面又含有三个部分,分别是源极(Source,电流入口)...……更多
台积电正式使用n3制程工艺
...10%到20%之间,相差巨大。其主要原因是三星的3nm环栅(GAA)晶体管工艺与台积电的FinFET工艺在结构上存在重大差异,三星本身采用的环栅(GAA)晶体管,可以更好地控制晶体管的电流。这是因为GAA晶体管具有垂直堆叠的nm片以覆盖通道...……更多
功耗降低34%三星发布第二代3nm工艺:4年后直奔1.4nm
...产。三星的3nm工艺很激进,相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守,三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术,而且是MBCFET多桥通道场效应晶体管,被称为SF3E,也就是3GAE工艺。这次宣布的是SF3工艺,也就是之前的3GAP高...……更多
功耗降低30% 台积电称2nm工艺客户热情高涨:2025年量产
...息,不出意外还是苹果首发。台积电的2nm工艺将放弃FinFET晶体管结构,首次使用GAA晶体管,相较于其N3E(3nm的低成本版)工艺,在相同功耗下,台积电2nm工艺的性能将提升10~15%;而在相同性能下,台积电2nm工艺的功耗将降低23~30%...……更多
intel “1.8nm”工艺抢先量产 台积电:不评价 我们的2nm还是最好的
...么做,甚至会扩大领导地位。台积电的2nm工艺将放弃FinFET晶体管结构,首次使用GAA晶体管,相较于其N3E(3nm的低成本版)工艺,在相同功耗下,台积电2nm工艺的性能将提升10~15%;而在相同性能下,台积电2nm工艺的功耗将降低23~30%...……更多
台积电:2030年量产1nm、可封装1万亿个晶体管
...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管,并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外,台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是,台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
上半年三星或实现第三代4nm芯片量产,全面改进工艺
...程工艺,与前几代使用的FinFET的芯片不同,三星使用了GAA晶体管架构,能极大改善芯片的功率以及效率。与之前的5nm相比,新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗,并且性能提升23%的同时减少16%的面积。三星还宣称,第二代的3nmGAA...……更多
台积电3nm制程工艺月产能逐步提升
据外媒报道,在三星电子采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺量产之后,台积电仍采用鳍式场效应晶体管的3nm制程工艺,也在去年的12月29日正式开始商业化生产。从外媒最新的报道来看,同台积电此前的工艺一样,去年12...……更多
三星展望HBM4内存:工艺学习Intel 22nm
...在三星的规划中,HBM4将有两个发展方向,使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面,三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管,改用FinFET立体晶体管,从而降低所需的驱动电流,改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
台积电1.4nm正式现身!A14工艺已研发完成
...该工艺将依赖于第二代或第三代Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管技术。此外,也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NA EUV光刻机,但这种新设备的引入可能会为芯片设计人员和制造商带来一些新的挑战。与三星的技术路线图...……更多
车规芯片和消费电子芯片的区别
...理速度,可以支持2亿像素摄像头。一块芯片上数十亿个晶体管在高频工作时,会产生大量的动态功耗、短路功耗和漏电功耗,如果不加以控制,不仅会出现计算错误的结果,甚至可以把电路中某些环节会融合到一起而使得芯片...……更多
台积电推2nm,芯片制程极限升级,2nm或不再是我们理解的2nm了
...片都不相同,它需要在每平方毫米的面积上,植入3亿颗晶体管,相当于在一个指甲盖那么大的面积里,塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度,需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
3nm的芯片战争,才刚刚开始
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺(N3B)制造,晶体管数量达到了惊人的 190 亿,这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片,也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道,随着芯片尺寸越...……更多
三星即将推出sf1.4工艺,纳米片数量增加
...1.4nm)工艺,通过增加纳米片数量进一步改善工艺。每个晶体管增加纳米片数量,可以增强驱动电流,从而提高性能,更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管,从而增强其开关能力和运行速度。此外,更多的纳米片可以更好地...……更多
AMD第二代3D缓存揭秘:工艺不变 却神奇地缩小了!
