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此前爆料称三星GalaxyS23/Ultra系列将搭载更快的LPDDR5X内存和UFS4.0存储,不过根据最新情况,三星GalaxyS23标准版的基础存储型号是个例外。
三星GalaxyS23基本版本将继续配备128GB存储,并可选择以更高的价格将其升级到256GB版本。根据@IceUniverse爆料,三星GalaxyS23标准版128GB将配备UFS3.1闪存,使其读写速度低于其他型号的UFS4.0闪存。
了解到,LPDDR5X内存是最新的低功耗内存标准,用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑,支持高达8533Mbps的数据传输速度,比最快的LPDDR5内存快33%。UFS4.0存储芯片提供高达4200MB/s的顺序数据读取速度和高达2800MB/s的顺序写入速度。这是UFS3.1存储速度的两倍,后者提供高达2100MB/s的顺序读取速度和高达1200MB/s的顺序写入速度。UFS3.1存储速度因容量而异,128GB芯片版顺序写入速度为850MB/s。
新一代芯片(骁龙8Gen2ForGalaxy)、新内存(LPDDR5X)和新存储(UFS4.0)的组合将为三星GalaxyS23系列带来巨大的性能提升,预计将体现在手机启动速度、应用程序和游戏启动、多任务处理和游戏运行方面。
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快照生成时间:2023-01-30 18:45:11
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