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美光HBM3E内存容量高达36GB，采用12-Hi设计
美光已开始采样其“生产就绪型”HBM3E内存解决方案，在12-Hi设计中提供高达36GB的容量。
新闻稿：为了满足这些需求，美光处于内存创新的前沿，现在正在向主要行业合作伙伴交付具有生产能力的HBM3E12-high，以在整个AI生态系统中进行认证。
美光HBM3E12级处理器拥有令人印象深刻的36GB容量，比当前的HBM3E8级产品增加了50%，允许像Llama2这样具有700亿个参数的大型AI模型在单个处理器上运行。这种容量增加通过避免CPU卸载和GPU-GPU通信延迟来加快洞察时间。
美光HBM3E12高36GB的功耗明显低于竞争对手的HBM3E8高24GB解决方案。美光HBM3E12高36GB以超过9.2Gb/s的引脚速度提供超过1.2TB/s的内存带宽。HBM3E的这些综合优势以最低的功耗提供最大的吞吐量，并确保高耗电的数据中心获得最佳结果。
此外，MicronHBM3E12-high集成了完全可编程的MBIST，可以全规格速度运行系统代表性流量，为加快验证提供改进的测试覆盖率，从而加快上市时间，并提高系统可靠性。
美光现在正在向主要行业合作伙伴交付具有生产能力的HBM3E12高单元，以在整个AI生态系统中进行认证。HBM3E12高的里程碑展示了美光为满足不断发展的AI基础设施的数据密集型需求而进行的创新。
美光还是台积电3DFabric联盟的合作伙伴，该联盟帮助塑造半导体和系统创新的未来。AI系统制造很复杂，HBM3E集成需要内存供应商、客户和外包半导体组装和测试（OSAT）参与者之间的密切合作。
综上所述，以下是美光HBM3E12高36GB的亮点：
正在接受多项客户资格认证：美光正在向主要行业合作伙伴交付具有生产能力的12层高单元，以实现整个AI生态系统的资格认证。
无缝可扩展性：HBM3E12高具有36GB的容量（比当前的HBM3E产品增加了50%），使数据中心能够无缝扩展其不断增长的AI工作负载。
卓越的效率：MicronHBM3E12高36GB的功耗明显低于竞争对手的HBM3E8高24GB解决方案！
卓越的性能：HBM3E12高36GB的引脚速度超过9.2Gb/s，可提供超过1.2TB/s的内存带宽，为AI加速器、超级计算机和数据中心提供闪电般的数据访问。
加速验证：完全可编程的MBIST功能可以以代表系统流量的速度运行，为加快验证提供更高的测试覆盖率，加快上市时间，并提高系统可靠性。
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快照生成时间：2024-09-10 21:45:02
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