...64MB 3D缓存采用与CCD部分相同的7nm工艺,面积41平方毫米,晶体管数量47亿个,密度为1.146亿个/平方毫米。锐龙7000X3D上的容量还是64MB,工艺还是7nm,晶体管数量还是约47亿个,但是面积缩小到了36平方毫米,幅度约12%,密度因此...……更多
三星称其3nm工艺良品率已达到60至70%
...全球唯一一家提供采用下一代全新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术,提供3nm工艺代工服务的代工企业。这也是三星首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)”应用,打破了FinFET原有的性能限制,通过降低工作电压水平来...……更多
日本不服输 下一代高性能CPU将压倒性领先:2倍能效提升
...基于ARM架构,采用台积电7nm FinFET工艺制造,集成87.86亿个晶体管,内部集成52个核心,包括48个计算核心、4个辅助核心(都完全一致),基于ARMv8.2-A指令集,支持SVE 512位宽度SIMD,峰值性能2.7TFlops。在2020年上半年的TOP500超算中,基...……更多
三星再推先进工艺 2nm芯片即将量产
...了独特的外延和集成工艺。与现有的FinFET技术相比,SF2的晶体管性能显著提升,幅度高达11%至46%,同时可变性降低了26%,漏电现象减少了约50%。三星在半导体工艺领域一直致力于突破,并通过2nm等先进制程技术来巩固其市场地位...……更多
台积电2nm芯片初始产能将花落谁家!曝苹果有望最先采用
...越小代表了越先进的制造工艺,可以使芯片上集成更多的晶体管,从而提高处理器的速度、实现更有效的功耗。之前从5纳米技术到3纳米技术的飞跃就使iPhone的GPU速度提高了20%、CPU速度提高了10%、iPhone的神经网络引擎速度提高了2...……更多
发哥放大招 天玑9400有300亿晶体管性能爆表
...现上可能远超想象。爆料者称,天玑9400内部集成了300亿晶体管,晶体管数量确实可以代表芯片的性能和工艺水平,毕竟在更先进的工艺下,才能放置更多的晶体管。比如在iPhone11中所使用的A13处理器,采用的是7nm工艺,内部集成...……更多
通往万亿晶体管芯片,关键技术揭秘
...01)作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年,在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念?英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100,在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管;英特尔即将推出的数据中心...……更多
英特尔组装完成全球最先进的EUV光刻系统
...进的光学设计将图案投影到硅晶圆上,从而实现分辨率和晶体管尺寸上的进步。英特尔即将推出的14A工艺英特尔在2月份宣布将代工业务剥离为一个独立的实体,当时就详细介绍了即将推出的Intel 14制造工艺。英特尔TWINSCAN EXE: 5000...……更多
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本文转自:滁州日报新华社记者戴小河 桑 彤 王辰阳记者23日走进上海新时达机器人有限公司位于嘉定的智能工厂时,一台弧焊机器人刚刚下线
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美妆企业如何穿越周期?听听思颜肌密齐超的成功之道
在商业的舞台上,每一次改变都可能引发一场革命。思颜肌密股份联合创始人兼CEO齐超带来了一场名为《穿越周期的战略组织变革》的深度演讲
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本文转自:芜湖日报本报讯(记者 田龙 程中玉)5月23日,中国(芜湖)跨境电商高质量发展大会暨“跨境电商+产业带”选品会在芜湖宜居国际博览中心举行
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本文转自:包头日报□记者 郭健 通讯员 何庚本报讯 近日,北重集团等单位共同完成的“大型难变形金属件重型挤压制造关键技术与应用”创新项目顺利通过中国机械工业联合会组织的科技成果鉴定
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2024-05-24 00:12:00
本文转自:劳动午报2024年一季度,丰台区新增专利授权2892件,其中,新增发明专利授权1322件;新增实用新型专利授权1424件
2024-05-24 00:13:00
本文转自:驻马店日报本报讯(记者 唐 翀)近日,记者在河南乐山电缆有限公司生产车间看到,所有生产线都在满负荷运行,一根根粗大的铜线经过拉丝
2024-05-24 00:14:00
取消预售,今年“6·18”买东西得靠抢吗?
本文转自:西宁晚报今年“6·18”,天猫、京东、快手等电商平台纷纷官宣预售制“下线”。现货开卖,有消费者感慨:“大促回到最初的状态
2024-05-24 00:16:00
本文转自:西宁晚报降价、联名、加盟……新茶饮圈的“焦虑”掩不住了?近几年来,新茶饮赛道竞争格外激烈,部分头部品牌将基础款饮品价格下调到10元至20元区间
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本文转自:西宁晚报安徽合肥,清晨6点多,一辆面包车装载约200件包裹,从高新区中通仓库站点出发,行驶7公里,稳稳停在一个小区门口
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“微地图”智能预约叫号系统。 赵舟  供图
本文转自:泰州日报“微地图”智能预约叫号系统。赵舟 供图为解决基层派出所行政服务窗口业务办理量不均衡、群众排队频繁等问题
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本文转自:海西晨报今年前4月 厦门快递业务激增·A6·晨报讯(记者 叶子申)日前,厦门市邮政管理局公布2024年4月厦门市邮政行业运行情况
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