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...括：全球位密度最高的OEM量产型NAND闪存，密度比起自家上一代176层QLCNAND闪存提高了30%。业界领先的位密度，领先于竞争对手的最新产品，结构更为紧凑，相比提升了28%。业界领先的NAND闪存I/O接口速度，达到了2400MT/s，比上一代...……更多
2024-04-22 17:24:00闪存,闪存,上一代,上一,密度,存储
...市场潮流，以满足即将到来的人工智能时代的需求。”与上一代V-NAND相比，第九代V-NAND的单位面积存储密度提高了约50%，这得益于行业内最小的细胞尺寸和最薄的模具层。为了提升产品质量和可靠性，三星采用了新的创新技术，...……更多
2024-04-24 18:48:00九代,三星,闪存,九代,三星,闪存
...使得整个系统在容量密度上有了大幅的提升。其中F210与上一代的F200相比，通过支持15TB的QLCSSD，实现了容量翻倍，而F710则支持最大30TB的QLCSSD，与上一代的F600相比，容量密度提高了25%。此外，新一代平台还搭载了英特尔第四代至...……更多
2024-03-21 16:34:00戴尔,节点,闪存,科技,戴尔,存储
...达到430层，比第9代V-NAND闪存增加140层（第9代V-NAND闪存比上一代增加54层）。这将使三星与其竞争对手Kioxia、SKHynix、美光科技和YMTC重新走上正轨，向2030年实现1000层3DNAND闪存的宏伟目标发起冲击。 ……更多
2024-04-16 10:06:00三星,闪存,准备,闪存,三星,晶圆
...的技术经验，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代V-NANDQLC闪存提升约86%。预设模具（DesignedMold）技术-能够调整控制存储单元的字线（WL）间距，确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致，达到最佳...……更多
2024-09-15 12:41:00三星,闪存,三星,单元,技术,存储
...导体今日宣布，其第九代V-NAND1TbTLC产品开始量产，比三星上一代产品提高约50%的位密度（bitdensity），通过通道孔蚀刻技术（channelholeetching）提高生产效率。凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，三星第九代V-NAND的位...……更多
2024-04-23 11:09:00九代,三星,密度,三星,九代,单元
...术树立了行业新标杆。而且，西部数据PC SN5000S NVMe SSD与上一代产品（西部数据PC SN740 2TB型号）相比，顺序读取和写入速度分别提高约17%和16%；随机读取和写入速度分别提高约15%和13%。同时拥有较上一代TLC产品更快的I/O响应速度...……更多
2024-03-22 12:00:00西部数据,峰会,闪存,新品,高度,存储
...21层1TB TLC 4D NAND闪存。SK海力士表示，公司从2023年6月量产上一代238层NAND闪存产品，并供应市场，此次推出的321层NAND闪存，不仅突破了技术界限，也率先实现了超过300层的NAND闪存量产。公司计划从明年上半年起向客户提供321层产...……更多
2024-11-21 10:25:00海力,士官,闪存,突破,全球,闪存
...Xtacking®3.0技术打造，拥有高达2400MT/s的闪存接口带宽，较上一代产品性能提升50%，让PC411即使采用DRAMLess方案，也能拥有高达7000MB/s和6000MB/s标称读写速度，近乎达到了PCIe4.0的饱和带宽(Saturationthe bus)。晶栈®Xtack……更多
2024-04-19 15:00:00长江,固态,新一代,评测,存储,硬盘
...很大的要求。
在软件优化的加持下，流式读取性能相较上一代产品提升高达两倍，显著加快了向GPU馈送数据进行模型训练和微调的速度。同样，流式写入性能提高了一倍，可优化AI工作流程的模型训练和推理阶段的检查点功能...……更多
