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湖北江城芯片中试服务有限公司申请半导体结构以及形成方法专利，提高信号的传输速度和效率
金融界 2025 年 5 月 7 日消息，国家知识产权局信息显示，湖北江城芯片中试服务有限公司申请一项名为“一种半导体结构以及形成方法”的专利，公开号 CN119943813A，申请日期为 2025 年 1 月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构以及形成方法，其中，半导体结构，包括：衬底、多个金属层、多个导电插塞、多个金属层间介质层和多个绝缘结构；其中，多个金属层，逐层堆叠在衬底上；多个导电插塞和多个绝缘结构，设置在对应的金属层间介质层内；在堆叠方向上，每两个相邻的金属层，通过对应的金属层间介质层分隔，并通过对应的导电插塞连接；针对位于同一金属层间介质层内的导电插塞，每两个相邻的导电插塞之间设置有所述绝缘结构。这样，本公开不仅能够减少信号传输过程中的能量损失，还能够提高信号的传输速度和效率。
天眼查资料显示，湖北江城芯片中试服务有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北江城芯片中试服务有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息85条，此外企业还拥有行政许可8个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2025-05-07 17:45:05
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