- 我的订阅
- 财经
我们正处于一个信息大暴发的时代，每天都能产生数以百万计的新闻资讯！
虽然有大数据推荐，但面对海量数据，通过我们的调研发现，在一个小时的时间里，您通常无法真正有效地获取您感兴趣的资讯！
头条新闻资讯订阅，旨在帮助您收集感兴趣的资讯内容，并且在第一时间通知到您。可以有效节约您获取资讯的时间，避免错过一些关键信息。
华虹半导体申请背面金属层的刻蚀方法专利，降低沟槽外的衬底的损耗和沟槽内的金属残留
金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“背面金属层的刻蚀方法”的专利，公开号CN120015624A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请公开了一种背面金属层的刻蚀方法，包括：提供一衬底，该衬底具有正面和背面，从俯视角度观察，该衬底包括第一区域和第二区域，第一区域的正面用于形成存储单元器件，第二区域的正面用于形成逻辑器件，第二区域的背面形成有沟槽，衬底的背面从下而上依次形成有介质层和金属层，沟槽内的金属层的厚度大于沟槽外的金属层的厚度；对目标区域进行第一次刻蚀，直至目标区域的介质层被去除；对目标区域进行第二次刻蚀，直至目标区域的金属层被去除，在进行第二次刻蚀的过程中，供给的偏置功率呈脉冲方波。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2912次，专利信息1654条，此外企业还拥有行政许可117个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
以上内容为资讯信息快照，由td.fyun.cc爬虫进行采集并收录，本站未对信息做任何修改，信息内容不代表本站立场。
快照生成时间：2025-05-20 20:45:06
本站信息快照查询为非营利公共服务，如有侵权请联系我们进行删除。
信息原文地址：
