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中国科学院微电子所在新型存储器领域取得重要进展
中国科学院微电子研究所今日发文，微电子所刘明院士团队提出了一种基于TiN/TiOxNy/TiOx/NbOx/Ru结构的非细丝型自选通阻变存储器，并在16层三维垂直结构上实现。
据介绍，该存储器实现了50倍开态电流密度的提升，并达到了高非线性（>5000）。TiOx内部峰状势垒的形成有效提升了器件的非线性。第一性原理计算结果表明Nb2O5的氧空位聚合能为正值，这表明氧空位不容易发生聚集，器件可在较高电流下工作而不会发生击穿，从而实现高电流密度。
▲ 图（a）16层三维垂直RRAM的TEM截面图、图（b）I-V特性曲线
中国科学院微电子研究所表示，由于电流的提升，该器件的读延迟缩短至18ns。该工作为实现具有高速、高密度的3DVRRAM提供了可能途径。
查询获悉，该成果以题为“16-layer3DVerticalRRAMwithLowReadLatency(18ns),HighNonlinearity(>5000)andUltra-lowLeakageCurrent(~pA)Self-SelectiveCells”入选2023VLSI。微电子所博士生丁亚欣为第一作者，微电子所罗庆研究员和华中科技大学薛堪豪教授为通讯作者。
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快照生成时间：2023-07-20 00:45:09
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