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三星准备推出第9代v-nand闪存
据韩国出版物《Hankyung》报道,三星准备在下个月推出第9代V-NAND(3DNAND闪存),预计将提供290层结构,比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。据报道,三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密...……更多
三星开始削减NAND闪存的产量:大概减少5%
此前三星发出了2023年第一季度的“盈利指引”,显示经营持续恶化,收入同比下跌19%,利润同比下跌95.8%,这是自2008年金融风暴以来最差的业绩表现。其中存储器部门业绩恶化是导致2023年第一季度营收减少的主要原因,为此三...……更多
倒逼国产全面涨价!存储大厂们拖延供货 加快闪存晶圆涨价
...512Gb现货价单月调涨约2成,站上2.6美元。从今年9月起,三星已将NANDFlash快闪存储的减产幅度扩大到总产能的50%,主要集中在128层堆叠以下的产品上,目的是要加速去库存,同时稳定NANDFlash快闪存储的价格。在这之前,美光和SK海...……更多
应对降价:三星大幅减产西安工厂NAND闪存!
快科技1月13日消息,据媒体报道,三星电子已决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产,以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下跌,确保公司的收入和利润。DRAMeXchange的数据显示,截至2024年10月底,用于存储卡和U盘的...……更多
三星西安工厂计划削减NAND闪存产量:减少10%以稳定市场价格
快科技1月13日消息,据报道,三星位于西安的NAND闪存工厂计划削减产量,减少10%以上,平均月产量从20万片晶圆降至17万片。与此同时,三星在韩国华城的两条关键生产线——12号和17号,也面临产量调整,旨在进一步缩减整体...……更多
NAND闪存市场呈现复苏迹象,未来格局或生变
...闪存作为两大存储器产品之一,正在经历新一轮的变化。三星在去年进行了多次减产,不过随着市场回暖,已开始大幅度提高产能利用率,同时抬升价格,继续主导市场。其位于西安的工厂的开工率已从去年下半年最低的20-30%提...……更多
突破性进展!三星400层NAND闪存开发完成:最快2025年二季度末量产
快科技12月9日消息,据媒体报道,三星已成功开发出突破性的400层堆叠NAND Flash闪存技术,并已开始将该技术转移到大规模生产线。这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND Flash的SK海力士。三星计划在2025年国际固态电路会议...……更多
三星电子已将西安工厂的闪存开工率至 70%
3月11日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子已将西安工厂的闪存开工率至70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地,月产能为20万片300mm晶圆,占三星整体NAND产量的40%。目前三星正将西安工厂的工艺升级...……更多
三星、海力士重回闪存战场,这下硬盘还会更便宜吗?
...前段时间,一则小道消息的传出引起了不少人的关注:“三星、海力士或将获得无限期的半导体设备出口资格”。这则消息传出后,仅过来几天时间,韩国当地媒体就报道相关企业已经获得授权,已被列入清单的设备可以无限制...……更多
三星正在为未来的 16TB SSD 存储和 PCIe 5.0 性能准备 400 层 V-NAND
三星的 V-NAND 技术取得了长足的进步,在短短十多年间从 24 层发展到近 300 层。 虽然该公司在进一步扩展方面面临着巨大挑战,但它仍然有信心在 NAND 芯片中安装至少 400 层闪存单元。 如果一切按计划进行,量产将于明年年底...……更多
消息称三星电子计划从下月起大幅提高 NAND 闪存价格
据韩媒BusinessKorea近日报道,三星计划自今年四季度起调涨其NANDFlash产品的合约价格,涨幅预计超过10%。此举预计最快将在本月新的合约中采用新价格。三星一直奉行减产战略,以降低供应量并提高产品价格来寻求反转,期望明...……更多
昂贵的复仇:存储的新战争
...断了全球的存储市场。然而,经过数十年的漫长拉锯,以三星为首的韩国企业几度击溃日企,彻底坐稳了“存储之王”的宝座。从商业角度看,存储是半导体产业的支柱之一,主要产品包括内存、硬盘、闪存等等。2021年,存储...……更多
SK海力士明年量产400层闪存!能让SSD更便宜吗?
...品,是第一家做到300+层的,而且是TLC。其他厂商方面,三星已经量产290层闪存,目标是2030年超过1000层。美光已经将276层闪存投入实用。铠侠去年达成了218层,暗示有望在2027年就达到1000层。长江存储……不公开,也不能说。【...……更多
内存和存储白菜价的时代要过去了?
...,据华尔街见闻报道,供应链上下游龙头公司透露称,受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响,内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。报道称,相较此前低位,国内有存储器下游龙头闪存采购成本已上...……更多
雅通机电|为半导体企业提供电力保障
...供应,助力“中国芯”崛起。半导体企业停电事件回顾:三星NAND工厂停电30分钟2018年3月9日三星位于平泽的NAND工厂突然遭遇30分钟的意外停电。此次事故中受损的晶圆相当于3月份三星整体NAND闪存产量的11%,或全球NAND闪存供应量...……更多
三星USB 3.2闪存盘上手:性能超400MB/s
三星作为存储行业的翘楚,不论是品牌影响力还是闪存技术积累,都位于整个行业的头部,为了更好地满足当下快节奏、数字化时代的全面到来,三星存储也推出了新款的USB闪存盘,拥有小巧的身材、强大的性能和海量的存储...……更多
受美国影响考虑卖掉大连工厂?韩国芯片巨头SK海力士否认
...易以来,美国政府不断升级对华出口管制,给SK海力士、三星在华扩产带来麻烦。彭博社声称,自SK海力士收购以来,大连工厂一直处于不确定状态,无法承诺在该工厂实施大规模资本支出计划。目前,英特尔的标志仍然悬挂在...……更多
三星重磅发布280层QLC闪存
...是支撑这一价值的重要基石。近日,存储行业的领军企业三星再次站在了技术革新的前沿,宣布推出全新的280层QLC闪存,将M.2SSD的容量推向了新的高度——惊人的16TB!QLC,即四层单元闪存,是近年来闪存领域的一项重要技术突...……更多
三星最快本月实现第9代v-nand闪存量产
4月12日消息,据韩媒Hankyung报道,三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示,其下一代NAND闪存将于“今年初”量产,拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND,...……更多
三星闪存涨价潮来袭!季度涨幅高达20%,一年后或将贵70%
据多位半导体产业人士透露,三星将对其NAND闪存芯片的价格进行大幅调整。从今年第四季度开始,三星计划将闪存芯片的报价提高10-20%。令人惊讶的是,明年第一季度和第二季度,价格还将分别再上涨20%。按照这一涨幅,预...……更多
SK海力士在研究低温蚀刻设备,下一代3D闪存可能在-70℃低温下生产
...与1的氟化氢气体,这将大幅减少温室气体的排放。同时三星也在验证这一新技术,与SK海力士不同的是,三星是直接引进东京电子的新设备进行测试。【来源:超能网】 ……更多
SK海力士全球首创321层闪存技术,三星计划超越300层
...2025年上半年才会开始量产这种新型的闪存。与此同时,三星在近期的一次公告中披露,他们的第9代V-NAND闪存研发进展顺利。据悉,三星的第9代V-NAND闪存将基于双堆栈架构,可达到业界最高的堆叠层数。原本公司规划的层数约为...……更多
三星宣布投产第九代V-NAND闪存
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存,首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存,新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力,巩固其领导地位。三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示:“我们...……更多
三星宣布第9代V-NAND QLC启动量产
今年4月,三星正式开始量产第9代V-NAND闪存,首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存,进一步增强了自身在闪存市场的竞争力。现在三星宣布启动新款第9代V-NAND闪存的量产工作,属于其首款1Tb的QLC(四层单元)闪存,进一步巩固了三...……更多
三星type-c闪存盘512gb京东双十一促销
...三端通吃,还要有较高的性价比?相信没有什么比512GB的三星Type-C闪存盘更合适的了。闪存盘就是大家熟悉的U盘,主打的就是一个身形小巧便携,三星Type-C更是只有拇指的一半大小,极光蓝和秘境灰配色颜值在线,靠近接口的位...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
10月17日消息,今天,三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示,对于DR...……更多
三星990pro出现“寿命门”事故:tlc闪存惹的祸?
三星去年底推出了新一代旗舰级SSD硬盘990Pro系列,没上PCIe5.0,但性能也是PCIe4.0的天花板,顺序读取高达7450MB/s,写入速度为6900MB/s。售价当然不会低,国内主要提供1TB、2TB两种配置,售价分别为1099元和2299元,这个价格比其他家...……更多
NAND闪存芯片价格持续上涨 全行业减产初见成效?
...DRAM和NAND闪存芯片价格过去几个月里一直在上涨,这也让三星、SK海力士和美光这样的存储器大厂处于更安全的位置。在此期间,除了减产措施以外,材料短缺也影响了价格的变动。虽然DRAM和NAND闪存芯片价格还没有回到今年初的...……更多
三星计划量产第九代v-nand闪存,将采用新的堆叠架构
4月16日消息,三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存,可用的堆叠层数达290层,相比现在的236层只增加不到23%。这一代新闪存将采用新的堆叠架构,底部是CMOS层加逻辑电路,上边是145层闪存阵列,再上边又是145层...……更多
据11月11日报道,为应对存储产品价格上涨的市场需求,三星电子计划进一步减少其NAND闪存产品的生产。此举预计将在未来一年内导致行业影响不断扩大。三星电子已经从今年9月份开始,将NAND闪存产品产量削减至总产能的50%,...……更多
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