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【手机中国新闻】1月4日,据中国家电网报道,存储器行业正迎来一场涨价潮。三星电子、美光等存储器大厂计划在今年第一季度将DRAM价格调涨15%-20%,从1月起正式执行。这一消息已得到部分厂商的证实,他们透露已收到三星的涨价预告。
业界人士分析,此次涨价的原因主要是上游原厂试图通过提价改善营运亏损。值得注意的是,涨价的焦点将从NAND转移至DRAM。DDR4和DDR5有望成为下一波调涨的重点,而DDR3的产能及需求相对稳定,预计涨幅相对平缓。
随着上游原厂酝酿提价,多家存储器模块业者已经开始备货,预计供货给OEM厂的合约价将延后一个季度跟进。这意味着从二季度起,DRAM的全面涨价将得以体现。存储芯片市场主要由DRAM和NANDFlash主导。此前,NANDFlash的价格从2023年下半年开始一路上涨,而DRAM报价的涨幅相对较少。据数据显示,2023年12月,DRAM报价仅微幅调涨2%-3%,明显低于3DTLCNAND约10%的涨幅。在供给方面,业界指出,无论是DRAM还是NAND,2023年Q4上游供货状况并不紧缺。然而,随着原厂酝酿提价,未来市场走势仍存在不确定性。此次涨价潮对整个存储器行业产生了重大影响。对于OEM厂商而言,DRAM价格的上涨将对他们的生产成本产生影响。为了保持利润空间,他们可能需要在产品设计和生产过程中寻求更高效的解决方案,或者通过与供应商协商降低其他材料的成本来缓解压力。
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快照生成时间:2024-01-05 00:45:02
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