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...用的第三代GAA特性。据报道，三星的2nm芯片将采用这种全栅极技术，因为该公司的代工部门计划在2025年开始大规模生产2nm芯片。三星尚未在其3nmGAA节点上获利，这主要归功于其产量低，导致与其他公司的合作不可行。根据最新...……更多
2024-05-02 02:11:00栅极,三星,芯片,技术,三星,纳米
...，这已是FinFET技术的极限，更先进的工艺就需要引入环绕栅极极技术才能有效提升性能，三星则优先在3纳米工艺上引入了环绕栅极技术，然而三星采用环绕栅极技术的3纳米同样面临质疑。台积电保守地采用FinFET技术，在于这项...……更多
2023-01-19 08:00:00纳米,苹果,先进,工艺,问题,纳米
...科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极，可以简单想象成晶体管与晶体管之间的一个门、一块隔板，起到了把控电离子流向的...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...程技术是其最新的芯片制造技术，该技术使用更宽的环绕栅极架构，可以更好地控制电流，并带来更快的速度和更低的功耗。然而，据报道，三星在生产3纳米GAA晶圆时遇到了困难，良率并不理想。这意味着生产成本高昂，而且...……更多
2023-12-04 10:14:00高通,滑铁卢,三星,代工,芯片,制造
...经和高通深化合作关系，高通会使用三星代工厂最新的全栅极（GAA）工艺技术，优化和开发下一代ARMCortex-XCPU。高通公司有可能正在评估2纳米SF2GAAFET工艺，以用于遥远的骁龙8Gen5芯片组，而三星LSI则可能正在开发2纳米\"Exynos2600\"...……更多
2024-02-24 11:28:00高通,三星,原型,部门,正在,生产
...栅(GAA)晶体管。这些晶体管使用垂直放置的纳米片，允许栅极覆盖电流流动的通道的所有四个侧面，从而减少泄漏并提高芯片的性能和能效。台积电继续使用采用水平放置鳍片的FinFET晶体管。与GAA不同，FinFET仅覆盖通道的三个侧...……更多
2023-01-22 16:35:00良品率,三星,纳米,芯片,生产,三星
...（栅长）就是芯片的纳米单位。纳米原本是指芯片晶体管栅极长度的大小。随着技术的成熟，晶体管尺寸的减小，性能随之提高、功耗降低以及发热量的降低。简言之，较小的晶体管比较大的晶体管更好，并且制造商之间的工艺...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
...面积。看数据显示的话，高通会使用三星代工厂最新的全栅极（GAA）工艺技术，优化和开发下一代ARMCortex-XCPU。
而且高通公司有可能正在评估2纳米SF2GAAFET工艺，以用于遥远的骁龙8Gen5芯片组，而三星LSI则可能正在开发2纳米\"Exyno...……更多
2024-02-25 23:05:00三星,处理器,工艺,处理,工艺,三星
...仍未在全球范围内实施。虽然目前半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为技术节点进行系统命名，但毫无疑问目前的工艺技术也是数字越小越先进。随着半导体工艺微缩路线不断地向前发展，集成电路内电路与电路间...……更多
2023-11-01 13:46:00三星,纳米,数量,工艺,纳米,工艺
...竞争对手三星和台积电。三星计划首先在3nm工艺中采用全栅极（GAA），然后再转向2nm工艺。台积电和英特尔正在为其3纳米芯片选择FinFET结构。 ……更多
2024-02-28 06:23:00英特,英特尔,节点,推广,工艺,英特
...m制程。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
...晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已准备就绪，客户现在就可以使用英特尔 EDA（设计软件）...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
...及实验演示和建模”。在摘要部分中写到，在金属带工程栅极中间层（BE-G.IL）、铁电（FE）开关、沟道中间层（Ch.IL）和硅（MIFIS）FeFET架构中，使用FE开关相互作用，来显著提高性能，表明hafniaFE成为扩展3DVNAND技术发展的关键推...……更多
2024-05-12 01:32:00三星,芯片,铁电,三星,中间层,关键
...了在 3nm 成功应用 GAAFET 技术。GAAFET 的正式名称是全环绕栅极晶体管（Gate-All-Around FET），架构上最明显的变化在单位面积内的利用效率。晶体管架构变迁，图/三星众所周知，计算性能最底层其实就是晶体管的「一开一关」，代...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
三星的晶圆代工业务规划显示，他们打算在2025年前后将自家的2纳米制程技术（代号SF2）推进到大规模生产阶段。这一前沿技术预计会被嵌入到同年发布的Exynos系列处理器——Exynos2600中，而这款处理器则将服务于GalaxyS26系列智...……更多
2024-05-23 11:53:00三星,代号,芯片,正在,三星,纳米
...出3nm芯片Exynos2500，在3nm制程上，三星率先应用了全环绕栅极工艺（GAA，全称Gate-All-AroundT），打破了FinFET技术的性能限制。具体而言，三星3nmGAA工艺通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流增强芯片性能。与5...……更多
2024-05-23 11:41:00大规,三星,大规模,三星,制程,联发
