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三星瞄准3D NAND技术的Petabyte固态硬盘
三星已经讨论了其计划，即在未来的3DNAND技术的固态硬盘中提供高达PB的容量，尽管这些技术可能会在十年后推出。
在今年的中国闪存市场峰会（CFMS023）上，三星电子与美光、Kioxa、Arm、Solidigm、Phison等其他知名闪存公司一起出席了会议。三星电子与观众讨论了“闪存的再进化和迈向新时代”的话题。这次讨论突出了该公司的高水平存储容量能力，以及其3DNAND闪存在达到如此高容量方面的困难。
三星电子NAND产品规划组副总裁/总经理KyungryunKim解释说，三个级别的技术——物理扩展、逻辑扩展和封装技术——不仅在发展，而且理论上能够达到1PB或1024TB的容量。然而，按照目前的技术标准，该公司在未来十年内都无法实现这一目标。此外，该公司正寻求将四级单元技术用于更多的存储设备，并专注于使该技术更加熟练。
在讨论达到五级容量的进化途径时，该公司还展示了PM1743系列PCIe5.0固态硬盘（SSD）。新的PM1743系列比以前的型号能效高出40%，并已测试与英特尔和AMDPCIeGen5平台兼容。
三星一直在讨论其技术进步，尤其是3DNAND存储器时保持沉默。该公司正在继续寻找方法，以更广泛的采用率将四级单元3DNAND设备推向公众。三星认为，专注于更新的控制器技术将达到这些目标。目前，该公司对3DNAND设备进行物理扩展。然而，该公司需要研究逻辑扩展，以使存储器设备访问超过1000层。逻辑缩放将允许增加存储在每个单元内的信息比特数。
虽然该公司一直对其技术保持沉默，但竞争对手Kioxia对其发展更加透明。该公司于2019年推出了五级单元3DNAND存储器，每个单元最多可存储5位（5bpc）。两年后，Kioxia突破了5桶/日的技术，达到了6桶/日。该公司表示，他们也在研究是否可以提高到8bpc，创造一种八级单元3DNAND存储设备。目前，该公司尚未达到这样的长度。
对于许多3DNAND制造商来说，每个单元存储多个比特带来了许多挑战。识别能够存储各种电压状态的材料，同时能够区分它们以防止干扰，这是所有公司目前都在努力克服的障碍之一。此外，随着每个单元的比特数的增加，他们需要开发纠错技术来保持数据的完整性。
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快照生成时间：2023-04-16 21:45:33
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