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金融界2025年1月4日消息,国家知识产权局信息显示,连科半导体有限公司取得一项名为“一种水平式碳化硅外延炉上半月热场结构”的专利,授权公告号CN 222251124 U,申请日期为2024年4月。
专利摘要显示,本实用新型是一种水平式碳化硅外延炉上半月热场结构,其结构包括从上至下依次设置的上半月热场、衬底所在腔室、下半月热场,在上半月热场下端面靠近进气口处均布设置若干致密的气孔,气孔所在处对应的上半月热场内底部上方平行设有隔断板,输入氩气气流的导管端部连通气孔与隔断板之间的上半月热场侧壁。水平氩气气流通过导管进入气孔与隔断板之间空间内时,通过气孔流向衬底所在腔室形成致密气帘,使参与反应的源气层流向下移,进而减少上半月热场下端面沉积产生,隔断板可有效抵消气孔导致的温度变化,使上半月热场、下半月热场温度分布相对均匀。可有效延长卧式炉维护周期,提高卧式炉产能。
天眼查资料显示,连科半导体有限公司,成立于2023年,位于无锡市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本11312.5万人民币,实缴资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析,连科半导体有限公司共对外投资了1家企业,知识产权方面有商标信息14条,专利信息69条,此外企业还拥有行政许可5个。
本文源自:金融界
作者:情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间:2025-01-04 23:45:07
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