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...当然了，从iPhone 15 Pro首发3nm工艺的A17 Pro实际表现来看，错失2nm首发对于苹果来说大概率是利大于弊。【本文结束】如需转载请务必注明出处：快科技责任编辑：建嘉文章内容举报 ……更多
2024-12-31 10:41:00错失,进展,制程,纳米,栅极,三代
...邱晓芬编辑丨苏建勋近期，行业内关于2nm以下芯片制程的进展频频。12月14日，台积电在一次会议上首次提到，其1.4nm制程已经开始研究，并且计划在 2027-2028年器件量产。与此同时，台积电2nm制程的进展也近期也颇快。此前有消...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
根据计划，台积电最新的N2（2nm）制程将于明年下半年开始量产，目前台积电正在尽最大努力完善该技术，以降低可变性和缺陷密度，从而提高良率。不久前，一位台积电员工最近对外透露，该团队已成功将N2测试芯片的良率提...……更多
2024-12-16 19:19:00晶圆,深度,晶体管,晶体,栅极,制程
...的时候，芯片界就有了共识，用栅极的宽度，来代表工艺制程的大小，比如150nm工艺，代表的是栅极的宽度是150nm。后来晶圆厂们就想，既然栅极代表的就是工艺制程，那就是极力的去缩小栅极的宽度，就达到了提升工艺的目标...……更多
2023-02-04 15:59:00摩尔,栅极,发展,定律,更快,工艺
...在“2024年三星代工论坛”上，发布未来多项芯片技术的进展，并表示其代工业务计划为客户提供一站式服务，整合其全球排名第一的存储芯片、代工和芯片封装服务，以更快地生产人工智能芯片，以利用人工智能热潮。三星表...……更多
2024-06-13 18:48:00制程,三星,路线图,研发生产,纳米,芯片
...E国际电子器件会议IEDM 2024上，Intel代工展示了四大半导体制程工艺突破，涵盖新材料、异构封装、全环绕栅极(GAA)等领域。目前，Intel正在持续推进四年五个工艺节点的计划，计划到2030年在单个芯片上封装1万亿个晶体管，因此先...……更多
2024-12-08 18:12:00吞吐量,制程,吞吐,封装,突破,工艺
...些方法都只是“缓兵之计”，如果没有材料学上的突破性进展，随着晶体管数量的增加，生产成本会不断增加，晶体管的性能提升也会遇到瓶颈，终有一天摩尔定律会“死去”。有预测认为，摩尔定律的极限将在 2025 年左右到来...……更多
2023-04-23 09:49:00一句话,年前,手机,摩尔,晶体管,晶体
...ration依赖先进的封装技术，而Monolithic Integratio则依赖工艺制程的进步。
借助3D Hetero Integration，台积电预计到2030年左右能够实现集成超过1万亿个晶体管的芯片解决方案，实现等效的1nm工艺。2、晶体管本身技术的演进这张英特尔...……更多
2024-08-07 09:43:00摩尔,定律,纳米,进化,芯片,物理
...24年超大规模集成电路研讨会）上发表一篇论文，介绍在2纳米（SF2）工艺中应用的第三代GAA特性。据报道，三星的2nm芯片将采用这种全栅极技术，因为该公司的代工部门计划在2025年开始大规模生产2nm芯片。三星尚未在其3nmGAA节...……更多
2024-05-02 02:11:00栅极,三星,芯片,技术,三星,纳米
...尔在先进封装、晶体管微缩、新型材料等方面的最新技术进展，我们可以看到接下来的先进芯片制造之战，已经是一场系统级综合实力的较量。一、 3 条创新路径，续命摩尔定律还记得1946年在美国诞生的世界上第一台电子计算...……更多
2022-12-17 01:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...单，预计用在2025年上市的iPhone17 Pro上。从原理上说，2nm制程芯片也和以往的芯片都不相同，它需要在每平方毫米的面积上，植入3亿颗晶体管，相当于在一个指甲盖那么大的面积里，塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
你可能还记得，去年4月，三星代工厂使用其3nm工艺制程生产芯片的良率低得令人无法接受，在10%到20%的范围内。良率是生产的可接受芯片与一个晶圆上的最大芯片数相比的百分比。考虑到用于3nm生产的晶圆的高成本（超过20000...……更多
2023-01-22 16:35:00良品率,三星,纳米,芯片,生产,三星
近日，据相关媒体报道，由于三星3纳米GAA制程技术晶圆良率仍不理想，高通骁龙8Gen4将改由台积电独家代工。这一消息对于三星来说无疑是一个打击，因为高通是全球最大的移动设备芯片供应商之一，而三星一直试图在半导体...……更多
2023-12-04 10:14:00高通,滑铁卢,三星,代工,芯片,制造
...用于Exynos处理器的SystemLSI部门之外）采用其3nm及更新的4nm制程工艺。然而，三星仍在积极研发更先进的芯片制程，其中就包括2nm制程。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
...器件会议上，Intel展示了其在半导体技术领域的多项突破进展。这些突破旨在推进摩尔定律，并展现出该公司在全环绕栅极晶体管领域的领先地位。首先，Intel展示了一种称为3D堆叠CMOS晶体管的新型技术。这种晶体管结合了垂直...……更多
2023-12-11 16:02:00氮化镓,晶体管,晶体,全新,晶体管,晶体
...星电子将于2027年在2纳米工艺中采用背面供电网络技术（制程节点SF2Z）。该技术可将芯片的供电网络转移至晶圆背面，与信号电路分离，从而简化供电路径，降低供电电路对互联信号电路的干扰。若在2纳米工艺中采用该技术，...……更多
2024-06-17 02:37:00三星电子,三星,路线图,人工智能,半导体,人工
