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湖南静芯申请带 MOSFET 的嵌套型单向可控硅静电防护器件及其制作方法专利，有效抑制 SCR 泄放路径正反馈效应
金融界 2025 年 1 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，湖南静芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种带 MOSFET 的嵌套型单向可控硅静电防护器件及其制作方法”的专利，公开号 CN 119342902 A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种带 MOSFET 的嵌套型单向可控硅静电防护器件及其制作方法，本发明选用单向可控硅结构，在 N 阱中嵌入 PMOS 结构，在 P 阱中嵌入 NMOS 结构；将 NMOS 管的漏极 N+区域浮空，栅极接地电位，相当于 GGNMOS；将 PMOS 管的源极 P+区域浮空，栅极接高电位，相当于 GDPMOS。在 N 阱中的 N+和 PMOS 的漏极 P+区域之间嵌入 P+区并连接至阳极，在传统的低触发单向可控硅静电防护器件的基础上多出了一条 ESD 电流泄放路径，可有效地抑制 SCR 泄放路径的正反馈效应。本发明的可控硅整流器静电释放器件具有高维持电压高失效电流的特点，可在有效避免闩锁效应的同时实现高防护等级。
天眼查资料显示，湖南静芯半导体科技有限公司，成立于2024年，位于长沙市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南静芯半导体科技有限公司专利信息6条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2025-01-25 17:45:07
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