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三星推出HBM3E“Shinebolt”
近日，三星举办了“SamsungMemoryTechDay2023”活动，展示了一系列引领超大规模人工智能（AI）时代的创新技术和产品，包括HBM3E“Shinebolt”、LPDDR5XCAMM2和可拆卸的AutoSSD，以加速包括云端、边缘设备和汽车未来应用的技术进步。
三星宣布，推出名为“Shinebolt”的新一代HBM3EDRAM，面向下一代人工智能应用，提高总拥有成本（TCO），并加快数据中心的人工智能模型训练和推理速度。
HBM3E每引脚速度为9.8GB/s，意味着总带宽超过了1.2TB/s。为了实现更高堆叠层数和改善热特性，三星优化了非导电膜（NCF）技术，以消除芯片层之间的间隙，最大限度地提高导热性。目前采用8层和12层堆叠方案的HBM3已经开始批量生产，HBM3E的样品也正在向客户发货。三星还打算利用其整体半导体解决方案提供商的优势，提供结合下一代HBM、先进封装技术和代工产品的定制服务。
除了HBM3E外，本次发布会的其他重点产品还包括了业界最高容量的32GbDDR5DRAM、业界首款32GbpsGDDR7、以及能显著提升服务器应用存储能力的PB级别PBSSD。另外还展示了7.5Gbps的LPDDR5XCAMM21、9.6Gbps的LPDDR5XDRAM、专门用于设备上人工智能的LLW2DRAM、下一代UFS、以及用于个人电脑的QLCSSDBM9C1。
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快照生成时间：2023-10-24 00:45:05
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