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三星计划在Exynos 2500芯片中使用硅电容
7月17日消息，韩媒bloter于7月15日发布博文，爆料称三星计划在Exynos2500芯片中使用硅电容。
注：硅电容（SiliconCapacitor）通常采用3层结构（金属/绝缘体/金属，MIM），超薄且性状靠近半导体，能更好地保持稳定电压以应对电流变化。
硅电容具有许多优点，让其成为集成电路中常用的元件之一：
首先，硅电容的制造成本较低，可以通过批量制造的方式大规模生产。
其次，硅电容具有较高的可靠性和长寿命。由于其结构简单，易于加工和集成，硅电容的失效率较低。
此外，硅电容的尺寸小，占据空间少，适合集成电路的微型化和高密度集成。
报道指出三星电机（SamsungElectro-Mechanics）已开发出用于量产Exynos2500芯片的测试设备，该芯片的前期量产工作已经就绪，即将开始量产。
三星计划在明年推出的GalaxyS25、GalaxyS25+（有相关线索表明会被砍掉，目前无法确认）两款手机上使用Exynos2500芯片。
IT之家此前报道，三星Exynos2500最近取得了突破性进展，至少目前流片的工程样品已经达到了3.20GHz高频，同时比苹果A15Bionic更省电，将成为“迄今为止效率最高的芯片”。
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快照生成时间：2024-07-17 12:45:01
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