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英媒称三星最新HBM芯片尚未通过英伟达检测

类别:科技 发布时间:2024-05-25 04:13:00 来源:每日看点快看

本文转自:三亚日报

路透社23日报道,韩国三星电子公司最新高带宽存储(HBM)芯片尚未通过美国英伟达公司针对人工智能处理器的检测,主要问题关联芯片发热和能耗。三星电子则称,所谓芯片因发热和能耗问题未能过检说法“不实”。

路透社援引三名知情人士的话报道,发热和能耗问题影响三星电子HBM3芯片和HBM3E芯片通过英伟达检测。这也是三星电子芯片未能通过英伟达检测原因首次遭曝光。三星电子一直试图推动上述两款芯片通过英伟达检测。

暂不清楚相关问题能否轻易解决。HBM3芯片使用第四代HBM标准,相关标准主要适用于人工智能图形处理器。HBM3E芯片使用第五代HBM标准,预计今年进入市场。三星电子打算今年第二季度开始量产HBM3E芯片。

路透社引述三名知情人士说法报道,芯片未能达到英伟达要求,已在业内和投资圈引发担忧。

不过,三星电子24日发表声明称,所谓芯片因发热和能耗问题尚未通过检测的说法“不实”,“检测正顺利、按计划推进”。

美国消费者新闻与商业频道21日报道,在HBM芯片领域保持领先的韩国SK海力士公司一直是英伟达HBM3芯片唯一供应商,而英伟达考虑把三星电子也列为供应商。

路透社23日援引分析师的话报道,SK海力士2013年最先研发出HBM芯片,过去十年间在相关研发领域投入的时间和资源远超三星电子。

为扭转企业去年因半导体市场行情恶化出现的逆差,三星电子21日宣布,任命未来事业规划团团长全永铉为数字解决方案部门负责人。

韩国总统尹锡悦23日宣布,将斥资26万亿韩元(约合1380.6亿元人民币),用于扶持韩国芯片产业。韩联社报道,上述扶持方案包括向芯片制造商、原料供应商和芯片设计企业在融资、研发和基础设施方面提供支持。 (新华社专特稿)

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快照生成时间:2024-05-25 09:45:04

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信息原文地址:

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