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美光将基于euv光刻的1γnm制程dram技术推迟到2025
12月23日消息，美国最大存储芯片制造商美光科技周三宣布，公司将在2023年裁员大约10%，并停发奖金。这再次表明，科技行业的增长放缓正在影响就业。
作为减少资本支出的一部分，消息称美光将使用EUV光刻的1γnm制程DRAM推迟到2025年，232层之后的NAND节点也被推迟。
美光1γ制造技术中原定于2024年的某个时候推出，但因为美光必须在2023和2024财年减少新设备的支出，并减少DRAMbit出货量，它将不得不放慢DRAM在其1β和1γ制造技术上的增长速度。
该公司最新的 1β制造节点 ——bit密度提高了35%，电源效率提高了15%，不过这一技术依然依赖于深紫外线（DUV）光刻技术。
相比之下，三星和SK海力士已经在其第4代10nm级存储技术（1α、1-alpha）中的多个层使用EUV光刻技术，并计划进一步强化其在第5代10nm级DRAM节点中的使用。
“鉴于我们决定放慢1β（1-Beta）DRAM的生产速度，我们预计我们的1γ（1-gamma）技术将在2025年推出，”美光称“同样，我们将推迟 232层3DNAND存储器以外的下一个NAND节点， 以适应新的需求前景和所需的供应增长。”
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快照生成时间：2022-12-23 17:45:03
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