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sk海力士组建子公司，专注于开发nand技术
12月29日消息，据外媒ChosunBiz报道，SK海力士日前在美国组建了一家名为SKHNA（SKhynixNANDDevelopmentAmerica）的子公司，并通过“挖英特尔墙角”招募了多位“具有数十年经验”的专家，以期提高自家NAND竞争力。
据悉，SKHNA公司位于美国加州圣何塞，由约30名研究人员组成，唯一目标是“专注于开发高性能NAND技术”。
外媒提到，SK海力士本月从英特尔招募了资深主任工程师RichardPasto，这名工程师拥有28年经验，此前曾在AMD、Spansion和CypressSemiconductor工作过，在半导体领域拥有包含3DNAND技术在内的数十项专利。
除了RichardPasto外，SK海力士还在今年6月招募了一位拥有30年经验的存储设计专家RezaulHaque，在今年11月招募了一位曾在英特尔NAND领域工作13年的工程师ErikaShiple，目前上述三位人才已经成为SKHNA公司的“关键部门负责人”。
外媒同时声称，SK海力士计划利用SKHNA子公司吸引更多NAND方面的人才，并能够与SK海力士旗下另一家从英特尔收购的子公司Solidigm产生协同效应，从而缩小与三星电子等对手之间的差距。
另据早前报道，SK海力士计划在2024年启动HBM4研发，并推动CXL内存商业化量产工作，计划在2024年上半年完成96GB和128GB产品的客户认证，并在下半年实现商业化。
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快照生成时间：2023-12-31 09:45:20
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