• 我的订阅
  • 财经

连科半导体取得水平式碳化硅外延炉上半月热场结构专利,可有效延长卧式炉维护周期

类别:财经 发布时间:2025-01-04 19:23:00 来源:瘦子财经

金融界2025年1月4日消息,国家知识产权局信息显示,连科半导体有限公司取得一项名为“一种水平式碳化硅外延炉上半月热场结构”的专利,授权公告号CN 222251124 U,申请日期为2024年4月。

专利摘要显示,本实用新型是一种水平式碳化硅外延炉上半月热场结构,其结构包括从上至下依次设置的上半月热场、衬底所在腔室、下半月热场,在上半月热场下端面靠近进气口处均布设置若干致密的气孔,气孔所在处对应的上半月热场内底部上方平行设有隔断板,输入氩气气流的导管端部连通气孔与隔断板之间的上半月热场侧壁。水平氩气气流通过导管进入气孔与隔断板之间空间内时,通过气孔流向衬底所在腔室形成致密气帘,使参与反应的源气层流向下移,进而减少上半月热场下端面沉积产生,隔断板可有效抵消气孔导致的温度变化,使上半月热场、下半月热场温度分布相对均匀。可有效延长卧式炉维护周期,提高卧式炉产能。

天眼查资料显示,连科半导体有限公司,成立于2023年,位于无锡市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本11312.5万人民币,实缴资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析,连科半导体有限公司共对外投资了1家企业,知识产权方面有商标信息14条,专利信息69条,此外企业还拥有行政许可5个。

本文源自:金融界

作者:情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端

以上内容为资讯信息快照,由td.fyun.cc爬虫进行采集并收录,本站未对信息做任何修改,信息内容不代表本站立场。

快照生成时间:2025-01-04 23:45:07

本站信息快照查询为非营利公共服务,如有侵权请联系我们进行删除。

信息原文地址:

连科半导体取得立式双片8寸碳化硅外延炉专利,能使产能成倍提升
...,连科半导体有限公司取得一项名为“一种立式双片8寸碳化硅外延炉”的专利,授权公告号CN 222251125 U,申请日期为2024年4月
2025-01-04 19:23:00
...规划用地100亩,将是建设半导体大硅片长晶和加工设备、碳化硅长晶和加工设备的研发和生产制造基地。基地建成达产后,预计年产值将超10亿元。据了解,项目主体连科半导体有限公司已于
2024-01-14 07:18:00
8英寸碳化硅外延晶片 厦企具备量产能力
瀚天天成具备国产8英寸碳化硅外延晶片量产能力。(瀚天天成 供图)厦门网讯(厦门日报记者 李晓平)SiC(碳化硅)器件的降本增效与外延环节密切相关,大尺寸的外延片有利于提高产量,并
2023-07-08 08:03:00
天域半导体业绩狂飙后倒退,大扩产后现金无法覆盖短债
...导体转战港股IPO。招股书显示,天域半导体是国内最大的碳化硅外延片企业,终端下游包括新能源行业(光伏、新能源汽车、充电桩及储能)、轨道交通及智能电网等。在经历业绩狂飙后,20
2025-01-17 19:26:00
天域半导体:IPO之路与行业前景 2024
...域半导体成立于 2009 年,是中国首批实现 4 英寸及 6 英寸碳化硅外延片量产的公司之一,也是首批拥有量产 8 英寸碳化硅外延片能力的公司之一
2024-12-25 22:09:00
广东天域半导体取得一种碳化硅外延用上半月石墨件结构专利,降低上半月石墨件打磨清洁难度
...显示,广东天域半导体股份有限公司取得一项名为“一种碳化硅外延用上半月石墨件结构”的专利,授权公告号CN 222251126 U,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本实
2025-01-04 19:22:00
厦企瀚天天成 科创板IPO申请获受理
本文转自:厦门日报研发碳化硅外延晶片厦企瀚天天成 科创板IPO申请获受理本报讯 (记者 林露虹)日前,瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司(以下简称“瀚天天成”)IPO申请获受理
2024-01-10 08:05:00
...工程师全神贯注盯着屏幕,密切注视着各项参数变化……碳化硅外延的研发和相关产品的生产工作正紧锣密鼓地进行着。“碳化硅作为第三代半导体材料,在工业等领域有着广泛应用。”公司半导体
2024-05-19 00:31:00
...飞先进半导体有限公司参与制定的国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》已于4月25日正式获批发布,并将于今年11月1日起正式实施
2024-05-15 00:38:00
更多关于财经的资讯: