英诺赛科氮化镓芯片的优势

随着PD3.1协议的落地，百瓦级以上的充电器和电源适配器开始追求更高的功率密度，得益于氮化镓技术的加入，相比传统的SiMOS器件，获得更高的开关频率和转换效率，缩小磁性元件的体积，从而进一步提升适配器的功率密度。由于氮化镓器件采用二维电子气（2DEG）来实现导通的，因此具有更高的电子密度和电子迁移率，导通损耗和开关损耗有很大提升，特别是在高频工作模式下更为明显。

英诺赛科是一家全球领先的8英寸硅基氮化镓IDM企业，拥有全世界最大的氮化镓生产基地，先进的研发与制造能力，配套全自动生产线与全流程质量管控体系。过去一年，英诺赛科全面增加研发投入，打造了40V、100V及150V工艺平台，以市场需求为导向，推出了众多符合市场需求的创新型产品，并成功量产，在多个终端应用场景表现出色。采用英诺赛科氮化镓芯片的终端有三星，OPPO，VIVO，联想，雅迪，LG，安克，努比亚，倍思，绿联，闪极等数多家知名品牌和厂商。

本期就让我们对英诺赛科主要的几款产品进行详细阐述。

低压30V-150V系列芯片

INN100W032A

INN100W032A是一颗耐压100V，导通电阻3.2mΩ的增强型氮化镓芯片，连续电流60A，脉冲电流可达230A，能够适应-40℃到150℃工作环境，零反向恢复电荷。采用WLCSP3.5mmx2.1mm封装，体积小巧，能够极大节省占板面积。

INN100W032A在同步整流、ClassD功放、高频DC-DC模块电源及电机驱动等应用场景中，能够有效地提高工作频率和效率。

INN100W070A

INN100W070A是一颗耐压100V，导通电阻7mΩ的增强型氮化镓芯片，连续电流29A.脉冲电流可达125A，能够适应-40℃到150℃工作环境，零反向恢复电荷。采用WLCSP2.5mmx1.5mm封装。

INN100W070AWLCSP封装的寄生参数非常小，非常适合用在激光雷达等需要快速开关的场合，也适合应用在高功率密度的模块电源，ClassD功放，中小功率电机驱动等场合。

INN100W027A

INN100W027A是一颗耐压100V，导通电阻2.7mΩ的增强型氮化镓芯片，连续电流64A.脉冲电流可达320A，能够适应-40℃到150℃工作环境，零反向恢复电荷。采用WLCSP4.45mmx2.3mm封装。

INN100W027A是InnoGaN100V系列导通电阻最小的一颗，非常适合应用在高功率密度的模块电源，也适合在大功率的ClassD功放和电机驱动等场合。

INN150LA070A

INN150LA070A是一颗耐压150V，导通电阻7mΩ的高电子迁移率晶体管。基于其高频、低能耗的性能优势，可广泛应用于可广泛应用于快充、适配器、ClassD功放，电机驱动，通信模块电源。

INN150LA070A采用了LGA3.2x2.2mm封装技术，占板面积极小，有着零反向恢复、低栅极电荷、低导通电阻等特性，能适应-40℃~150℃的工作环镜。

INN040W048A

V-GaN系列INN040W048A氮化镓芯片具备无体二极管、低导通阻抗等特性，仅用1颗就能代替两颗硅MOSFET。该产品也是全球首款导入手机内部的GaN芯片，目前已应用于OPPO/Realme智能手机的主板，节省手机PCBA空间，大大降低手机温度，为用户提供了更高效的快充体验。

INN040W048A氮化镓芯片耐压40V，导通电阻4.8mΩ，支持双向导通。同时采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封装，为终端产品节省系统空间的同时，有效降低了系统能耗。

INN040LA015A

INN040LA015A耐压40V，导阻1.5mΩ，可在-40℃到150℃下工作。

INN040LA015A采用晶圆级FCLGA5mmx4mm封装，相比传统MOS管封装体积大大缩小。具备超低的寄生电容，且无反向恢复，同时其优化的走线更加方便高频大电流布线。能够实现更高的功率密度的终端应用。

