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...息，不出意外还是苹果首发。台积电的2nm工艺将放弃FinFET晶体管结构，首次使用GAA晶体管，相较于其N3E（3nm的低成本版）工艺，在相同功耗下，台积电2nm工艺的性能将提升10~15%；而在相同性能下，台积电2nm工艺的功耗将降低23~30%...……更多
2023-04-21 10:32:00功耗,热情,客户,工艺,工艺,晶体管
...程工艺，与前几代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶体管架构，能极大改善芯片的功率以及效率。与之前的5nm相比，新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同时减少16%的面积。三星还宣称，第二代的3nmGAA...……更多
2023-03-16 10:46:00三代,三星,芯片,工艺,三星,工艺
...片都不相同，它需要在每平方毫米的面积上，植入3亿颗晶体管，相当于在一个指甲盖那么大的面积里，塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度，需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
...降低34％、同等功耗和密度下性能提升18％，或者可以将晶体管密度提升60％。此前有消息称台积电第一代3nm工艺因为成本问题遭到客户弃用，不过台积电的表态否认了相关传闻，称N3、N3E都有多家客户下单，量产的第一、第二年...……更多
2023-01-11 00:47:00多家,苹果,客户,工艺,工艺,密度
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...产。三星的3nm工艺很激进，相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守，三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术，而且是MBCFET多桥通道场效应晶体管，被称为SF3E，也就是3GAE工艺。这次宣布的是SF3工艺，也就是之前的3GAP高...……更多
2023-05-10 15:43:00二代,三星,功耗,工艺,工艺,三星
...越小代表了越先进的制造工艺，可以使芯片上集成更多的晶体管，从而提高处理器的速度、实现更有效的功耗。之前从5纳米技术到3纳米技术的飞跃就使iPhone的GPU速度提高了20%、CPU速度提高了10%、iPhone的神经网络引擎速度提高了2...……更多
2024-01-26 05:09:00最先,芯片,苹果,纳米,芯片,晶体
...该工艺将依赖于第二代或第三代Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。此外，也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NA EUV光刻机，但这种新设备的引入可能会为芯片设计人员和制造商带来一些新的挑战。与三星的技术路线图...……更多
2023-12-15 10:02:00工艺,工艺,技术,三星,晶体管,制程
...软更新推出。值得一提的是，这将是最后一个采用 FinFET 晶体管的节点。你可能想知道英特尔如何在六个月内量产两个节点。但其实按照报道，英特尔的4nm（intel 4)和 3nm(intel 3)工艺由两个独立的团队同时开发。这本质上是Tick Tock ...……更多
2023-01-20 06:00:00英特,英特尔,战局,英特,英特尔,三星
...较。性能的提高和功率的节省是在可能的高应力条件下对晶体管源极和漏极进行全面重新评估和设计的结果，进一步的晶体管级设计-技术共同优化，以及重新设计中间线（MOL）电路。由于这种新的MOL，SF4X拥有验证的60mV的CPU最低...……更多
2023-05-17 10:18:00三星,新工艺,高性能,三星,性能,技术
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...尔定律失效的声音越来越多，因为现在的芯片每两年翻倍晶体管的可能越来越小了。事实也是如此，随着芯片工艺进入到10nm以内，摩尔定律的密度翻倍、成本下降的预测已经不符合当前的现实了，台积电也在日前的说法会上谈...……更多
2023-01-15 13:17:00摩尔,功耗,定律,芯片,多年,摩尔
...艺有两项重磅技术，一是PowerVia背面供电，二是RibbonFET GAA晶体管。不完全统计显示，在2021年Intel设立IFS代工服务后，已经有高通、联发科签约，据说下一位大客户将是NVIDIA。 ……更多
2023-04-13 10:42:00制程,处理器,处理,手机,代工,帕特
...3nm，明年才有可能。台积电N3工艺没有像三星那样使用GAA晶体管技术，还在用FinFET，技术相对保守就是为了确保工艺能顺利量产，近期传出良率已达75%，成熟度更高。不过第一代3nm工艺相对当前的4nm在PPA性能、功耗及面积上没有...……更多
2023-05-22 14:56:00代工,高达,工艺,苹果,一代,成本
...片的所有关键指标中，没有一项是3nm。我们知道芯片是由晶体管组成，晶体管越多，芯片性能越强，因为一个晶体管就是一路电流，代表一个0与1的开关换算。而一个晶体管里面又含有三个部分，分别是源极（Source，电流入口）...……更多
2023-02-04 15:59:00摩尔,栅极,发展,定律,更快,工艺
