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美光将在1cnm节点率先引入euv光刻
根据韩媒TheElec的报道，DRAM内存巨头三星和美光均将在下一个内存世代，也就是1cnm工艺引入更多新技术。
IT之家注：1cnm世代即第六个10+nm世代，美光也称之为1γnm工艺。目前最先进的内存为1bnm世代，三星称其1bnm为12nm级工艺。
分析机构TechInsights高级副总裁ChoiJeong-dong在近日的一场研讨会上表示，美光将在1cnm节点率先引入钼（Mo，读音mù）和钌（Ru，读音liǎo）。这两种金属将作为布线材料，被用于内存的字线和位线中。
钼和钌的电阻相较于现在应用的钨（W）更低，可进一步压缩DRAM线宽。不过钌也存在自身的问题：其在工艺中会反应生成有毒的四氧化钌（RuO4），为维护工作带来新的麻烦。ChoiJeong-dong认为，三星和SK海力士将稍晚一至两个世代引入这两种金属。而在三星这边，其将进一步扩大EUV工艺的应用。三星是三大存储原厂中首先引入EUV的企业，已将其应用至字线和位线等层中，预计在1cnm中EUV应用将扩展至8-9层。对于美光，其也将在1γnm节点首次导入EUV光刻。
展望未来10nm以下制程，ChoiJeong-dong表示三大厂商均在研究3DDRAM和4F2 DRAM等路线以实现进一步微缩，NeoSemiconductor提出的X-DRAM以及不采用电容器的1TDRAM等也是可能方向。
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快照生成时间：2024-02-03 23:45:03
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