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京东方华灿光电申请划裂方法专利，提高微型发光二极管产品良率
金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“划裂方法”的专利，公开号CN 119789618 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，提供了一种划裂方法，属于半导体制造领域。该方法包括：在发光二极管芯片远离蓝宝石衬底的一面贴附第一蓝膜，蓝宝石衬底的厚度大于220微米在进行发光二极管芯片的划片时控制双焦点激光器两个焦点在发光二极管芯片内的距离为35～45μm，同时控制两个焦点中距离蓝宝石衬底较远的焦点到蓝宝石衬底表面距离为105～115μm，并且在蓝宝石衬底的斜裂面处距离小于非斜裂面处距离4～6μm。通过上述设计，避免裂片时正面因为蓝宝石衬底较厚，导致远离蓝宝石衬底一侧划片效果不佳造成电极产生轻微翘起，提高了微型发光二极管产品的良率。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币，实缴资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目39次，专利信息947条，此外企业还拥有行政许可36个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2025-04-11 14:45:04
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