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英诺赛科取得氮化镓半导体器件及其制备方法专利
类别：财经 发布时间：2025-01-22 12:31:00 来源：瘦子财经
金融界2025年1月22日消息，国家知识产权局信息显示，英诺赛科（珠海）科技有限公司取得一项名为“氮化镓半导体器件及其制备方法”的专利，授权公告号 CN 112259607 B，申请日期为2020年11月。
天眼查资料显示，英诺赛科（珠海）科技有限公司，成立于2015年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币，实缴资本247965.49万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（珠海）科技有限公司参与招投标项目8次，知识产权方面有商标信息41条，专利信息256条，此外企业还拥有行政许可70个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2025-01-22 14:45:09
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