...芯片给AMD留下深刻印象，这可能会让三星获得AMD基于其3nm栅极全环(GAA)节点的订单。三星在3nm工艺中使用了全栅晶体管，可以间接改善芯片性能。韩国产业经济贸易研究院研究员KimYang-paeng表示：“如果三星此次成功赢得AMD4nm芯片...……更多
2023-11-17 13:47:00新业,三星,新业务,工艺,三星,代工厂
据报道，三星将推出首款采用3nm芯片的设备，而这并不是人们首先想到的产品。上个月，有猜测称GalaxyWatch7将成为3nm工艺节点的开创点。根据《韩国经济日报》的最新消息，这一传言得到了进一步证实，甚至包括芯片组名称等...……更多
2024-05-16 10:53:00三星,芯片,设备,芯片,三星,工艺
...来在Intel20A、台积电2nm、三星3nm上，都将转向全环绕立体栅极晶体管。封装方面，三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumplessbongding)，将铜层与铜层直接互连。事实上，这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术，仍在研发之中。...……更多
2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星
...星电子宣布其首款采用 3nm GAA 工艺（Gate-All-Around，环绕式栅极）的系统级芯片 (SoC) 已完成流片 (taping out)，该芯片有望在未来几个月内实现量产。三星的合作伙伴，电子设计自动化公司 Synopsis 透露，他们为该芯片的性能提升提供...……更多
2024-05-08 09:54:00三星,芯片,芯片,三星,设计,功耗
...了更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。同时由于环绕栅极的存在，晶体管在开关过程中产生的热量也得以有效分散，从而降低了功耗。
而且GAA技术还通过优化晶体管的内部结构，提高了其性能，以及通过减小晶体管的尺寸...……更多
2024-05-09 10:29:00三星,革命性,新机,芯片,革命,突破
...的，此前的520亿美元芯片补贴，美国曾许诺给予台积电和三星较大份额，但是最终台积电只拿到10%的份额，三星拿到13%的份额，台积电的份额竟然比三星还要少，业界就认为美国并未将台积电视为自己人。到了去年美国又给出芯...……更多
2024-04-13 10:04:00美国,胡萝卜,技术,美国,芯片,纳米
...技术的进一步发展。Kim博士在摘要中提到，在金属带工程栅极中间层、铁电开关、沟道中间层和硅FeFET架构中使用了相互作用的FE开关，以显著提高性能。这表明了HafniaFE成为扩展3DVNAND技术发展的关键因素。值得一提的是，三星...……更多
2024-05-12 09:54:00三星,将于,技术,进一,铁电,技术
三星电子与AdvancedMicroDevices(AMD)合作开发了业界首款12纳米级DDR5动态随机存取存储器(DRAM)。这种新型DRAM将于2023年开始量产，预计将以其卓越的性能和更高的能效提升下一代计算、数据中心和人工智能(AI)应用的能力。三星12纳米DD...……更多
2023-01-22 16:53:00三星,纳米,三星,纳米,能效,三星电子
...14nm苦苦挣扎几年之后，英特尔将在今年进一步拉近和和三星的差距，其IDM 2.0战略，也使得他们成为了3nm代工的一个重要玩家。三星台积电先后跨入和5nm一样，三星和都率先进入了3nm时代。在2022年六月份，韩国巨头三星宣布，公...……更多
2023-01-20 06:00:00英特,英特尔,战局,英特,英特尔,三星
据说三星明年将在GalaxyS25系列上采用双芯片发布策略，在多款手机上同时使用高通公司的Snapdragon8Gen4和Exynos2500。这家韩国巨头在推出GalaxyS24系列时也采用了这一策略，该系列产品是三星2024年第一季度营业利润的主要贡献者，与...……更多
2024-05-16 11:09:00三星,芯片,策略,三星,二代,工艺
三星电子和台积电可能都遇到了3纳米半导体的生产问题，不过这一问题目前尚未有报告。据韩国媒体ChosunBiz援引消息人士的话报道，这两家半导体巨头在3纳米半导体良品率问题上可能都难以超过60%，而这一水平还不足以吸引硬...……更多
2023-10-10 11:37:00有关,问题,纳米,三星,三星电子,工艺
据三星消息，其移动体验（MX）部门将于7月10日左右在法国巴黎举办Unpack新品发布会活动。分析人士称，举办该活动是为了在巴黎奥运会7月26日开幕前，最大限度地发挥营销效果。三星智能手表据报道，三星将在Unpack活动中揭晓...……更多
2024-05-15 02:44:00三星,活动,设备,三星,纳米,工艺
...锡悦访问了荷兰半导体设备制造商阿斯麦（ASML）总部，三星电子会长李在镕、SK集团会长崔泰源一同参观了相关设施。阿斯麦和三星将投资1万亿韩元（约合54.5亿元人民币）在韩成立半导体研发中心。韩国《每日经济》13日的报...……更多
2023-12-14 14:29:00荷兰,韩元,韩国,半导体,同盟,冲击
10月17日消息，今天，三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章，称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片，希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示，对于DR...……更多
2023-10-17 20:23:00三星,闪存,芯片,三星,芯片,双堆
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