高压650V-700V系列芯片

INN650DA260A

INN650DA260A是一颗耐压650V，导通电阻260mΩ的高压氮化镓芯片，能够有效降低系统能耗，2nC的栅极电荷为高频率的开关需求提供保证。该芯片采用DFN5mmx6mm封装，实现系统的小体积高效率。

INN650DA260A目前已在手机快充（安克、倍思、ASUS等产品），电动两轮车快充（雅迪），LED电源等诸多产品中得到应用，有效提升了终端品牌在市场上的竞争力。

INN650DA150A

INN650DA150A，有着极高的开关频率，极低的栅极电荷、输出电荷，保证了高频开关需求的同时，有效降低了系统能耗以及开关能耗。

INN650DA150A采用DFN5mmx6mm封装，符合RoHS及REACH规范的无铅产品，该产品已在笔记本电脑适配器中得到应用，并大批量量产。如LG的65W笔记本电脑适配器。

INN650D080BS

基于上一代产品迭代的INN650D080BS，内阻仅为80mΩ，其超低的开关损耗以及零反向恢复的特性，可实现高频、小体积、高功率密度、高效率的电源转换。满足JEDEC的工业级应用标准，且拥有较高的ESD防护等级。

该产品目前在国内工业市场已大批量使用，且多项国际合作项目也在同步进行，如比利时鲁汶大学/EnergieVille正在用这款产品开发1KW以上的400V双桥（DAB）转换器；同时，瑞士伯尔尼高等专业学院（BFH）研究所也正在用INN650D080BS开发11KW/850V多电平转换器项目。

INN650TA030AH

INN650TA030AH是英诺赛科全新推出的采用TOLL封装的氮化镓芯片，耐压650V，导通电阻30mΩ，具备超高开关频率和无反向恢复电荷、低输出电荷等特性符合JEDEC标准，RoHS及REACH规范。

INN650TA030AH适合应用在AC-DC转换器，DC-DC转换器，图腾柱PFC，快充及其他高功率密度、高效率转换器的应用。

INN700DC140A

最新推出的耐压700V，导通电阻140mΩ的高压氮化镓芯片INN700DC140A，采用DFN5mmx6mm双平面无引线封装。

具备高开关频率、无反向恢复电荷、低输出电荷等功能，符合JEDEC标准。该产品在AC-DC变换器、DC-DC变换器、快速充电等应用中实现高功率密度和高效率功率转换。

SolidGaN系列合封芯片

英诺赛科推出的SolidGaN合封芯片系列产品，是数据中心模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的优选。

ISG3201

SolidGaNISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓芯片，其内部集成了2颗100V，导阻3.2mΩ的增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，凭借内部集成驱动器省去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数。

ISG3201采用5mmx6.5mm封装，能够有效减小PCB板面积。同时，该芯片还具有独立的高侧和低侧PWM信号输入，并支持TTL电平驱动，可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制。优化的模块引脚设计显著减小主功率寄生参数以及由此引起的电压尖峰，进一步提高系统性能和可靠性。SolidGaN系列还包括高压ISG6102，ISG6152等。

下表为截止英诺赛科已进入量产阶段的产品，英诺赛科基于260mΩ和150mΩ的导通电阻，同步推出了采用DFN8mmx8mm封装的650V高压氮化镓芯片，满足了不同终端产品应用的需求。同时英诺赛科推出的700V系列产品，包括240mΩ/350mΩ，采用了封装面积更小的DFN5mmx6mm封装工艺，能够满足终端应用对不同产品规格的需求，获得市场端良好反馈。

充电头网总结

作为第三代半导体之一的GaN，在最近几年的发展中势不可挡，从PD行业开始迅速发展，逐渐拓展到通讯、工业、数据中心电源、户外储能、光伏等应用领域，依靠其自身的材料属性优势能够有效提升电源产品的功率密度和转换效率，这对于注重能效，节能减排的今天，有着至关重要的意义，已经逐渐成为“绿色能源革命”的关键支撑。期待英诺赛科继续为电源市场提供更多更高效率、更低能耗、更符合市场需求的产品，推动氮化镓技术的发展和普及。

想了解更多产品详情，可以登录英诺赛科官网或关注“英诺赛科”官方公众号联系。

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