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陕西半导体先导技术中心取得带有突出 P 阱的 UMOSFET 器件及其制备方法专利

类别:财经 发布时间:2025-01-11 19:09:00 来源:瘦子财经

金融界 2025 年 1 月 11 日消息,国家知识产权局信息显示,陕西半导体先导技术中心有限公司取得一项名为“一种带有突出 P 阱的 UMOSFET 器件及其制备方法”的专利,授权公告号 CN 118800806 B,申请日期为 2024 年 9 月。

天眼查资料显示,陕西半导体先导技术中心有限公司,成立于2018年,位于西安市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本6250万人民币,实缴资本6250万人民币。通过天眼查大数据分析,陕西半导体先导技术中心有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目11次,知识产权方面有商标信息4条,专利信息73条,此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自:金融界

作者:情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端

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快照生成时间:2025-01-11 20:45:02

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