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创见近日针对生成式人工智能、高性能计算(HPC)和大数据分析需求用户,推出了名为“UTE210T”的全新U.2NVMeSSD。

UTE210T的核心是112层3DNAND闪存、8通道控制器和PCIeGen4x4接口,可以提供7200MB/s的顺序读取和6500MB/s的顺序写入速度,支持高达100万次的随机读写IOPS,具备低功耗、低延迟和性能可靠等特性。
UTE210T符合NVMe1.4规范,配合U.2接口,可增强传输稳定性而不影响服务器完整性。
UTE210T优化了DRAM,可以处理与AI相关的苛刻工作负载,减少了NAND闪存编程/擦除周期(P/E周期)并有效延长了驱动器的使用寿命。
注:该产品不仅适用于人工智能和大数据的应用,也适用于云计算、视频监控、游戏、医疗等领域,容量从512GB到8TB不等,官方并未公布该产品定价信息。
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快照生成时间:2023-07-08 00:45:05
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