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36氪独家获悉,北京晶飞半导体科技有限公司(下文简称:晶飞半导体)于2023年9月完成天使轮融资,该轮融资金额为数千万元。本次融资由无限基金See Fund领投,德联资本和中科神光跟投。
该轮融资筹集到的资金将主要用于公司的技术研发、市场拓展以及团队建设。这一投资将进一步加速晶飞半导体在半导体领域的创新步伐,为推动公司技术和产品的不断升级提供了有力支持。
成立于2023年7月,晶飞半导体的创业契机源于第三代半导体材料——碳化硅。
碳化硅相较于上一代半导体材料硅,具备“高功率密度、高开关频率、高工作温度和高耐压”等特点,因此是高压功率器件的演进方向,在新能源汽车、光伏、轨道交通等各类场景下拥有广泛的使用前景。
然而,全球制约碳化硅在功率器件渗透率的核心要素便是成本。尽管碳化硅具备大带隙、大载流子漂移速率和大热导率的优势,但是其硬度远比传统半导体材料硅更硬,导致切割碳化硅损耗极高。从成本结构来看,衬底成本占比在碳化硅器件中高达47%,传统硅基器件仅有7%。因此其衬底降本是实现碳化硅器件快速渗透的重要途径。
综上所述,晶飞科技致力于研究激光垂直剥离技术研究,以实现对第三代半导体材料的精准剥离,以有效降低碳化硅衬底的生产成本。在6英寸和8英寸碳化硅衬底激光垂直剥离技术的研发方面,创始团队深耕于激光精细微加工领域,利用超快激光技术,为各种超薄、超硬、脆性材料提供激光解决方案,积极推动激光精细加工在制造业的国产化和传统工艺替代。
晶飞半导体目前的主打产品,是碳化硅晶圆激光垂直剥离设备。此前,碳化硅普遍使用金刚线剥离,激光垂直剥离特点在于,此前技术模式的线损为200 μm,研磨和抛光的损失为100 μm;激光垂直剥离晶圆的线损为0,脉冲激光在晶锭内部形成爆破层,在分离后由于裂纹延伸的存在,在后续抛光加工后材料损失可控制在80~100 μm。
传统多线切割导致珍贵的衬底材料在加工过程中的浪费
晶飞在半导体剥离上的新技术模式相比于金刚线剥离损失的1/3,这大大节约了剥离损失;对于厚度为 2 cm的晶锭,使用金刚线切割晶圆产出量约为 30 片,然而采用激光剥离技术晶圆产出量约为 45 片,增加了约 50 %。
碳化硅激光剥离技术演示图
团队构成方面,晶飞半导体本科及以上学历人员占比90%、研发人员占比80%, 其中40%以上的人员具备博士学位,团队具备机械、电气、软件和光学的融合背景。
关于晶飞剥离技术的商业价值,德联资本投资经理康乾熙对36氪表示,“新能源革命的大背景下,碳化硅功率器件市场潜力巨大。第三代半导体是功率半导体材料的重要演进方向,但受制于成本,行业的渗透一直存在挑战。激光剥片这一新技术的出现可以显著降低衬底成本,通过在切片加工新技术的部署,可以大幅降低碳化硅衬底成本从而完成下游,如新能源汽车、轨道交通、光伏等行业的进一步渗透,降低损耗,推动未来能源系统变革。”
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快照生成时间:2023-11-20 12:45:24
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