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sk海力士开发出业界首款12层堆叠hbm3dram芯片

类别:科技 发布时间:2023-04-20 22:23:00 来源:浅语科技

SK海力士官网宣布,再次超越了现有最高性能DRAM(内存)——HBM3的技术界限,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3DRAM新产品。该公司表示,目前正在向客户提供样品,并进行性能评估。

sk海力士开发出业界首款12层堆叠hbm3dram芯片

SK海力士表示:“继去年6月率先量产业界首款HBM3之后,公司又成功开发出了内存容量比前一代产品增加50%的24GB封装产品。我们将在下半年向市场供应新产品,以满足由AI聊天机器人行业带动的高端内存产品的需求。”

SK海力士的工程师通过应用先进的批量回流模压填充(MR-MUF)技术,提高了新产品的工艺效率和性能稳定性,同时通过硅通孔(TSV)技术,将单个DRAM芯片的厚度降低了40%,达到了与16GB产品相同的堆叠高度水平。

HBM是SK海力士在2013年首次开发出来的一种内存,由于它在实现运行在高性能计算(HPC)系统中的生成型AI中起着至关重要的作用,因此受到了内存芯片行业的广泛关注。最新的HBM3标准尤其被认为是快速处理大量数据的理想产品,因此其被全球主要科技公司采用的情况越来越多。

SK海力士已经向多个对最新产品表达了极大期待的客户提供了24GBHBM3产品的样品,同时该产品的性能评估也在进行中。

“SK海力士之所以能够不断开发出一系列超高速和高容量的HBM产品,是因为它在后端工艺中运用了领先的技术,”SK海力士封装测试部门负责人洪相厚说,“公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备工作,以进一步巩固其在AI时代尖端DRAM市场中的领导地位。”

注:HBM(HighBandwidthMemory)是一种高价值、高性能的内存,通过垂直连接多个DRAM芯片,与传统的DRAM产品相比,大幅提高了数据处理速度。HBMDRAM产品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)的顺序开发。现有HBM3DRAM的最大容量是垂直堆叠8个单品DRAM芯片的16GB。

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快照生成时间:2023-04-20 23:45:08

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信息原文地址:

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