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通往万亿晶体管芯片,关键技术揭秘
...01)作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年,在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念?英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100,在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管;英特尔即将推出的数据中心...……更多
英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈
...推进摩尔定律,在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。12月9日,英特尔在IEDM 2023(2023 IEEE 国际电子器件会议)上展示了使...……更多
二维场效应晶体管的三维集成
在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番,这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而,随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限,摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦,因为他们需要制造更小、更强大...……更多
普通芯片背后的惊天秘密!
...要了解普通芯片的基本结构。普通芯片由数以亿计的微小晶体管组成,每个晶体管都可以控制和传输电流。这些晶体管互相连接形成一个庞大的网络,使得芯片能够进行复杂的信息处理和存储。当电流通过晶体管时,它将被传输...……更多
台积电实现了3nm工艺,栅极的发展比摩尔定律发展更快
...片的所有关键指标中,没有一项是3nm。我们知道芯片是由晶体管组成,晶体管越多,芯片性能越强,因为一个晶体管就是一路电流,代表一个0与1的开关换算。而一个晶体管里面又含有三个部分,分别是源极(Source,电流入口)...……更多
3nm的芯片战争,才刚刚开始
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺(N3B)制造,晶体管数量达到了惊人的 190 亿,这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片,也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道,随着芯片尺寸越...……更多
英特尔在IEDM大会上展示新工艺,背面供电与堆叠晶体管纷纷亮相
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线,包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会(IEDM)...……更多
台积电正式使用n3制程工艺
...10%到20%之间,相差巨大。其主要原因是三星的3nm环栅(GAA)晶体管工艺与台积电的FinFET工艺在结构上存在重大差异,三星本身采用的环栅(GAA)晶体管,可以更好地控制晶体管的电流。这是因为GAA晶体管具有垂直堆叠的nm片以覆盖通道...……更多
你现在能刷手机,全靠他 50 年前的一句话
...ley)说起。这位科学家在贝尔实验室与其他人共同发明了晶体管,并获得诺贝尔物理学奖。威廉·肖克利,图片来源:维基百科为了赚更多钱,肖克利在1955年创办了自己的实验室——肖克利半导体实验室。实验室坐落于美国加州...……更多
本文转自:科技日报芯片上“长”出原子级薄晶体管可大幅提高集成电路密度科技日报北京5月3日电 (记者张佳欣)美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺,可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维(2D...……更多
英特尔重塑代工业务:按期推进4年5个节点计划、公布Intel 14A路线图、2030要成第二大代工厂
... PowerVia 背面供电技术的芯片,通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极(GAA)晶体管的节点,在缩小面积的情况下,提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
芯片的功耗问题不断提升
...芯片和系统设计,而且这些问题在不断扩大和增多。随着晶体管密度的提高,这些微小的数字开关产生的热量无法通过传统方式消除。尽管这个问题看似可以控制,但这产生了一连串需要整个行业共同解决的新问题,包括EDA公司...……更多
抢光刻机、截客户,三大芯片巨头缠斗2nm丨知料
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA(Gate All Around,全环栅型晶体管技术)是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管,可以拆解为三个模块:源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极,构成一个完整回路。栅极...……更多
台积电:2030年量产1nm、可封装1万亿个晶体管
...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管,并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外,台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是,台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
台积电推2nm,芯片制程极限升级,2nm或不再是我们理解的2nm了
...片都不相同,它需要在每平方毫米的面积上,植入3亿颗晶体管,相当于在一个指甲盖那么大的面积里,塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度,需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
