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中节能太阳能申请单晶硅片相关专利，可进一步降低硅片表面反射率
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，中节能太阳能科技（镇江）有限公司申请一项名为“单晶硅片的纳微复合绒面制备方法及其在太阳能电池的应用”的专利，公开号 CN 119698135 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种单晶硅片的纳微复合绒面制备方法及其在太阳能电池的应用，采用N型单晶硅片为衬底进行清洗制绒，再通过反应等离子刻蚀法、金属催化化学腐蚀法、激光刻蚀法制备纳微复合绒面的黑硅结构，调整工艺参数，控制纳微复合绒面尺寸，进一步降低硅片表面的反射率，以此可制作异质结太阳能电池，进而提升电池转换效率，以此可制作异质结/钙钛矿叠层电池使湿法制备均匀的钙钛矿膜层成为可能，纳微复合绒面的黑硅结构可以提高钙钛矿前驱液和反溶剂的润湿性，通过纳米改善钙钛矿的晶体质量并促进顶电池中载流子的分离和收集，绒面还可以有效释放钙钛矿薄膜的内应力，提高叠层器件的长期稳定性。
天眼查资料显示，中节能太阳能科技（镇江）有限公司，成立于2010年，位于镇江市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本50569万人民币，实缴资本50569万人民币。通过天眼查大数据分析，中节能太阳能科技（镇江）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1933次，专利信息393条，此外企业还拥有行政许可39个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2025-03-29 23:45:06
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