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碲化铌展现下一代存储器材料前景
类别：财经 发布时间：2023-07-12 08:36:00 来源：财联社
碲化铌展现下一代存储器材料前景
【碲化铌展现下一代存储器材料前景】财联社7月12日电，美国东北大学研究人员验证了溅射技术在制造大面积二维范德华四硫属化物方面的潜在用途。利用这项技术，他们制造并鉴定了一种非常有前途的材料——碲化铌，它具有约447℃（起始温度）的超低熔点。这一成果发表在最近的《先进材料》杂志上。
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快照生成时间：2023-07-12 12:45:07
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