...益落后的情况下确实有点慌了。Intel指出它的7纳米工艺的晶体管密度达到1.234亿晶体管每平方毫米，而台积电的3纳米工艺却是1.24亿晶体管每平方毫米，两者的晶体管数量差不多，但是在命名上却差距甚远。这已不是Intel第一次指...……更多
2024-06-24 09:18:00老底,无耻,跟着,工艺,数字,纳米
...制程工艺，但是英特尔却表示自家的制程功能在性能以及晶体管密度上相当于友商的1.8nm的工艺，因此过去英特尔对于制程工艺的描述并不能很好地阐述其性能表现，而采用新的制程表述说明之后，对于对外宣传就有很大的好处...……更多
2024-02-09 22:30:00英特,英特尔,架构,处理器,核心,客户
...么做，甚至会扩大领导地位。台积电的2nm工艺将放弃FinFET晶体管结构，首次使用GAA晶体管，相较于其N3E（3nm的低成本版）工艺，在相同功耗下，台积电2nm工艺的性能将提升10~15%；而在相同性能下，台积电2nm工艺的功耗将降低23~30%...……更多
2023-04-25 05:00:00评价,工艺,还是,最好,工艺,晶体管
...原理决定的。CPU和显卡的工作原理都是通过电子信号控制晶体管开关的状态来进行计算和图形处理。当晶体管打开时，电子会通过晶体管并产生热量，这些热量会被导出到CPU和显卡的金属表面。如果不能及时散热，就会导致CPU和...……更多
2023-04-20 13:41:00显卡,不够,工艺,显卡,稳定性,热量
...线路后端(BEOL)中过孔电阻增加等问题。这样的设计增强了晶体管性能并降低了功耗，同时还消除了数据和电源连接之间的潜在干扰。此外，去耦PDN和数据线有助于减少面积，与现有生产节点相比，将带来更高的晶体管密度。英特...……更多
2023-05-10 09:59:00英特,英特尔,代工,客户,更多,技术
...5X）性能进一步升级的产品。HKMG（High-KMetalGate）：在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK海力士去年11月在移动DRAM上全...……更多
2023-01-26 09:52:00力士,开发,全球,力士,产品,速度
...nm工艺的量产，并在2022年宣布业内率先量产3nm全环绕栅极晶体管工艺，但其第一代3nm工艺(SF3E)在良率和效率方面的表现一直未达预期。三星System LSI Division部门开发的Exynos 2500芯片，采用内部3nm工艺，其良品率同样令人失望。与此...……更多
2024-06-19 09:16:00高通,三星,订单,工艺,三星电子,三星
...1.4nm）工艺，通过增加纳米片数量进一步改善工艺。每个晶体管增加纳米片数量，可以增强驱动电流，从而提高性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关能力和运行速度。此外，更多的纳米片可以更好地...……更多
2023-11-01 13:46:00三星,纳米,数量,工艺,纳米,工艺
...的更高电压，其主要特点包括：通过先进的SD应力工程、晶体管级DTCO（T-DTCO）和MOL方案，在降低23%功率情况下，实现10%性能提升。提供新的HPC选项，包括ULVT、高速SRAM和高Vdd操作保证与新开发的MOL方案。得益于新的MOL方案，CPU最...……更多
2023-05-19 00:05:00工艺,三星,应用开发,工艺技术,专为,旗下
...艺匹配的是1.6nm工艺节点，能够在相同面积上放下更多的晶体管。相对于N2P工艺，在相同的电压和芯片表面积下，使用A16工艺会让运算速度提高8%至10%，同时功耗会降低15%至20%。台积电方面宣称，A16工艺预计在2027年开始投产。而...……更多
2024-04-27 13:56:00苹果,升级,工艺,工艺,芯片,苹果
...RTX408012GB版完全一致，配备7680个CUDA核心和12GBGDDR6X内存。晶体管数量达到358亿个，比起RTX3090Ti的280亿个还要多出近80亿个，但是比起RTX4080的459亿个晶体管还是差出不少。所以RTX4080移动版更像是RTX4070Ti在笔记本上的换壳版本，显……更多
2023-02-14 15:42:00真香,落后,桌面,性能,移动,英伟
...新的TSMCFINFLEXTM架构。针对数字逻辑电路，N3实现了1.7倍的晶体管密度提升；而在模拟电路上达成的密度提升为1.1倍；SRAM单元的密度提升为1.2倍。台积电表示，其3nm制程技术性能、功耗及面积(PPA)及晶体管体技术为业界最先进半导...……更多
2023-02-27 16:03:00一代,芯片,苹果,工艺,制程,密度
... 16 埃，因此命名为「A16」。「A16」将结合创新的纳米片晶体管，以及全新的背面电源解决方案。这个背面电源将从芯片背面为芯片供电，为芯片正面数据互联流出更多空间，同时背面的电源更大，功耗会进一步降低。背后电源...……更多
2024-04-28 09:30:00芯片,工艺,芯片,英特,英特尔,工艺
...破将使得芯片制造商能够在同样大小的芯片上装载更多的晶体管，从而提升芯片的性能和功耗控制能力。
除了提升芯片性能外，2纳米工艺节点还具有其他潜在的优势。首先，这一节点将使得芯片的尺寸更小，从而可以在相同的...……更多
2024-06-13 17:58:00三星,功耗,节点,纳米,芯片,性能
...赫表示，Intel 14A工艺率先使用了High-NA EUV光刻技术，因此晶体管逻辑密度比Intel 18A提高了20%。英特尔公司正在积极推进IDM 2.0战略，并希望在2030年之前超越三星，重新夺回代工行业的领先地位。目前，他们的总订单规模已经超过15...……更多
2024-03-12 19:00:00英特,英特尔,功耗,节点,性能,信息
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