台积电2nm芯片初始产能将花落谁家!曝苹果有望最先采用
...越小代表了越先进的制造工艺,可以使芯片上集成更多的晶体管,从而提高处理器的速度、实现更有效的功耗。之前从5纳米技术到3纳米技术的飞跃就使iPhone的GPU速度提高了20%、CPU速度提高了10%、iPhone的神经网络引擎速度提高了2...……更多
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出,比Intel 7每瓦性能将提高约20%;Intel 3预计将于2023年下半年投产,比Intel 4每瓦性能将提高约18%;Intel ...……更多
· 告别晶体管迎来忆容器 AI芯片可用电场而非电流执行计算
...费电子设备更容易获得先进的AI功能。不同于处理器中的晶体管,塞姆龙的芯片使用电场而不是电流。这些由传统半导体材料制成的忆容器可存储能量并控制电场,不仅提高了能源效率,还降低了制造成本,使消费电子产品更容...……更多
cpu中有上亿个晶体管,坏了一个还能工作吗
...,CPU就是电脑配件中十分重要的一个配件,CPU中有上亿个晶体管,如果CPU中的上亿个晶体管,坏了一个还能工作吗?CPU是在特别纯净的硅材料上制造的。一个CPU芯片包含上亿个精巧的晶体管。人们在一块指甲盖大小的硅片上,用...……更多
AMD 第二代 3D 缓存处理器细节分享
...尺寸不匹配,因此需要进行一些修改,最终大幅提高了其晶体管密度。第二代芯片第一代芯片5nmZen4CCD7nmZen3CCD尺寸36mm241mm266.3mm280.7mm2晶体管数约47亿47亿65.7亿41.5亿晶体管密度约1.306亿约1.146亿约9900万约5140万与之前一样,这颗……更多
...文转自:科技日报重新定义数据处理的能源效率具有千个晶体管的二维半导体问世【总编辑圈点】科技日报北京11月13日电 (记者张梦然)据最新一期《自然·电子学》报道,瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫...……更多
2025重返cpu王者intel“1.8nm”工艺传喜讯
...,也就是RibbonFET和PowerVia,其中RibbonFET是Intel对GateAllAround晶体管的实现,它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。...……更多
Apple 偷偷摸摸地抢占 3nm 芯片的先机
...技术的驱动力。什么是3nm芯片组?简而言之,它是将更多晶体管封装到类似大小的芯片中的能力。对于外行来说,“3nm”指的是晶体管的小型化尺寸,这意味着您可以大大提高目前看到的4nm和5nm芯片的密度。对于最终用户而言,...……更多
英特尔高管表示:Intel 18A/20A工艺制程已测试流片
...5年赶超台积电(TSMC)的关键。其中RibbonFET是对GateAllAround晶体管的实现,将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。Power...……更多
...的效率。随着科技的进步,现代芯片已经成为了由数千亿晶体管组成的大型集成电路。排列这些晶体管在硅片上是一项极具挑战性的任务,需要上万名工程师花费长达两年的时间才能完成。英伟达的芯片设计也异常复杂,并且是...……更多
ASML揭秘全球第一台高NA EUV光刻机:分辨率直达8nm
...下为芯智讯对该文章的翻译:目前芯片制造商依然是依靠晶体管微缩来推动微芯片技术的进步。虽然,这并不是改进芯片的唯一方法,例如,新颖的架构、先进封装等也可以提高性能。但摩尔定律本质上成为普遍法则是有原因的...……更多
20余年坚守创新  他为国产碳化硅“开路”
...的六方碳化硅(4H-SiC),有望制备出更高性能的碳化硅基晶体管。这是国际首次获得可量产、可商业化的晶圆级立方碳化硅单晶生长技术。近期,陈小龙获评2023年中国科学院年度创新人物。“另辟蹊径”获取新突破作为第三代...……更多
​光刻机之战
...些数字都要经过芯片,而芯片是由几百万个甚至几十亿个晶体管组成的网络,每个晶体管都是一个电子开关,通过电流开(1)或关(0)来处理和存储这两个数字。用手机点外卖、发朋友圈、打游戏,本质上是手机里的芯片,还...……更多
三星展望HBM4内存:工艺学习Intel 22nm
...在三星的规划中,HBM4将有两个发展方向,使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面,三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管,改用FinFET立体晶体管,从而降低所需的驱动电流,改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
上半年三星或实现第三代4nm芯片量产,全面改进工艺
...程工艺,与前几代使用的FinFET的芯片不同,三星使用了GAA晶体管架构,能极大改善芯片的功率以及效率。与之前的5nm相比,新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗,并且性能提升23%的同时减少16%的面积。三星还宣称,第二代的3nmGAA...……更多
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今年全国两会上,新质生产力成为热词。“大力推进现代化产业体系建设,加快发展新质生产力”成为2024年政府工作部署的首要任务
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【CNMO科技消息】3月29日,OPPO Find X7 Ultra卫星通信版开启预售,4月2日正式开售。新机采用独家双模卫星通信
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本文转自:中国经济网3月26日至29日,以“亚洲与世界:共同的挑战,共同的责任”为主题的博鳌亚洲论坛2024年年会在海南举行
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本文转自:中国工业报 日前,以 “聚力补齐农机短板、助推天府粮仓建设”为主题的2024第十七届西南农牧业机械展览会暨首届中国(四川)丘陵山区农机展览会
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