- 我的订阅
- 财经
我们正处于一个信息大暴发的时代，每天都能产生数以百万计的新闻资讯！
虽然有大数据推荐，但面对海量数据，通过我们的调研发现，在一个小时的时间里，您通常无法真正有效地获取您感兴趣的资讯！
头条新闻资讯订阅，旨在帮助您收集感兴趣的资讯内容，并且在第一时间通知到您。可以有效节约您获取资讯的时间，避免错过一些关键信息。
湖南静芯申请NMOS触发的可堆叠单向可控硅静电防护器件专利，可有效避免闩锁效应
金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，湖南静芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种NMOS触发的可堆叠单向可控硅静电防护器件及制作方法”的专利，公开号CN 119342901 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种NMOS触发的可堆叠单向可控硅静电防护器件及其制作方法，包括P型衬底、N型阱、P型阱、N型注入、P型注入等。该器件结构由触发结构和堆叠结构这两部分构成，其中触发结构为NMOS，堆叠结构为DTSCR。本发明选用的触发结构，利用了NMOS管寄生NPN触发电压比N+与PW雪崩击穿电压低的特性，来降低触发电压；而触发结构后面的堆叠结构，则是可以通过控制堆叠结构的数量来控制维持电压。传统堆叠结构通过堆叠虽然提高维持电压，但是触发电压也跟着成倍增长，不适用于低工作电压下的I/O端口防护；而本发明所提出的器件，增加了堆叠器件，器件的触发电压基本维持不变，而维持电压能够提高，可有效避免闩锁效应。
天眼查资料显示，湖南静芯半导体科技有限公司，成立于2024年，位于长沙市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南静芯半导体科技有限公司专利信息6条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
以上内容为资讯信息快照，由td.fyun.cc爬虫进行采集并收录，本站未对信息做任何修改，信息内容不代表本站立场。
快照生成时间：2025-01-25 17:45:07
本站信息快照查询为非营利公共服务，如有侵权请联系我们进行删除。
信息原文地址：
