小米SU7被曝电机故障率高，是英飞凌的锅，还是特斯拉的旧伤？

大到汽车抛锚、“刹车故障”，小到一颗螺丝钉、一块座椅污渍。小米SU7上市至今，几乎都是被放大镜，甚至显微镜在关注着。流量的力量，被小米SU7展示得淋漓尽致。以至于智己汽车在“蹭流量”时，因为误将小米SU7的前电机标注为非SiC碳化硅，而引来群嘲。但有关SiC碳化硅在小米汽车上的使用争议，却并没有消停。近期，又有关于小米SU7所使用的SiC碳化硅芯片良品率低，导致车辆安全隐患的消息被曝出。如果真是如此，为其背锅的应该是小米汽车，还是供应商体系呢？驱动系统是核心矛盾，“锅”扣不到供应商头上？

从网传报道中，我们可以发现，矛盾较为集中在小米SU7的驱动系统部分。正如5月份，福建某车友购入的小米SU7，在表显里程仅39km的情况下，遭遇驱动系统故障的案例。由于SiC碳化硅材料在击穿电压、开关频率以及热特性等方面，具有明显优势。所以在纯电动车高压平台上，已经开始普及SiC碳化硅芯片的使用。甚至即便不是800V级别的高压平台，但为了提高驱动系统的效率，并降低能耗，诸如小米、特斯拉等等，也会在400V电压平台车型上使用SiC碳化硅芯片。

那么“锅”会来自SiC碳化硅芯片的供应商吗？根据已知信息，小米SU7的顶配双电机版，采用的是英飞凌的SiC碳化硅芯片产品，而单电机版本，则是使用来自联合汽车电子的方案。英飞凌自然是SiC碳化硅芯片领域的龙头企业之一，乍听起来，矛头似乎要指向联合汽车电子？问题是网曝的信息，恰好是优先将矛头指向小米SU7的顶配双电机版。至于单电机版的SiC碳化硅芯片，反倒成了“次要矛盾”。

当然，这还可以有另一个解释。众所周知，小米SU7只有顶配双电机四驱版是采用的高压平台。而所有的单电机后驱版，都是采用的400V电压平台。所以，有没有一种可能性，是高电压导致英飞凌的SiC碳化硅芯片更为不稳定？但正如前面所说，英飞凌的SiC碳化硅芯片产品，属于行业领先地位。不仅采购车企众多，且800V高压平台眼下也不是什么新鲜物。如果其产品优良率明显低于车规级需求，那问题不应该留到小米SU7才被曝出。

照此逻辑推算，问题的矛盾点又回到小米汽车本身。比如车辆MCU调校能力，也可以类比为电脑的主板和BIOS调校出了问题。如此，也就怪不到芯片本身上来。但在所谓下结论之前，另一个案例，也许可以提供更多参考。特斯拉前车之鉴，“病根”在性能太激进？

早在2022年，特斯拉就一次性在国内备案了涉及超过12.7万辆Model3车型的召回计划。覆盖了从2019年初，至2022年初的部分进口，以及国产相关车型。彼时特斯拉给出的原因是，车辆后电机逆变器功率半导体元件，可能存在微小的制造差异，造成逆变器不能正常控制电流，可能造成车辆无法启动，或在行驶时失去动力。该解释直指后电机部分，彼时特斯拉的后电机就是率先采用了SiC碳化硅芯片，而前电机则是采用常规的IGBT半导体元件。所以，特斯拉当年虽未明说，但业内还是将矛头指向SiC碳化硅芯片的一致性问题。

有意思的是，这一轮小米汽车身上涉及的英飞凌，正是与意法半导体一起，作为特斯拉SiC碳化硅半导体供应商的两大巨头之一。当然，这也同样不意味着要把矛头指回英飞凌一家。当年没把这件事捋清楚，很大程度上也是受限于彼时全球半导体材料产能困难。显然不是特斯拉与供应商之间互相推锅的时候。但时至今日，如果还浮现出相关安全隐患的端倪，那就不得不把事情掰扯清楚。

最简单的逻辑，通过反向控制变量思路。既然驱动系统芯片供应商、电压平台等，在两个“案例”中，都非固定值。再刨去小米与特斯拉，相互时隔2年多，在MCU调校上，犯下类似错误的可能性。剩下两者的共同点，其实就是用上SiC材料的驱动电机。再具体一点，特斯拉与小米，在事件曝光的时间段，都是超高转速电机的行业佼佼者。如此推算下来，大约可以概括为，超高转速电机+SiC碳化硅芯片=不稳定，这样一个粗略的方程式。我们还可以再往下拆解一步，在直流电机以及相对固定电压背景下，高转速工况也就可以等同于高电流需求。那么，最终的答案就应该是，超高转速（超高电流）+SiC碳化硅芯片=不稳定。OTA能缓解，根除还要等供应商给力

那这个问题要如何解决呢？我们可以先参考一下特斯拉当年是怎么做的。彼时特斯拉采用的车企最喜闻乐见，同时消费者也相对省心的OTA解决方案。通过远程升级优化电机控制软件，并对其进行监控，从而在出现相关故障后，对后逆变器进行更换。很显然，所谓“优化电机控制软件”，换一个更熟悉一点的形容，也就是“降频”。当然，电机性能不可能像3C数码产品那样，涉及降频就“挥刀自宫”。但牺牲一定极限性能，以此延长SiC碳化硅芯片的寿命，显然是必须的。

回到小米SU7身上，如果也遭遇到类似问题，特斯拉当年的OTA办法，也是可以被抄作业的存在。但想要根除这一问题，还是得落回到另一个关键因素，也就是提升SiC碳化硅芯片的良品率和质量。毕竟，高转速电机是纯电动车的必然发展方向。包括小米在内，已经把门槛提升至2万转以上。后续跟进的小米V8s电机，甚至可以将转速推高至27200rpm。既然驱动技术在进步，那么半导体技术也就只能选择跟上节奏。

问题是，身为业内巨头，同时也是小米高性能半导体材料供应商的英飞凌，从来就不是一家IDM企业。其实这也符合半导体食物链的一般操作，只是后起之秀Wolfspeed“不太守规矩”，覆盖了从原材料衬底，到芯片制造的全流程。回到英飞凌身上，既然自己不造衬底，身为行业巨头，那就得增加碳化硅晶圆的采购渠道，保证自己的出货量和成本。近年来，英飞凌丰富了包括多家中国供应商在内的衬底供应体系。

而英飞凌的一贯做法是，对所有衬底供应采取黑盒处理。也就是说，采购方无法得知自己的货源，到底是来自哪家的衬底供应。即便刨除不同供应商，在品质方面可能发生的波动。在眼下6英寸衬底还是绝对主流的情况下，车企得到的SiC碳化硅芯片，是否有可能来自加工良品率更高的8英寸衬底，都是模糊状态。

不过，根据英飞凌留下的“后门”，核心客户还是有可能获得挑选衬底来源的优待。这对小米V8s电机而言，显然是个好消息。毕竟，根据装车节奏，该电机将会在明年（2025年）问世。而英飞凌此前披露的有关8英寸碳化硅晶圆的面世节奏，几乎与之同步。倒推回来，也很难说两家企业在这方面是否本身就存在默契。相较最终选择弱化SiC碳化硅应用的特斯拉，小米汽车看来是要在更高转速的驱动性能上，持续豪赌。