2024-03-25 15:39:00戴尔,存储,驱动,智能,时代,科技
...盘产品中，PCB01 的顺序读写速度分别达 14GB/s和 12GB/s。与上一代产品相比，PCB01 的能效提升了 30% 以上，可提升大规模 AI 计算的稳定性。
同时，SK 海力士在该产品上应用了 SLC 缓存（SLC Caching）技术。该技术使部分 NAND 闪存存储...……更多
2024-06-28 09:30:00海力,士官,固态,业界,性能,硬盘
...道，苹果公司可能会改变其高容量 iPhone 16 机型所使用的闪存类型，考虑使用密度更高、但速度可能更慢的四层单元 NAND。据 DigiTimes 的业内人士透露，苹果可能会改变存储容量，不再使用三层单元（TLC）NAND 闪存，而是在存储容...……更多
2024-01-17 16:11:00闪存,密度,速度,闪存,存储,单元
NAND闪存作为如今各种电子设备中常见的非易失性存储器，存在于固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器和智能手机存储等器件。而随着电脑终端、企业存储、数据中心、甚至汽车配件等应用场景要求的多样化，NAND闪存的存储方式和堆...……更多
2024-04-10 14:00:00联带,闪存,颗粒,原理,类型,存储
...三星再次站在了技术革新的前沿，宣布推出全新的280层QLC闪存，将M.2SSD的容量推向了新的高度——惊人的16TB！QLC，即四层单元闪存，是近年来闪存领域的一项重要技术突破。与传统的TLC（三层单元）闪存相比，QLC通过在每个存...……更多
2024-01-31 10:52:00三星,重磅,闪存,闪存,存储,三星
...领先的随机读写表现，容量高达16TB，随机读取性能相比上一代产品提升约3倍，超低的延迟和非凡的响应速度尤其适用于大语言模型（Large Language Model, LLM）的训练、推理和AI服务部署。此外，更低的能耗能够提供更高的每瓦特IOPS...……更多
2024-09-05 14:25:00人工智能,支柱,人工,存储,智能,数据
...代TLC闪存颗粒，拥有高达2400MT/s的单颗芯片接口速度，与上一代相比速度提高50%。该系列SSD采用无缓设计方案，四通道读速高达7000MB/s；采用HMB机制，无缓存设计也能带来高效运转，配置SLCCache智能缓存。致态TiPlus71002TB版采用基...……更多
2023-12-01 11:59:00大杯,惊喜,速度可达,速度,长江,闪存
3月28日消息，据台媒DIGITIMES报道，长江存储在中国闪存市场峰会CFMS2024上表示采用第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存已实现4000次P/E的擦写寿命。IT之家注：不同于质保寿命，消费级原厂TLC固态硬盘在测试中普遍至少拥有3000次P/E级...……更多
2024-03-29 02:57:00长江,闪存,寿命,存储,闪存,存储
...造的全新Alletra MP，它提供了百分之百的可用性、两倍于上一代存储的性能提升以及98%管理时间的节省；HPE中国区存储事业部总经理张楠在《智存重构，HPE Alletra MP“闪”耀AI新未来》的主题演讲中提出，正是基于“重构”这一概...……更多
2023-11-30 11:48:00峰会,存储,数据,存储,数据,中国
...业最高速度的产品之一。PCB01专为AIPC端优化设计，相较于上一代产品，速度提升了2倍，可在1秒内实现加载需要用于人工智能学习和推理的大型语言模型（LLM）。同时PCB01的功耗效率比起上一代产品提升了30%，可有效管理大规模AI...……更多
2024-03-22 20:30:00力士,力士,速度,产品,上一代,上一
...代TLC闪存颗粒，并拥有2400MT/s的单颗芯片接口速度，相比上一代提高了50%。此外，TiPlus7100采用原厂TLC闪存颗粒经过严苛测试，在2TB版本中甚至达到了1200TBW的数据擦写循环寿命，并提供150万小时MTBF可靠保证和五年质保。目前，行...……更多