在台积电的3纳米逐渐获得芯片企业认可的情况下，近日Intel却再次指出台积电的3纳米工艺并非真正的3纳米，与Intel的7纳米工艺差不多，这显示出Intel在芯片工艺研发方面日益落后的情况下确实有点慌了。Intel指出它的7纳米工艺...……更多
2024-06-24 09:18:00老底,无耻,跟着,工艺,数字,纳米
...功耗方面均有不小提升。去年年中，三星宣布全球首发3nm制程工艺，与前几代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶体管架构，能极大改善芯片的功率以及效率。与之前的5nm相比，新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗，并且性...……更多
2023-03-16 10:46:00三代,三星,芯片,工艺,三星,工艺
12月4日，台积电将于明年下半年开始量产其2nm（N2）制程工艺，目前台积电正在尽最大努力完善该技术，以降低可变性和缺陷密度，从而提高良率。一位台积电员工最近对外透露，该团队已成功将N2测试芯片的良率提高了6%，为...……更多
2024-12-05 09:54:00爆料,工程师,客户,工程,晶体管,晶体
...子芯片和车规芯片的设计考虑重点有很大不同，导致工艺制程也有很大不同。硬要比高低的话，像评论《天龙八部》中乔峰“降龙十八掌”和《倚天屠龙记》中张无忌“九阳神功”孰强孰弱，确实很难面面俱到，下面小编尝试剖...……更多
2023-02-02 11:00:00芯片,消费,电子,芯片,汽车,安全
...面有较大幅度的提升，不过遗憾的是并未采用台积电的3纳米工艺，这对于台积电来说无疑是较大的打击，意味着它的3纳米工艺量产后仍然面临问题。据悉苹果新推出的M2 Pro处理器的晶体管数量较M1 Pro增加了20%，在性能方面将进...……更多
2023-01-19 08:00:00纳米,苹果,先进,工艺,问题,纳米
![2022年中国CMP抛光液市场规模现状及行业发展前景预测[图]](https://img2.fyun.cc/newsimg/707/394/f4b202dda3b76bb1e0d7e06982ca2de49f6d027e.png)
...子版出品单位：共研网化学机械抛光（CMP）是半导体先进制程中的关键技术，其主要工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下，被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间...……更多
2023-01-06 06:00:00发展前景,抛光,中国,前景,现状,规模
...第五代10纳米级1b DRAM制程并宣布量产以来，关于1c DRAM的进展一直未有明确消息。此次1c DRAM制程的延迟不仅影响了其核心产品DDR5内存的量产时间，也波及了高频宽存储器（HBM）的开发。如果1c DRAM的量产推迟至2025年底，HBM的量产...……更多
2025-01-21 15:30:00制程,三星,变数,纳米,突发,前景
...同样Intel3工艺、P核设计的GraniteRapids。Intel20A和Intel18A同样进展顺利，目标是2024年，将首次采用RibbonFET全环绕栅极晶体、PowerVia背面供电技术。此外，Intel即将推出面向代工服务客户的Intel18A制程设计套件（PDK）。 ……更多
2023-10-12 19:54:00宣大,光刻,规模,第一次,工艺,制程
...芯片制程的信息，3纳米制程良率稳定，第二代3纳米制程进展迅速，也在为汽车应用开发4纳米制程，今年将聚焦于开发2纳米制程。 ……更多
2023-02-01 14:54:00晶圆,代工,利用率,业务,晶圆,制程
...闻英文版网站 The Pulse 报道，近期三星称，其 4 纳米芯片制程良率已改善、接近 5 纳米的水准，下一代 4 纳米制程将提供更高的良率。三星电子去年推出了 4 纳米芯片技术，但由于良率不高，导致部分客户转投台积电，包括高通...……更多
2023-05-04 09:50:00三星,消息,工艺,三星电子,三星,纳米
...三星电子几乎是以“透支集团未来”的方式去投资3nm工艺制程节点。在2023年财报中，三星电子就曾表示，在全年资本支出的53.1万亿韩元中（约合人民币2777亿），有48.4万亿韩元（约合人民币2530亿）用于半导体。另据Tom‘s Guide此...……更多
2024-06-25 09:23:00三星,自己人,三星,芯片,高通,架构
...能下功耗降低24-35％。台积电2nm首次引入全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管，有助于调整通道宽度，平衡性能与能效。新工艺还增加了NanoFlex DTCO(设计技术联合优化)，可以开发面积最小化、能效增强的更矮单元，或者性能最大化的更...……更多
2024-12-16 00:18:00功耗,性能,能效,晶体管,晶体,性能
...会用于未来的骁龙8Gen5，而不是即将推出的骁龙8Gen4。就进展而言，三星已经在2nm工艺的竞争中领先于台积电，据说它获得了第一个客户--一家名为PreferredNetworks(PFN)的日本初创公司。报道称三星通过增强其自家的Exynos芯片，从而...……更多
2024-02-24 11:28:00高通,三星,原型,部门,正在,生产
...体管的栅氧化层在2D GAA晶体管方面，英特尔也取得了相关进展。2D GAA（Gate-All-Around，环绕栅极）晶体管的栅氧化层是其结构中的关键组成部分，对于晶体管的性能和稳定性具有重要影响。栅氧化层位于栅极和沟道之间，主要作用...……更多
2024-12-10 23:14:00密度计,英特,英特尔,代工,突破性,高性能
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