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东京电子成功开发出400层3dnand闪存设备
10月17日消息，东京威力科创/东京电子（TokyoElectron）为了追赶泛林集团（LamResearch），成功开发出可生产400层3DNAND闪存的设备，预估该技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。
生产3DNAND需要专门的设备，目前主要由美国公司泛林集团控制。IT之家今年6月曾报道，东京电子开发出全新蚀刻技术，首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，并创造性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。
东京威力科创希望凭借着这项技术挑战泛林集团，与现有方法相比，新的蚀刻方法至少将生产率提高了2.5倍。
东京威力科创表示这种技术对环境的有害影响也非常小，公司预估客户安装调试完成之后，可以在未来2-3年内开始生产400层3DNAND存储器；预估到2027年该领域产能比今年翻两番，达到20亿美元。
东京电子上一财年销售的蚀刻设备价值不超过39亿美元，约占其总销售额的四分之一。在新技术的帮助下，该公司预计其核心销售额至少将增加一倍。
去年销售额达到200亿美元的半导体行业蚀刻系统市场中，东京电子以25%的份额屈居第二，而美国LamResearch公司继续领先，占据半壁江山。
过去五年来，东京电子的研发支出增加了77%，预计今年的研发支出将达到创纪录的13.4亿美元（IT之家备注：当前约97.95亿元人民币）。
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快照生成时间：2023-10-18 09:45:03
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