2023-12-07 19:07:00长江,三星,存储,三星,存储,长江
...新一代QLC闪存颗粒，拥有2400MT/s的单颗芯片接口速度，与上一代相比提高50%，使四通道方案可实现高达7000MB/s的顺序读取速度。该系列SSD可选2TB和4TB版本，顺序读取速度7000MB/s，顺序写入速度6500MB/s，2TB总写入量可达1200TBW，4TB总写...……更多
2023-12-22 20:09:00光威,长江,颗粒,性能,存储,光威
...C标准封装中集成了BiCSFLASH3D闪存和控制器，在封装尺寸比上一代减小的同时能让读、写速度相比上一代产品提高。UFS4.0整合了MIPIM-PHY5.0和UniPro2.0，支持每通道23.2Gbps或每器件46.4Gbps理论接口速度，向后兼容UFS3.1。 ……更多
2024-04-26 22:34:00闪存,样品,嵌入式,设备,上一代,闪存
...向全球宣布了一项创新成果：成功研发出321层堆叠的NAND闪存。这是全球首次突破300层堆叠的大关，对于闪存技术的发展具有重大意义。然而，尽管这一成果在技术上具有突破性，但SK海力士表示，要到2025年上半年才会开始量产...……更多
2023-10-22 21:52:00三星,力士,闪存,全球,技术,闪存
...能手机推出UFS3.1高速闪存，写入速度最高可达1800MB/s，是上一代通用闪存存储的4倍以上，读取速度高达2100MB/s，容量最高可达1TB。去年12月，佰维存储的晶圆级先进封测制造项目正式落地东莞松山湖高新技术产业开发区。 ……更多
2024-01-25 20:00:00主控,芯片,存储,准备,存储,芯片
...来了前所未有的速度提升。顺序读取速度高达5063MB/s，较上一代提升近50%，写入速度也高达3943MB/S。对于游戏玩家可以更快地打开、进入游戏世界，享受更加流畅的游戏体验。机友也实测了拷贝的速度，1秒可复制3.85GB，一个将近9...……更多
2024-06-09 03:58:00固态,硬盘,固态,速度,闪存,规格
...，据媒体报道，存储芯片涨价的趋势或将进一步蔓延，NOR闪存将启动存储芯片新一轮涨价潮，预计明年1月起先涨5%，二季度涨幅或将扩大至10%。摩根士丹利的最新报告指出，今年和去年，NOR闪存都处于供过于求的状态，但随着PC...……更多
2023-12-25 21:16:00进一,二季度,闪存,存储,闪存,存储
...佰维已推出UFS3.1高速闪存，写入速度最高可达1800MB/s，是上一代通用闪存存储的4倍以上，读取速度达2100MB/s，容量达256GB（未来将推出512GB、1TB容量），尺寸为11.5×13.0×1.0mm，用于旗舰智能手机产品。 ……更多
2023-12-02 01:35:00晶圆,东莞,落地,存储,先进,项目
...上，华为正式发布OceanStorPacific9920和OceanStorDorado2100两款全闪存新品，坚定推进全场景闪存化。其中，OceanStorPacific9920作为业界最大容量密度的全闪存分布式存储产品，单盘支持30.72TB，2U空间可提供768TB容量。其单节点带宽可达……更多
2023-11-17 12:33:00华为,闪存,新品,闪存,存储,华为
...1月23日消息，华为宣布，推出业界首款面向中小企业的全闪存NAS存储——OceanStorDorado2100。据悉，OceanStorDorado2100是业界唯一的入门级双活NAS存储设备，配置极致性价比的SSD盘和NAS软件，支持多种NAS协议，可为中小企业提供文件共...……更多
2023-11-23 21:02:00华为,闪存,中小企业,存储,性能,中小
SLC、MLC、TLC、QLC……NAND闪存一路发展下来，存储密度越来越高，而寿命和可靠性不断下滑，比如作为最关键的衡量指标，P/E(编程/擦写循环)次数就越来越少。根据维基百科的资料显示，SLC闪存的P/E可以达到5000-10000次之多，MLC一...……更多
2024-04-04 12:12:00长江,闪存,存储,闪存,长江,存储
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