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苹果明年a17bionic芯片采用台积电n3b工艺
6月24日消息，根据国外科技媒体MacRumors报道，苹果今年推出的 iPhone15Pro 和 iPhone15 ProMax均搭载A17Bionic处理器和明年推出的A17版本存在差异：前者采用台积电N3B工艺，而后者采用增强版N3E工艺。
相比较基于5nm工艺的A14、A15和A16芯片，苹果本次推出的A17Bionic首次采用3nm制造工艺。
报道称 iPhone 15Pro系列所用A17Bionic采用N3B工艺，而明年推出的机型将全面切换到N3E工艺。
此前报道，台积电谈到了3nm基础版(N3B)节点以及3nm增强型(N3E)的部分数据。简单来说，N3E是N3B稍微“廉价”一些的版本，放在最终芯片上可以说相比性能更注重的是功耗控制方面。对于新的N3E节点，高密度SRAM位单元尺寸并没有缩小，依然是0.021µm²，这与N5节点的位单元大小完全相同。
在IEDM期间，台积电透露N3B的CGP为45nm，是迄今为止透露的最密集的。这领先于Intel4的50nmCGP、三星4LPP的54nmCGP和台积电N5的51nmCGP。
由于N3B未能达到台积电的性能、功率和产量目标，因此开发了N3E。其目的是修复N3B的缺点。
第一个重大变化是金属间距略有放松。台积电没有在M0、M1和M2金属层上使用多重图案化EUV，而是退缩并切换到单一图案化。
在IEDM期间，台积电透露N3E的位单元尺寸为0.021μm2，与N5完全相同。这对SRAM来说是毁灭性的打击。由于良率，台积电放弃了SRAM单元尺寸而不是N3B。
N3B实装了SRAM缩放，其单元大小仅有0.0199µm²，相比上一个版本缩小了5%。N3E的内存密度（ISO-assistcircuitoverhead）大约为31.8Mib/mm²。
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快照生成时间：2023-06-25 12:46:08
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